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[发明专利]离子束辅助沉积铂－碳混合膜的工艺方法-CN200710046884.4无效
发明人：江炳尧;冯涛;王曦;柳襄怀 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂－碳混合膜，即在溅射沉积铂－碳混合膜的同时，由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点，通过调节辅助轰击氩离和剂量，精确控制铂－碳混合膜的铂/碳成份比。本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现，工艺简单、成本低，特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。
离子束辅助沉积混合工艺方法

[发明专利]提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法-CN200510111620.3无效
发明人：冯涛;王曦;戴丽娟;蒋军;柳襄怀 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高印刷法制备的碳纳米管(CNT)薄膜阴极的场致电子发射性能的处理方法，通过二次热处理工艺与表面提拉工艺，除去CNT薄膜中所含的杂质，在CNT与衬底间形成良好的机械接触和电接触，并使表面CNT垂直于衬底表面，从而使CNT薄膜的场致电子发射性能得到显著改善，即使电子发射的阈值场强降低了2倍多，发射电流密度提高25～30倍左右，电子发射的点密度提高3个数量级以上且均匀性明显提高。
提高印刷法制纳米薄膜致电发射性能方法

[发明专利]一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法-CN200410017788.3无效
发明人：于伟东;王曦;张继华;张福民;柳襄怀 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-04-21 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法。特征在于通过对碳纳米管薄膜的衬底进行离子束处理，在衬底表面形成微米级的坑洞，经过后续处理，生长出具有微孔或微束特征的碳纳米管膜。通过增加碳纳米管膜中边缘比例和降低碳纳米管膜整体密度来提高场增强效果，从而改善碳纳米管薄膜的电子场发射性能。为形成碳纳米管孔洞，在离子注入后的硅片表面直接沉积催化金属层；为形成碳纳米管束，注入后在硅片表面沉积牺牲层，再然后进行退火，硅片表面形成凹坑，然后沉积催化金属层。化学腐蚀去掉牺牲层后，形成了分割的，彼此独立的小面积金属薄膜；碳纳米管膜的生长采用低频射频等离子体增强CVD方法。本方法与一般的微电子加工工艺相兼容，特别适合场发射平板显示器的单个像素点的电子场发射性能的改善。
一种离子注入提高纳米薄膜电子发射性能方法

[发明专利]场发射显示器件的高真空封装方法-CN200310122881.6无效
发明人：冯涛;张继华;王曦;柳襄怀;李琼 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2003-12-30 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： H01J9/26 文献下载
摘要：本发明涉及了一种场发射显示器件的高真空封装方法，属于场发射显示器领域。该封装方法包括密封玻璃放置步骤、场发射显示器件装配步骤、抽真空步骤、加热封边步骤、冷却步骤，其中场发射显示器件抽真空与加热封边是在真空室中一次完成的。本发明的方法与传统的场发射显示器件封装方法相比，其特点在于：(1)省去了与器件相连接的抽气管道，使抽真空系统与真空室直接匹配，大大提高了抽真空速度和效率；(2)大大简化了器件的封装程序，降低了生产成本；(3)在高温下抽真空(300℃以上)，有助于阴阳极玻璃面板内表面吸附的水分充分排出器件内部空间，使封接后的器件真空度更高、更稳定；(4)由于不需要留排气口，封装后的器件更加美观。
发射显示器件真空封装方法

[发明专利]一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法-CN01132287.X无效
发明人：冯涛;王曦;柳襄怀;李琼 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2001-11-23 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法，属于场发射显示器领域。其特点是移植法制备的CNT薄膜阴极采用热处理工艺与等离子体积表面处理工艺；而直接生长法制备的CNT薄膜阴极仅采用等离子体表面处理工艺，等离子体表面处理的工艺参数是功率密度0.1-3W/cm³，处理时间5-60分钟，采用H₂或含氢的化合物，经本发明提供的方法处理，可使CNT薄膜的电流密度提高3倍，阈值强度降低3倍多，电子发射点密度可提高3个数量级以上且均匀性明显提高，对移植法生长的薄膜阴极通过二种处理工艺有机结合，全面提高CNT薄膜阴极的场发射性能。
一种提高纳米薄膜致电发射性能方法

