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[发明专利]镀膜设备-CN202110022234.6在审
发明人：陈冠州;王庆钧;黄智勇;梁沐旺;林义钧 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种镀膜设备，其包括腔体、进气装置、气环、载盘以及挡环。腔体具有镀膜区与非镀膜区。进气装置连通于腔体，其中进气装置对应于镀膜区设置，且用以将制作工艺气体引入镀膜区。气环设置于腔体内，其中气环环绕进气装置，且用以在镀膜区内形成环形气幕。载盘设置于镀膜区内，其中气环位于进气装置与载盘之间，且载盘用以承载待镀物。待镀物被环形气幕围绕。挡环设置于腔体内，且环绕载盘。挡环位于气环与载盘之间，且沿着镀膜区与非镀膜区的交界处设置。挡环具有多个穿孔。
镀膜设备

[发明专利]等离子体产生装置及应用其的表面处理方法-CN201310704213.8在审
发明人：刘志宏;梁沐旺;吴胜斌;沈添沐 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体产生装置、应用其的表面处理方法与生物组织表面处理方法。该等离子体产生装置包括：等离子体导管、反应源导管、第一电极及第二电极。等离子体导管具有等离子体出口。反应源导管设于等离子体导管内，且具有反应物出口。第一电极及第二电极设于等离子体导管上，其中第二电极比第一电极邻近于等离子体出口。反应源导管的反应物出口不突出超过第一电极的下缘。
等离子体产生装置应用表面处理方法

[发明专利]基板与掩模贴合夹持装置-CN201210537468.5在审
发明人：杜陈忠;梁沐旺;江源远 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板与掩模贴合夹持装置，包括推动组件、上部夹爪机构及下部夹爪机构。上部夹爪机构包括第一斜面、摆动件、第二斜面及滑动面。下部夹爪机构包括下部夹爪固定座及夹爪。夹爪可动地装设于下部夹爪固定座。在推动组件沿第一方向运动的过程中，推动组件与第一斜面相对运动而带动上部夹爪机构沿第二方向运动，且推动组件带动第二斜面与摆动件进行相对运动，进而使摆动件带动夹爪沿与第一方向反向的第三方向运动，且推动组件带动滑动面与下部夹爪机构产生相对运动，进而带动夹爪沿第四方向运动。
贴合夹持装置

[发明专利]传动机构及应用该传动机构的镀膜装置-CN201110100180.7无效
发明人：杜陈忠;江铭通;梁沐旺;陈冠州;沈添沐;何荣振 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明公开一种传动机构及应用其的镀膜装置，镀膜装置包含腔室提供活性物种，在腔室内对称设有多个传动机构，传动机构包括转轴、传动轮、多个滑件、第一弹性件、第二弹性件及封套元件，转轴具有锥形轴向端部，传动轮具有轴孔，转轴的锥形轴向端部同轴穿设于轴孔，多个滑件以传动轮轴心为中心沿传动轮径向放射状设置于传动轮，第一弹性件套设于多个滑件外，第二弹性件相对于该第一弹性件往该第一轴向端部的方向而套设于传动轮外，封套元件具有开口；传动轮往复移动时，可驱动滑件沿传动轮径向滑移，进而改变第一弹性件外径尺寸，使封套元件开口形成开放或封闭状态。
传动机构应用镀膜装置

[发明专利]等离子体工艺视窗元件与等离子体设备的工艺观测装置-CN201010582664.5无效
发明人：杜陈忠;梁沐旺;林冠宇;魏大钦 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体制作工艺视窗元件与等离子体设备的制作工艺观测装置。等离子体设备的制作工艺观测装置包括视窗元件与视窗玻璃。视窗元件包括第一基材部分、第二基材部分以及连接部分。第一基材部分具有第一通孔。第二基材部分具有第二通孔与第二通孔扩散空间。第二通孔扩散空间的截面积大于第二通孔的截面积。连接部分介于第一基材部分与第二基材部分之间。视窗元件设置在等离子体设备的反应腔体与视窗玻璃之间。第二通孔扩散空间邻近视窗玻璃。第一通孔邻近反应腔体。
等离子体工艺视窗元件设备观测装置

