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[发明专利]一种二维多孔金属有机杂化材料及其制备方法与在电催化转化生物质中的应用-CN202210294757.0有效
发明人：李钟号;毕嘉慧 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C25B11/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维多孔金属有机杂化材料及其制备方法与在电催化转化生物质中的应用，其制备方法包括步骤：将氯化胆碱和草酸于80℃下混合反应，得到低共熔溶剂；将金属盐溶于低共熔溶剂中，微波加热反应后，经洗涤、干燥得到氧化物前驱体；将所得氧化物前驱体经化学后处理，得到二维多孔金属有机杂化材料。本发明的二维多孔金属有机杂化材料的制备方法具有通用性，可以适用于多种二维金属材料的制备，并且制备方法简便快捷，易于操作，所得金属有机杂化材料是扭曲的二维纳米片状结构，且具有多孔结构，能暴露出更多的活性位点，具有较好的电催化生物质转化性能。
一种二维多孔金属有机材料及其制备方法电催化转化生物中的应用

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN202210086679.5在审
发明人：锺志平;何明祐;毕嘉慧 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器及其制造方法。影像传感器包括具有第一与第二表面的硅基体、绝缘层、第一硅层、第一隔离结构、掺杂区、第二硅层、晶体管、内连线结构、第二隔离结构、钝化层与微透镜。绝缘层与第一硅层依序位于第一表面上。第一隔离结构位于第一硅层中以界定主动区。掺杂区位于主动区中的部分第一硅层中及其下方的部分硅基体中。第二硅层位于主动区中的掺杂区之外的部分第一硅层中且延伸至硅基体中。晶体管位于主动区中的第一硅层上。内连线结构位于第一硅层上，且与晶体管电连接。第二隔离结构位于第一隔离结构下方的硅基体中，且与绝缘层连接。钝化层位于硅基体与第二隔离结构之间，且围绕硅基体并与掺杂区连接。微透镜位于第二表面上。
影像传感器及其制造方法

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN201910110960.6有效
发明人：钟志平;苏俊铭;何明祐;毕嘉慧 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体组件及其制造方法。半导体组件包括基底以及位于基底中的第一掺杂区、多个第二掺杂区与多个光电二极管，且包括设置于基底上的多个彩色滤光图案。基底具有第一导电型，而第一掺杂区与第二掺杂区具有第二导电型。光电二极管由基底的顶面向内部延伸。多个彩色滤光图案分别纵向地交叠于多个光电二极管。多个第二掺杂区接触于第一掺杂区并位于多个光电二极管与第一掺杂区之间。两两相邻的第二掺杂区之间具有上间隔区，多个上间隔区纵向地交叠于多个彩色滤光图案中具有穿透波长在620nm至1000nm范围中的若干者。
半导体组件及其制造方法

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN201910231312.6有效
发明人：钟志平;黄文澔;何明祐;毕嘉慧 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器及其制造方法。影像传感器包括具有主动面与背面的基底、第一与第二隔离结构、光二极管、存储节点、晶体管、反光层以及微透镜。第一隔离结构设置于主动面处的基底中以界定出主动区。光二极管与存储节点设置于主动区中的基底中且彼此间隔开。晶体管设置于光二极管与存储节点之间且分别与两者电连接。第二隔离结构设置于背面处的基底中且与第一隔离结构连接。反光层具有位于主动面上的第一部分、位于第一与第二隔离结构中的第二部分以及位于背面上的第三部分，其中第二部分连接第一与第三部分，且第三部分不与光二极管的整体重叠。微透镜设置于反光层上。
影像传感器及其制造方法

