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[发明专利]一种基于多智能体强化学习的动态任务卸载方法-CN202310887232.2在审
发明人：石文孝;石玮楠;刘思呈;张佳栋 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于多智能体强化学习的动态任务卸载方法，包括如下步骤：步骤一、建立动态动态移动边缘计算网络模型；步骤二、建立本地计算模型和部分卸载计算模型；步骤三、构建以最小化卸载成本为目标的优化问题；步骤四、建立多智能体深度延时确定性策略梯度模型；步骤五、模型的训练以及优化问题的求解；本方法考虑了移动设备的时延和能耗，将动态卸载和资源分配问题被转化为最小化平均加权成本问题，所设计的模型采用中心化训练、分布式执行的架构，在任务卸载的约束条件下，通过探索和训练不断优化卸载策略，实现移动设备长期平均加权成本的最小化。
一种基于智能强化学习动态任务卸载方法

[实用新型]一种半挂车主动式牵引座防车身侧滑系统-CN202320839966.9有效
发明人： 刘思呈;温溪博;姚景译;刘伟 -专利权人：炬盈科技发展（沈阳）有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B60D1/24 文献下载
摘要：本实用新型属于半挂车零部件技术领域，具体地说是一种半挂车主动式牵引座防车身侧滑系统，包括设有限位轴部的牵引挂销、阻挡块以及两组锁止组件，限位轴部的外周面上设有限位齿形面A，每组锁止组件均包括推杆、锁止块连接杆、弹簧及锁止块，锁止块上均设有与限位轴部的限位齿形面A相契合的限位齿形面B。本实用新型通过设有限位轴部的牵引挂销、阻挡块以及两组锁止组件的配合设置，可在牵引车与半挂车厢之间形成夹角时，通过控制对应的推杆动作，使锁止块卡住限位轴部，此时牵引挂销与牵引座形成固定角，从而实现能主动地对牵引车与半挂车之间的角度进行控制锁定的作用，进而防止车体发生对折、甩尾、侧滑等交通事故。
一种半挂车主动牵引车身系统

[发明专利]一种大电网低周减载的优先度整定方法-CN202210779070.6在审
发明人：曾丕江;杨明亮;张丹;黄伟;石立宝;刘思呈 -专利权人：云南电网有限责任公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H02J3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种大电网低周减载的优先度整定方法，包括如下步骤：得到待切负荷对各个特定故障下功率缺额的贡献度；基于功率缺额的大小以及故障发生的概率确定可切负荷减载的优先度；根据电网自身的有功‑频率调节效应以及低周减载过程中各轮次的延时要求求取减载容量和减载对象的近似解；根据低周减载动作后稳态频率的约束条件求取精确解；不断重复以上两步骤以完成对各个轮次的整定，直至故障集中的所有故障均参与过整定为止；本发明提出的大电网低周减载的优先度整定方法具有良好的可行性、有效性、动态频率特性和静态频率特性。
一种电网低周减载优先度整定方法

[发明专利]一种面向分层联邦边缘学习的模型训练节点选择方法-CN202111612764.2在审
发明人：石文孝;刘思呈;张佳栋;李娇;张睿冬;欧阳敏;刘安琪 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种面向分层联邦边缘学习的模型训练节点选择方法，云端服务器向信誉区块链提出训练所需的信誉阈值等条件，信誉区块链选择符合条件的边缘服务器及终端设备并将选择结果传输到云端服务器；根据选择结果进行模型训练，云端服务器及边缘服务器分别对边缘模型及局部模型进行质量评估并剔除不可靠边缘服务器和终端设备；对历史信誉及通过模型训练获得的信誉加权计算得到最新信誉，并更新到联盟区块链。本方法通过引入信誉、时延及能耗三种指标以协同增强模型训练的可靠性，通过设计一种历史信誉与当前信誉加权更新的计算方法以提高分层联邦边缘学习系统对终端设备及边缘服务器信誉评估的准确性。
一种面向分层联邦边缘学习模型训练节点选择方法

[发明专利]氟喹诺酮降解酶分子改造方法-CN201910870599.7在审
发明人：孙世军;刘思呈;崔朋;丁一凡 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C12N9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氟喹诺酮降解酶的分子改造方法，属于氟喹诺酮降解酶技术领域。该方法将降解酶与目标氟喹诺酮分子进行分子对接，确定降解酶与目标氟喹诺酮分子直接相互作用的关键氨基酸残基；将关键氨基酸残基中的至少一个疏水性氨基酸残基取代为亲水性氨基酸残基；将取代后的降解酶氨基酸序列与模板降解酶蛋白分子提交到SWISS‑MODEL服务器，选用同源建模方法获得新型降解酶结构。本发明操作简便、计算快速、容易实现，不仅可以理论验证降解酶分子改造的可行性，而且可以更加深入探究其降解机理，此外，本发明提供的氟喹诺酮降解酶分子改造方法研发周期短、成本低，可以节省大量的人力、物力和财力，为设计氟喹诺酮高效降解酶提供了全新的思路。
降解酶氟喹诺酮分子改造关键氨基酸残基亲水性氨基酸残基疏水性氨基酸残基氨基酸序列蛋白分子高效降解理论验证建模降解研发同源服务器