[发明专利]表面处理装置及其方法-CN201010221062.7无效
发明人：简荣祯;杨宏仁;张志振;林士钦;梁沐旺 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种表面处理装置及其方法，该表面处理装置包括有工艺腔体、传输腔体以及等离子体产生装置。该工艺腔体，其提供一沉积制作工艺。该传输腔体，其耦接于该工艺腔体的一侧，该传输腔体上开设有一开槽以提供容置该等离子体产生装置。该等离子体产生装置产生等离子体并将等离子体导引至该传输腔体内。利用该表面处理装置，本发明更提供一种表面处理方法，当一基板在该工艺腔体内完成沉积制作工艺之后，由该工艺腔体进入该传输腔体的过程中，使该等离子体产生装置产生等离子体以对该沉积层进行表面平坦化处理。
表面处理装置及其方法

[发明专利]微晶硅薄膜的沉积方法及等离子体辅助沉积的监控装置-CN200910261946.2有效
发明人：杜陈忠;李升亮;梁沐旺;黄振荣;张家豪 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：一种微晶硅薄膜的沉积方法，包括：以开回路方式进行等离子体辅助沉积；在该开回路未调变制作工艺参数的沉积制作工艺使薄膜结晶率达到稳定后，接续以闭回路调变制作工艺参数的方式进行等离子体辅助沉积，其中该闭回路方式为监控该等离子体中的SiH*和Hα活性物种，并调整该等离子体辅助沉积中的制作工艺参数，使该等离子体中的SiH*和Hα活性物种的成分浓度维持在稳定范围内，提高镀膜沉积速率。
微晶硅薄膜沉积方法等离子体辅助监控装置

[发明专利]提升靶材利用率的构造-CN200910253474.6无效
发明人：李侃峰;陈冠州;梁沐旺;黄建福 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种提升靶材利用率的构造，其主要由一磁性座与两个导磁件所组成。磁性座可相对于靶材往复位移，而两导磁件分别设置于紧邻磁性座往复位移的两极限位置之处。由此，当磁性座位移至接近导磁件时，会降低磁性座对靶材的表面磁场强度，以减缓靶材在两端所产生的轰击现象来提升靶材的利用率。
提升利用率构造

[发明专利]气体分布板及其装置-CN200910174059.1无效
发明人：简荣祯;刘俊岑;杨宏仁;沈添沐;梁沐旺 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种气体分布板，其提供至少两种气体通道。在一实施例中，该气体分布板具有一第一通道、至少一开设于该第一通道周围的第二通道以及一锥形开孔，该锥形开孔与该第一通道以及该第二通道相连通。在另一实施例中，该气体分布板，具有一贯通该分布板第一与第二表面的一第一通道、一与该分布板第一表面平行的第二通道以及开设于该第二表面而与该第二通道相连通的第三通道。该第一通道与该第三通道的一端具有一锥形开孔。此外，本发明更提供一种气体分布装置，其利用本发明的气体分布板以提供至少两种相互独立且可在进入反应腔室时相互混合。
气体分布及其装置

[发明专利]电容耦合式射频电浆源-CN200810187755.1有效
发明人：张志振;吴东权;罗展兴;吴庆辉;黄振荣;梁沐旺;张家豪 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容耦合式射频电浆源，其为一种大面积电容耦合式射频电浆源，其仅使用一射频电源供应器，而使射频功率以双端口的方式输入，并且每端口的输入阻抗可以个别调整，用以消除驻波效应，并达成电浆的均匀化。
电容耦合射频电浆源