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN201811195119.3有效
发明人：钟志平;何明祐;黄文澔;毕嘉慧 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器及其制造方法，其中该影像传感器包括半导体基底、形成于半导体基底中的光电二极管、设置于光电二极管上的微透镜、第一转移晶体管、第二转移晶体管以及电容器。第一转移晶体管与第二转移晶体管形成于半导体基底上，且于第一转移晶体管与第二转移晶体管之间的半导体基底内形成有存储节点，其中第一转移晶体管耦合至光电二极管。至于电容器则形成于第一转移晶体管与第二转移晶体管之间，且电容器包括耦合至所述存储节点的第一电极、位于第一电极上并延伸至光电二极管的边缘的第二电极以及介于第一与第二电极之间的介电层。
影像传感器及其制造方法

[发明专利]一种用于检测汞离子的荧光探针制备方法与应用-CN201910036415.7有效
发明人：杨发福;陈世炳;毕嘉慧;郭红玉;郑智恒 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C07C255/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检测汞离子的荧光探针制备方法与应用，该荧光探针是一类点亮型的α‑氰基二苯乙烯类衍生物。本发明所述荧光探针，化学名为(Z)‑2‑（4‑（2‑氰基‑2‑（4‑硝基苯基）乙烯基）苯基氨甲酰基苯甲酸。本发明所述荧光探针由对乙酰氨基苯甲醛和对硝基苯乙腈在哌啶的催化下缩合生成α‑氰基二苯乙烯类中间产物后，再用盐酸脱去乙酰基保护基后与邻苯二甲酸酐反应得到。该荧光探针在溶液中显浅黄色，在四氢呋喃和水体积比为1:4的溶液体系中在550nm处几乎不发出荧光，识别汞离子后，荧光显著增强，对汞离子能高灵敏选择性识别，最低检测限为0.1μM，其它离子干扰小，是一种理想的汞离子快速检测传感器。
一种用于检测离子荧光探针制备方法应用

[发明专利]影像传感器-CN201911042630.4在审
发明人：钟志平;何明祐;毕嘉慧 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像传感器，其包括基底、第一栅极、感光元件、存储节点、至少一个第一反光层、第二反光层与第三反光层。基底具有相对的第一面与第二面。第一栅极设置在第一面的基底上。感光元件位于第一栅极的一侧的基底中。存储节点位于第一栅极的另一侧的基底中。第一反光层设置在基底中，且位于存储节点的周围。第二反光层在第一面遮蔽存储节点，且电连接至第一反光层。第三反光层在第二面遮蔽存储节点，且电连接第一反光层。
影像传感器

[发明专利]影像感测元件的光管的制造方法-CN201510456888.4在审
发明人：高紫雯;毕嘉慧;赖郁元;谢孟洁 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像感测元件的光管的制造方法，包括下列步骤。提供基底。基底包括像素区与周边电路区。在基底中已形成有光感测区。光感测区位于像素区中。在基底上形成介电层。在介电层中已形成有内连线结构与挡光金属层。挡光金属层位于内连线结构上方，且挡光金属层具有暴露出光感测区的开口。以挡光金属层为掩模，移除由开口所暴露出的部分介电层，以在介电层中形成光管。
影像元件制造方法

[发明专利]具有深阱结构的影像感应器及其制作方法-CN201410552621.0在审
发明人：钟志平;彭志豪;何明佑;毕嘉慧 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种具有深阱结构的影像感应器及其制作方法。该影像感应器，包含有一半导体基材，具有一第一导电型，该基材上区分有多个感光区域，包括第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，分别对应于所述影像感应器的R像素、G像素及B像素；一绝缘结构，设于该半导体基材表面，分隔开该多个感光区域；一感光结构，设于各该多个感光区域内；以及一深阱结构，具有一第二导电型，其中该深阱结构仅与该第二、第三感光区域重叠，但是不重叠于该第一感光区域。
具有结构影像感应器及其制作方法

[发明专利]晶体管的制造方法、形成沟道阻绝的方法以及半导体元件-CN200810005449.1无效
发明人：赵志明;黄汉屏;毕嘉慧;清水悟;音居尚和 -专利权人：力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，此方法例如是先提供基底，于基底中形成第一导电型阱区。然后，于第一导电型阱区的基底上形成栅极结构。并于栅极结构两侧的基底中形成第二导电型源极/漏极区。而后，对基底进行第一导电型离子注入工艺，穿透栅极结构而于第二导电型源极/漏极区下方的基底中形成第一导电型掺杂区，其中第一导电型掺杂区的深度大于第一导电型阱区的深度。
晶体管制造方法形成沟道阻绝以及半导体元件