[发明专利]一种薄膜电晶体场效应管及其制造方法-CN201310726226.5有效
发明人： 刘思呈 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜电晶体场效应管及其制造方法。该场效应管包括衬底；栅电极、源电极和漏电极；以及氧化物半导体层；其中，所述氧化物半导体层包括分别与所述源电极和漏电极电接触的源区和漏区，和用以提供源电极和漏电极之间导电沟道的沟道区，其中，在所述氧化物半导体层与用于电接触栅电极的栅区之间设置栅电极绝缘层，以及在氧化物半导体层上设置氧化物半导体保护层。采用本发明可避免半导体氧化物层在器件制备过程中受到损伤，从而提高了器件的导电特性和结构完整性。
一种薄膜电晶体场效应及其制造方法

[发明专利]一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置及其制造方法-CN201310753193.3在审
发明人： 刘思呈 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置，包括：衬底以及衬底上形成的基底绝缘层；栅电极、源电极和漏电极，其中，栅电极设在基底绝缘层上，在栅电极与源电极和漏电极之间形成栅电极绝缘层，氧化物半导体层，其中，所述氧化物半导体层包括源区和漏区，和用以提供源电极和漏电极之间导电沟道的沟道区；钝化层，其设在部分栅电极绝缘层、源电极、漏电极以及氧化物半导体层上；遮光层，其设在所述钝化层上用以遮挡外界光射到所述氧化物半导体层；包括第一电极和第二电极的有机发光体，其中所述第一电极的一部分穿过所述钝化层与所述源电极或者漏电极电连接。采用本发明可提高元件的导电性能和稳定性。
一种具有氧化物薄膜电晶体发光装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201210253439.6有效
发明人：梁育馨;林暐翔;朱书纬;萧祥志;刘景洋;刘思呈;黄志杰 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制造方法。在基板上形成栅极。在栅极上方或下方形成源极与漏极。形成第一绝缘层，以覆盖源极与漏极。在源极与漏极之间形成半导体层。图案化第一绝缘层，以至少覆盖漏极。在图案化第一绝缘层上形成第二绝缘层。对第二绝缘层进行蚀刻制作工艺，以形成暴露出图案化第一绝缘层且位于漏极上方的第二开口，其中第二绝缘层/图案化第一绝缘层的蚀刻选择比大于1。经由第二开口，对图案化第一绝缘层进行湿式蚀刻制作工艺，以形成与第二开口连通且暴露出漏极的第一开口。形成经由第一开口及第二开口与漏极电连接的像素电极。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]像素结构及电性桥接结构-CN201110183177.6有效
发明人：刘景洋;林*翔;朱书纬;萧祥志;黄志杰;刘思呈;梁育馨 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开一种像素结构及电性桥接结构，包括一薄膜晶体管元件、一绝缘层位于薄膜晶体管元件之上，以及一像素电极位于绝缘层上。薄膜晶体管元件包括一浮置导电垫位于一半导体层的一侧，并与一源/漏极电极电性连接。绝缘层具有一第一接触洞，部分暴露出浮置导电垫。像素电极经第一接触洞与浮置导电垫电性连接。
像素结构电性桥接

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN200710167139.5有效
发明人： 刘思呈;杨承慈;吴健为 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法。此方法为在基材上形成栅极、介电层、沟道层与欧姆接触层。然后，在基材上形成覆盖欧姆接触层的金属层，接着利用湿法蚀刻工艺同时蚀刻金属层与欧姆接触层，以形成源极与漏极并露出沟道层。由于使用湿法蚀刻工艺去除欧姆接触层，这种方法可避免伤害沟道层表面，并因此提升元件的可靠度。再者，这种方法因为同时蚀刻金属层和欧姆接触层，缩短整体工艺时间，可提升薄膜晶体管的产率。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]蚀刻液以及使用此蚀刻液的图案化导电层的制造方法-CN200610151609.4有效
发明人： 刘思呈;杨承慈;吴健为;梁硕玮 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2006-09-07 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：一种蚀刻液，可用以蚀刻含铜的复层结构。此蚀刻液是以过醋酸为蚀刻的主成分。蚀刻液中还包括过醋酸稳定剂、有机酸、无机酸、盐类以及水。过醋酸的含量为蚀刻液总重量的5至40wt％。过醋酸稳定剂的含量为5至15wt％。有机酸的含量为5至10wt％。无机酸的含量为5至15wt％。盐类的含量为8至15wt％。
蚀刻以及使用图案导电制造方法

[发明专利]湿法制作金属导线的方法-CN200610151732.6无效
发明人：吴健为;梁硕玮;陈琬琪;杨承慈;刘思呈;陈柏求;王敏全;官永佳 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种湿法制作金属导线的方法，此方法是先在绝缘基板上形成催化黏合层，然后，以无电电镀方式沉积第一金属层，再使用电镀或无电电镀方式沉积第二金属层。之后，再图案化第二金属层与第一金属层，以形成导线。
湿法制作金属导线方法

[发明专利]具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法-CN200610092278.1无效
发明人：吴健为;梁硕玮;陈琬琪;杨承慈;刘思呈;王敏全;官永佳 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法，利用至少一铜合金层及一铜金属层来组成多层金属结构的栅极，在热处理后，可以改善晶格接口间的原子排列，及原子间的键结(即提升附着度)，并降低阻值，抑制铜离子扩散，使薄膜晶体管电性传导效率更好。此外，将多层金属薄层图形化时，仅需要单层铜蚀刻液，以简化导线的图形化工艺，且在结构上仅使用铜合金的薄层，更可降低制作薄膜晶体管的成本。
导线结构薄膜晶体管及其制造方法

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