[发明专利]阴极放电装置-CN200810184386.0有效
发明人：董福庆;沈添沐;何荣振;吴佩珊;陈家铭;陈冠州;简荣祯;梁沐旺 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明是提供一种阴极放电装置，其包括一阳极、一阴极以及多个阴极腔室。其中该阴极位于该阳极内，该阴极内部具有多个气体流道及至少一流道通孔，其中该多个气体流道经由该流道通孔相通；该多个阴极腔室位于该阴极内，每一该阴极腔室具有一腔室气体入口与一腔室气体出口，每一该阴极腔室经由该腔室气体入口与该气体流道相通。本发明可应用于太阳能电池等光电装置的大面积薄膜制程的中空阴极放电的电浆源装置，通过工作气体流道的稳压作用，电浆具有高均匀度与高解离度的特性，并可提高成膜速率，大幅提升太阳能电池等光电装置的制造技术、产品性能、产品的质量稳定性及质量可靠度，并显著降低生产成本，造福大众使用者。
阴极放电装置

[发明专利]真空设备的基座定位支撑装置-CN200810109809.2有效
发明人：杜陈忠;梁沐旺;吴庆辉;江铭通 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：一种应用于真空设备腔体内升降承载基板的基座定位支撑装置，利用一侧向定位支撑机构自基座侧面进行夹持定位，可以避免基座在真空设备腔体内的位置偏斜情形，该侧向定位支撑机构并与基座形成简支梁支撑结构，以改善大面积基座边缘的荷重悬垂变形，使大面积基板置于基座上得以进行维持平坦性与或调整水平性的效益，于大面积基板镀膜应用时，可以显著提升大面积基板薄膜沉积厚度的均匀性。
真空设备基座定位支撑装置

[发明专利]等离子体辅助薄膜沉积系统与方法-CN200710181613.X有效
发明人：杜陈忠;黄振荣;梁沐旺;张志振;李升亮;吴庆辉;罗展兴 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C16/515 文献下载
摘要：一种等离子体辅助薄膜沉积系统与方法，该系统主要由一等离子体薄膜沉积装置以及一等离子体工艺监控装置构成，该等离子体薄膜沉积装置可供输入脉冲电源与工艺反应气体，由脉冲电源与工艺反应气体作用产生等离子体放电解离工艺反应气体成活性物种，以进行薄膜沉积工艺；该等离子体工艺监控装置包括一等离子体成分光学放射光谱仪以及一脉冲等离子体调变程序装置，由该等离子体成分光学放射光谱仪侦测等离子体成分中活性物种的光谱强度值，再经由脉冲等离子体调变程序装置计算活性物种间的光谱强度比值，据以调变适当的脉冲电源等离子体作用时间及功率，可在微晶硅沉积的范围内获得高沉积速率，并实时掌控最佳薄膜沉积质量。
等离子体辅助薄膜沉积系统方法

[实用新型]顺应式压紧装置-CN03280097.5无效
发明人：杜陈忠;蒋邦民;黄振荣;梁沐旺;翁义兆 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： C25D5/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压紧装置，主要是由一导柱、一底座、一壳体、一固定座、一环形部及一压板所构成。其中，底座具有一圆柱及至少一个定位销及一凸点，环形部的中央具有一孔洞及多个定位孔，而导柱位于圆柱的上方，并且导柱及圆柱是配置于壳体之内，而壳体的顶部具有一开口，并使导柱穿过开口。本实用新型的壳体与底座为结合状态，并且壳体穿过环形部中央的孔洞，壳体是置于固定座中央的孔洞，两者俱有一平边且互相嵌合，可以避免壳体旋转，再将导柱与固定座结合，并使定位销及定位孔互相对应，之后，再将压板与环形部结合，因此，可利用外部供气装置，使壳体沿着导柱上下移动，通过底座的凸点压迫压板，以施力于被镀物。
顺应压紧装置

[发明专利]低温液相沉积法以及液相沉积设备的清理方法-CN03100475.X有效
发明人：张翼;梁沐旺;江世明;曾志远;蒋邦民 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2003-01-15 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种液相沉积方法，用以在具有至少一个预先制造完成、有独立电路功能的半导体组件样本表面上，形成一层低温生长薄膜或极好逐步覆盖性薄膜。本发明还揭露一种液相沉积设备的清理方法，其特征在于使用一循环系统供该设备清洗用，以避免二氧化硅粉末在该设备管路中残留而造成堵塞。
低温沉积以及设备清理方法

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