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN200710193632.4无效
发明人：魏鸿基;朱建隆;毕嘉慧 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法。首先，在基底上依序形成绝缘层、导体材料层与研磨终止层。然后，在研磨终止层、导体材料层、绝缘层与部分基底中形成多个沟槽，并将导体材料层切割成多个导体块。继之，形成介电材料层，覆盖研磨终止层且填满沟槽。接着，进行化学研磨工艺，直至曝露出研磨终止层表面。之后，移除部分介电材料层，以形成多个沟槽隔离结构。随后，移除每一个导体块所曝露出来的部分侧壁，以形成多个浮置栅极。其中，每一个浮置栅极的宽度自其底部往顶部递减。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器的制造方法-CN200710161774.2无效
发明人：何青原;魏鸿基;毕嘉慧;卓志臣 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法。首先，提供其上已形成有介电层、第一导体层、栅间介电层与第二导体层的基底。之后，图案化第二导体层、栅间介电层、第一导体层与介电层，以形成栅极结构。接着，在栅极结构的侧壁形成第一保护层。继之，形成图案化光致抗蚀剂层，且图案化光致抗蚀剂层暴露出预形成掺杂区的基底。然后，在基底中形成掺杂区。在第一保护层形成之后，移除图案化光致抗蚀剂层。
非易失性存储器制造方法

[发明专利]非易失性存储器、源极/漏极线插塞及其制造方法-CN200710128380.7无效
发明人：陈启明;魏鸿基;毕嘉慧 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种源极/漏极线插塞的制造方法。首先，在基底中形成多个元件隔离结构，且两相邻的元件隔离结构之间定义出有源区。然后，在各有源区的基底中形成源极/漏极区。接着，移除部分源极/漏极区两侧的元件隔离结构，使元件隔离结构的表面低于源极/漏极区的基底表面。之后，在基底上形成介电层，接着图案化该介电层以形成暴露出源极/漏极区的多个沟渠。接着，在沟渠所暴露的源极/漏极区上形成选择性硅生长材料层，以至少覆盖源极/漏极区的基底的顶角。接着，在选择性硅生长材料层上依序形成金属硅化物层和金属层以填满沟渠，从而形成多个源极/漏极线插塞。
非易失性存储器源极漏极线插塞及其制造方法

[发明专利]与非栅型非易失性存储器及其制造方法-CN200710103982.7无效
发明人：魏鸿基;毕嘉慧 -专利权人：力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种与非栅型非易失性存储器的制造方法，包括下列步骤。提供具有第一区与第二区的基底。第一区与第二区在第一方向上平行排列。在基底上依序形成介电层、第一导体层与栅间介电层后，在栅间介电层中形成在第二方向延伸的二开口，第二方向与第一方向交错。此两个开口只形成在第一区上。在基底上形成填满二开口的第二导体层。图案化第二导体层、栅间介电层、第一导体层与介电层，以形成多个堆叠栅极结构与其中具有开口的两个选择栅极结构。堆叠栅极结构与两个选择栅极结构在第二方向延伸，且跨过第一区与第二区。
非栅型非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]自行对准接触窗及其制造方法-CN200710004742.1有效
发明人：魏鸿基;毕嘉慧 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种自行对准接触窗的制造方法。此方法包括提供已形成有多个NAND型存储单元行的基底，NAND型存储单元行包括漏极区。接着，在基底上形成层间介电层，以覆盖NAND型存储单元行。再来，图案层间介电层，以形成多个开口，开口暴露出漏极区。继之，进行选择性硅成长工艺，以在开口所暴露的漏极区上形成材料层。之后，在材料层上形成金属层以填满开口。
自行对准接触及其制造方法

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