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[实用新型]用于应用电子教学用的演示教具-CN201820625938.6有效
发明人： 欧阳洪萍;郑逸;郑孝怡 -专利权人：衢州职业技术学院
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G09B5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及教学用教具，公开了一种用于应用电子教学用的演示教具，其包括操作台(2)，操作台(2)内设有容置槽(202)，容置槽(202)的两端开口处均插入有能够完全插入容置槽(202)内的上端开口的方形收纳盒(203)；还包括两根旋杆(206)，旋杆(206)伸入容置槽(202)的端部固定有能够将方形收纳盒(203)推出容置槽(202)的推杆(207)；操作台(2)的后端面上固定显示器(3)，显示器(3)的侧面设置有USB接口(302)和导线接口(303)。本实用新型提供了一种具有元器件收纳、教学演示功能的演示教具，其在应用电子教学时能够较好的存放元器件，不占用操作空间，根据需要在操作过程中通过显示器演示出教学操作方式，继而提高教学质量。
容置槽操作台演示教具应用电子教学用本实用新型收纳盒旋杆显示器推杆存放元器件固定显示器收纳操作过程操作空间侧面设置导线接口教学操作教学演示两端开口上端开口教具元器件教学伸入演示占用

[实用新型]一种小型具有自动升降功能的水果气动采摘杯-CN201820647531.3有效
发明人：祝怀志;叶乐;傅心洋;李东方;祝惠一;毛建辉;欧阳洪萍;李春燕;叶国江;沈璐鹏;刘柠;诸葛志豪;包慧婷 -专利权人：衢州职业技术学院
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： A01D46/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型具有自动升降功能的水果气动采摘杯，包括贴地板，所述贴地板下方设置有若干根抓地钉，并且贴地板上方居中焊接有主轴承，并且主轴承内壁中固定焊接有竖直转轴，所述竖直转轴上端固定焊接有凹型钢块，并且凹型钢块内壁两侧均固定焊接有副阻尼轴承，所述副阻尼轴承内壁固定焊接水平转轴的端部，所述水平转轴居中焊接有电动伸缩杆，并且电动伸缩杆的上端右侧通过水平杆连接有气压剪，并且气压剪的右侧设置有水果套环，所述水果套环的下方设置有盛放杯，并且盛放杯左侧固定焊接有主斜杆，所述主斜杆通过销轴与水平杆铰接，并且主斜杆的一端与水平拉杆左端固定焊接。
固定焊接斜杆焊接水果电动伸缩杆地板凹型钢块竖直转轴水平转轴自动升降阻尼轴承盛放杯水平杆内壁套环气压采摘本实用新型内壁两侧上端固定水平拉杆主轴承抓地钉上端铰接销轴左端轴承

[发明专利]潜孔钻机推进压力自适应液压控制回路-CN201710499689.0在审
发明人：祝惠一;欧阳洪萍 -专利权人：衢州职业技术学院
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： F15B11/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种潜孔钻机推进压力自适应液压控制回路，包括推进油缸和回转马达，推进油缸的有杆腔上连接设有第一油路、无杆腔上连接设有第二油路；回转马达的两个油口上分别连接设有第三油路和第四油路；还包括控制回路，控制回路包括第一控制油路和第二控制油路；第一控制油路上设有压力自适应控制阀，压力自适应控制阀的出油端与单向先导式减压阀的控制油口相连，压力自适应控制阀的进油端与第一油路相连；第二控制油路上设有梭阀，梭阀的出油口与第一溢流阀的控制油口相连；压力自适应控制阀的一端设有第一控制油口、另一端设有第二控制油口和弹簧，第一控制油口与第二控制油路相连，第二控制油口与压力自适应控制阀的进油端相连。
钻机推进压力自适应液压控制回路

[发明专利]大面积金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面的制备方法-CN201110441637.0有效
发明人：王立;王仲平;欧阳洪萍;宋新;刘小青 -专利权人：南昌大学
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：大面积金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面的制备方法，其制备方法步骤如下：1、二氧化钛表面在超高真空中除气处理，2、热处理得到具有高密度氧缺陷的二氧化钛(110)(1×2)表面；3、热处理过程中通入氧气填补二氧化钛(110)(1×2)表面的氧缺陷从而得到大面积的二氧化钛(110)(1×1)表面。本发明的优点：1、能够得到大面积的金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面，尺寸范围：30nm×30nm~70nm×70nm；2、制备程序更加简便，大大缩短了二氧化钛(110)(1×1)表面的制备时间；3、由于制备程序简便，大大延长了二氧化钛单晶的使用寿命。
大面积金红石氧化 110 表面制备方法

[发明专利]单原子厚度纳米硅带的制备方法-CN201110075576.0无效
发明人：王立;刘小青;张学富;欧阳洪萍;陈烽;孔惠慧 -专利权人：南昌大学
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：一种单原子厚度纳米硅带的制备方法，方法步骤为：第一步，进行除气处理；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀的分布在硅样品的表面；第五步，将样品升温至500摄氏度，放置15分钟将温度降下来，在升高温度，将温度增加50摄氏度，重复该过程，直到使银原子全部脱吸附掉，从而实现单原子厚度硅纳米带的制备。本发明的技术效果是：其一，首次制备出了大面积单原子厚度硅纳米带；其二，所需设备简单，易于产业化。
原子厚度纳米制备方法

[发明专利]制备低缺陷大面积硅(100)- 2x1重构表面的方法-CN201110030510.X无效
发明人：王立;张学富;欧阳洪萍;陈烽;孔惠慧;陈秀 -专利权人：南昌大学
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：一种制备低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的方法，其特征是方法步骤为：第一步，通过直流电源对硅（100）样品实现击穿；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀分布在Si样品的表面；第五步，将样品迅速升温至1200摄氏度，使银原子全部脱吸附掉，从而实现低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的制备。本发明的技术效果是：1、在制备硅(100)-2x1重构表面时，采用阶梯式的升温清洁的方法，避免了升温过快导致的样品断裂的问题；2、利用高温促使吸附在硅表面的银原子脱吸附过程，极大地降低了硅(100)-2x1重构表面的缺陷。
制备缺陷大面积 100 x1 表面方法