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[发明专利]太阳能电池-CN201310029957.4无效
发明人：赖忠威;梁硕玮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池包含结晶硅基材、多个P型半导体材料层、多个N型半导体材料层、多个第一正极集电部、至少一第一电极总线部、多个第一负极集电部、多个第二正极集电部、至少一第二电极总线部、多个第二负极集电部与至少一第三电极总线部。太阳能电池通过第一正极集电部、第一电极总线部、第一负极集电部、第二电极总线部、第二正极集电部、第二电极总线部、第二负极集电部与第三电极总线部的排列方式组成多个电池次单元来提升其输出电压。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201210381952.3有效
发明人：陈芃;梁硕玮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括设于半导体基底第一表面的掺杂层、设于半导体基底第二表面的第一区的掺杂多晶硅层、设于半导体基底第二表面的第二区的掺杂区、以及覆盖掺杂多晶硅层与掺杂区表面的绝缘层。绝缘层暴露了部分掺杂多晶硅层与部分掺杂区，使掺杂多晶硅层与掺杂区经由绝缘层的开口分别连接于第一电极与第二电极。半导体基底与掺杂层具有第一掺杂类型，掺杂多晶硅层与掺杂区之其中一者具有第二掺杂类型，其中另一者则具有第一掺杂类型，且第二掺杂类型相反于第一掺杂类型。本发明可以提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]太阳能电池-CN201110045950.2有效
发明人：胡雁程;陈芃;梁硕玮;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池，其包括半导体基底、掺杂层、量子阱层、第一钝化层、第二钝化层、第一电极以及第二电极。半导体基底具有前表面以及后表面，且半导体基底的前表面为纳米柱。掺杂层覆盖在纳米柱的表面。电极层覆盖掺杂层。量子阱层位于半导体基底上，量子阱层具有至少一第一掺杂区以及至少一第二掺杂区，其中量子阱层包括多晶硅化锗(Si1-xGex)。第一钝化层覆盖量子阱层的第一掺杂区。第二钝化层覆盖量子阱层的第二掺杂区。第一电极以及第二电极分别与量子阱层的第一掺杂区以及第二掺杂区电性连接。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201010535766.1有效
发明人：刘致为;何伟硕;陈彦瑜;古峻源;吴振诚;梁硕玮;陈人杰;赖忠威;陈宗保 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面，且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层设置于结晶半导体基底的第一表面，其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式，且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层设置于第一结晶半导体层上，且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层设置于非晶半导体层上。第二金属电极层设置于结晶半导体基底的第二表面。本发明的太阳能电池可提升太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]图案化的方法以及用于图案化的堆叠结构-CN200910139945.0有效
发明人：赖识翔;苏国辉;王敏吉;梁硕玮;姜信铨 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-07-15 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化的方法以及用于图案化的堆叠结构。图案化的方法包括在基板上提供待图案化的薄膜，接着，在薄膜上形成覆盖层。覆盖层的材料与薄膜的材料相异。之后，以高能光束熔损覆盖层与薄膜，以形成图案化的覆盖层与图案化的薄膜。其后，选择性移除图案化的覆盖层。
图案方法以及用于堆叠结构

[发明专利]太阳电池-CN201010197017.2有效
发明人：刘致为;何伟硕;陈彦瑜;古峻源;陈建任;林汉涂;梁硕玮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳电池，其包括第一型掺杂单晶硅基板、本征非晶硅层、第二型掺杂非晶硅层、第一型掺杂结晶含锗层以及一对电极。第一型掺杂单晶硅基板具有正面以及背面。本征非晶硅层配置于正面上。第二型掺杂非晶硅层配置于本征非晶硅层上。第一型掺杂结晶含锗层配置于背面。电极与第二型掺杂非晶硅层以及第一型掺杂结晶含锗层电性连接。
太阳电池

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN200810136065.3有效
发明人：罗方祯;梁硕玮;姜信铨;陈兆南;余锦智 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法。首先，在基板上形成栅极。然后，在基板上形成栅绝缘层，以覆盖栅极。接着，在栅绝缘层上形成金属氧化物材料层。而后，在金属氧化物材料层上形成光致抗蚀剂层，其中栅极上方的光致抗蚀剂层的厚度大于栅极两侧上方的光致抗蚀剂层的厚度。随后，以光致抗蚀剂层为掩模，移除部份金属氧化物材料层，以形成金属氧化物有源层。然后，移除栅极两侧上方的光致抗蚀剂层，使留下来的光致抗蚀剂层覆盖部分金属氧化物有源层。而后，在覆盖有光致抗蚀剂层的金属氧化物有源层上形成源极与漏极。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]蚀刻液以及使用此蚀刻液的图案化导电层的制造方法-CN200610151609.4有效
发明人：刘思呈;杨承慈;吴健为;梁硕玮 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2006-09-07 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：一种蚀刻液，可用以蚀刻含铜的复层结构。此蚀刻液是以过醋酸为蚀刻的主成分。蚀刻液中还包括过醋酸稳定剂、有机酸、无机酸、盐类以及水。过醋酸的含量为蚀刻液总重量的5至40wt％。过醋酸稳定剂的含量为5至15wt％。有机酸的含量为5至10wt％。无机酸的含量为5至15wt％。盐类的含量为8至15wt％。
蚀刻以及使用图案导电制造方法

[发明专利]湿法制作金属导线的方法-CN200610151732.6无效
发明人：吴健为;梁硕玮;陈琬琪;杨承慈;刘思呈;陈柏求;王敏全;官永佳 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种湿法制作金属导线的方法，此方法是先在绝缘基板上形成催化黏合层，然后，以无电电镀方式沉积第一金属层，再使用电镀或无电电镀方式沉积第二金属层。之后，再图案化第二金属层与第一金属层，以形成导线。
湿法制作金属导线方法

[发明专利]具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法-CN200610092278.1无效
发明人：吴健为;梁硕玮;陈琬琪;杨承慈;刘思呈;王敏全;官永佳 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法，利用至少一铜合金层及一铜金属层来组成多层金属结构的栅极，在热处理后，可以改善晶格接口间的原子排列，及原子间的键结(即提升附着度)，并降低阻值，抑制铜离子扩散，使薄膜晶体管电性传导效率更好。此外，将多层金属薄层图形化时，仅需要单层铜蚀刻液，以简化导线的图形化工艺，且在结构上仅使用铜合金的薄层，更可降低制作薄膜晶体管的成本。
导线结构薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]防止金属层扩散的TFT电极结构与其制程-CN200410062692.9有效
发明人：陈政忠;孙裕昌;黄怡硕;吴健为;梁硕玮;陈嘉祥;李启圣;许财源;李宇琦;朱德铭;陈正兴 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明为一种防止金属层扩散的TFT电极结构与其制程，用以防止于薄膜晶体管(TFT)的金属层制作时会扩散至邻近的绝缘层，即于制程中降低金属离子污染化学气相沉积制程(CVD)的风险，其中以一画素透明电极接续栅极金属层之后制作，可一方面作为该金属离子的阻障层(barrier)来避免金属离子高温扩散至绝缘层甚至主动层；另一方面，该画素透明电极的制作以物理气相沉积(PVD)方法，其机台可于低温镀膜、对环境的敏感度较小，且画素透明电极本身为导电层，可避免金属离子的影响，以改善TFT元件制程的漏电现象(leakage)与不良导电的情形。
防止金属扩散 tft 电极结构与其

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