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[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202211630610.0在审
发明人：斋藤雄太;森伸二;山下博幸;永嶋贤史;松尾和展;高桥恒太;樫山翔太;泽敬一;金山纯一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：实施方式提供一种能提高特性的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，包含硅(Si)；第1绝缘层，设置在半导体层的第1方向；第2绝缘层，在与第1方向垂直的第1剖面中，由半导体层包围，包含硅(Si)及氧(O)；第3绝缘层，在第1剖面中由第2绝缘层包围，包含金属元素及氧(O)；及导电层，在与第1方向垂直的第2剖面中，由第1绝缘层包围，设置在第3绝缘层的第1方向，与半导体层分开。
半导体装置存储

[发明专利]半导体存储装置-CN201910085556.8有效
发明人：山下博幸;森伸二;泽敬一;松尾和展;松田和久;斋藤雄太;高桥笃史;田中正幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：实施方式提供一种可靠性提高了的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体层；栅极电极；第1绝缘层，设置于半导体层与栅极电极之间；第2绝缘层，设置于第1绝缘层与栅极电极之间；区域，设置于第1绝缘层与第2绝缘层之间，且包含金属或半导体；以及覆盖层，包围区域，且包含硅以及氮。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202010884727.6有效
发明人：斋藤雄太;森伸二;细谷启司;萩岛大辅;高桥笃史 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置包含：第1半导体层、分别与第1半导体层相接的第1及第2绝缘层、与第1绝缘层相接的第2半导体层、与第2绝缘层相接的第3半导体层、第1导电体、与第1导电体相接的第3绝缘层、设置在第2半导体层与第3绝缘层之间的第4绝缘层、设置在第2半导体层与第4绝缘层之间的第1电荷储存层、以及设置在第2半导体层与第1电荷储存层之间且与第2半导体层及第1电荷储存层相接的第5绝缘层。第2半导体层的一部分、第1导电体的一部分、第3绝缘层的一部分、第4绝缘层、第1电荷储存层、及第5绝缘层作为第1存储单元发挥功能。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法-CN202210077247.8在审
发明人：石丸友纪;森伸二;松尾和展;泽敬一;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一氧化物半导体层，其设置于第一电极与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素，第一金属元素为选自由Ga、Mg及Mn构成的组中的至少一种金属元素；第二氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素；第三氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之间，包含In、Zn及第二金属元素，第二金属元素为选自由Al、Hf、La、Sn、Ta、Ti、W、Y及Zr构成的组中的至少一种金属元素；栅极电极，其与第三氧化物半导体层相向；以及栅极绝缘层，其设置于第三氧化物半导体层与栅极电极之间。
半导体装置存储制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210087631.6在审
发明人：斋藤雄太;森伸二;山下博幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供半导体装置的制造方法，其中，将半导体层在低温下氧化从而形成厚的氧化膜。本发明的实施方式的半导体装置的制造方法，在包含硅(Si)的半导体层之上形成包含金属元素和氧(O)且具有第1厚度的第1膜，利用自由基氧化在半导体层与第1膜之间形成包含硅(Si)和氧(O)且具有比第1厚度厚的第2厚度的第2膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202110928778.9在审
发明人：福田夏树;楢崎亮太;来栖贵史;神谷优太;松尾和展;森伸二;本田彰司;落合隆文;山下博幸;金山纯一;黄河;斋藤雄太;高桥恒太;石丸友纪;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：实施方式提供能够实现高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1导电层，在第1方向上延伸；第2导电层，在第1方向上延伸，在第2方向上与第1导电层并排；第1绝缘层，设置于第1导电层与第2导电层之间；半导体层，在第2方向上延伸，在第3方向上与第1导电层、第2导电层以及第1绝缘层对置；第1电荷积蓄层，设置于第1导电层与半导体层之间；第2电荷积蓄层，设置于第2导电层与半导体层之间；第1高介电常数层，设置于第1导电层与第1电荷积蓄层之间；以及第2高介电常数层，设置于第2导电层与第2电荷积蓄层之间。第1电荷积蓄层中的至少一部分在第2方向上不隔着第2高介电常数层而与第2电荷积蓄层对置。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置-CN202110804572.5在审
发明人：戸田将也;高桥恒太;松尾和展;神谷优太;森伸二;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够适当地将包含金属元素的2个膜接近地配置的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备：积层膜，交替地包含多个电极层与多个绝缘层；电荷存储层，介隔第1绝缘膜设置在所述积层膜内；半导体层，介隔第2绝缘膜设置在所述电荷存储层内；以及第1部分，在所述电极层与所述绝缘层之间及所述电极层与所述第1绝缘膜之间，介隔第3绝缘膜设置在所述绝缘膜及所述第1绝缘膜的表面。所述第3绝缘膜包含第1金属元素及第1元素，所述第1部分包含第2元素及第3元素。所述电极层具备：第1电极层，包含第2金属元素，设置在所述第1部分侧；以及第2电极层，包含第3金属元素，设置在所述第1部分的相反侧；所述第2元素与所述第3元素的电负性之差大于所述第1金属元素与所述第1元素的电负性之差。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202010894858.2在审
发明人：石丸友纪;森伸二;松尾和展;泽敬一;侧濑聡文 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体存储装置。本发明的实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1金属区域，设置于第1电极与第2电极之间，且包含选自由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)、镁(Mg)、锰(Mn)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、及锡(Sn)所组成的群中的至少一种金属元素；第2金属区域，设置于第1金属区域与第2电极之间，且包含至少一种金属元素；半导体区域，设置于第1金属区域与第2金属区域之间，且包含至少一种金属元素及氧(O)；绝缘区域，设置于第1金属区域与第2金属区域之间，且被半导体区域包围；栅极电极，包围半导体区域；及栅极绝缘层，设置于半导体区域与栅极电极之间。
半导体装置存储

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN202010152295.X在审
发明人：斋藤雄太;森伸二;高桥笃史;柳瀬俊晃;泽敬一;松尾和展;山下博幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个导电层隔着绝缘层在第1方向上积层而成；半导体层，贯通所述积层体，在所述第1方向上延伸，且含有金属原子；及存储器膜，包含设置在所述积层体与所述半导体层之间的第1绝缘膜、电荷储存层及第2绝缘膜。所述半导体层包围将所述积层体贯通且在所述第1方向上延伸的第3绝缘膜，所述半导体层内的至少1个晶粒具有包围所述第3绝缘膜的形状。
半导体存储装置及其制造方法

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