[发明专利]鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置-CN03129171.6无效
发明人：于伟东;张继华;王曦;张福民;柳襄怀 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2003-06-11 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置。所述鳞状碳纳米管特征在于其外径15～50纳米，内径5～20纳米，长度10～100微米，鳞状实起长度100纳米，宽50纳米，由3～10层呈蜷曲状的多层石墨层片的实起。其制备包括中间层制备、过渡金属催化剂制备和碳纳米管生长三个过程，特征在于通过催化层的过渡金属膜，尤其是铁膜和中间层的晶格失配产生应力，使过渡金属膜破裂成纳米级颗粒。提供的专用装置包括真空系统、加热系统、配气系统、等离子体发生系统和薄膜生长系统，可一次完成包括样品清洗、预处理、中间层沉积、催化剂制备和碳纳米管的生长等工艺过程。制备的鳞状碳纳米管密度高、直径均匀、石墨化程度高，长度由反应时间控制。
鳞状碳纳米制备方法专用装置

[发明专利]改善人工心脏瓣叶材料血液相容性和使用安全性的方法-CN01139159.6无效
发明人： 柳襄怀;张峰;郑志宏;王向晖;李昌荣;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2001-12-21 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： A61F2/24 文献下载
摘要：一种改善人工心脏瓣叶血液相容性和使用安全性的方法,属于生物医用材料表面改性领域。其特征在于或用常规的离子注入或用等离子浸没式离子注入方法在热解碳制成的瓣叶中直接注入N+,其剂量为2×1016－8×1017/cm2,注入能量在30－160KeV,从而不仅使其血液相容性与常用的氧化钛涂层相当,而且由于不存在膜/基结合力问题,可提高临床使用的安全性。
改善人工心脏材料血液相容性使用安全性方法

[发明专利]以金属钛为界面层的非晶金刚石薄膜多层材料、制备方法及其用途-CN98122070.3无效
发明人： 柳襄怀;王曦;茅东升;郑志宏;杨石奇;李炜;李琼;徐静芳 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1998-12-04 - 公布日： 1999-09-01 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种以金属钛为界面层的非晶金刚石薄膜材料，是指在基体材料与非晶金刚石薄膜之间沉积一层金属钛而制备的多层材料。该材料或经热处理后，能使金属钛与非晶金刚石薄膜之间形成一层碳化钛过渡层，造成金属钛与非晶金刚石薄膜之间良好的接触，并降低了界面的势垒高度，同时使结合力得到增强，增加非晶金刚石薄膜的使用寿命，该多层材料可广泛地用作微电子及其平板显示器等新型功能器件的部件。
金属界面金刚石薄膜多层材料制备方法及其用途

[发明专利]离子束增强沉积合成氮化钛薄层的方法-CN90102976.9无效
发明人：郑志宏;王曦;周祖尧;杨根庆;柳襄怀;黄巍;邹世昌;杨碕 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1990-11-01 - 公布日： 1997-06-18 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明是一种用氙或氩或其它惰性气体离子束增强沉积合成氮化钛薄层的方法。属于用离子束对物件表面改性处理技术，本发明方法是将物件置于离子束增强沉积系统的靶室中，在电子束蒸发、沉积钛时，利用活性钛对通入靶室氮的吸附，用惰性气体离子束轰击沉积在物件表面的钛及其吸附的氮，以形成高质量氮化钛保护层，使用本方法形成的保护层与物件基体粘着力强、均匀、致密、稳定，提高了物件表面硬度，大大延长了物件使用寿命。
离子束增强沉积合成氮化薄层方法

[发明专利]热压成型钢模具表面的离子束处理方法-CN85105267.3无效
发明人： 柳襄怀;邹世昌 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1985-07-06 - 公布日： 1991-07-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明是热压成型钢模具表面离子束处理方法，属于用离子束对物件进行局部处理的工艺方法，将电真空、塑料、橡胶、玻璃等工业应用的热压成型钢制模具在室温和真空条件下溅射沉积一薄层氮化硅，在室温下用氮离子束轰击，从而形成与模具成一体的离子束温合保护层，提高了模具的抗高温氧化性能和耐磨性，延长了使用寿命，大大降低了生产成本。
热压成型模具表面离子束处理方法

[其他]热压成型钢模具表面的离子束处理方法-CN85105267无效
发明人： 柳襄怀;邹世昌 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1985-07-06 - 公布日： 1987-01-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明是热压成型钢模具表面离子束处理方法，属于用离子束对物件进行局部处理的工艺方法。将电真空、塑料、橡胶、玻璃等工业应用的热压成型钢制模具在室温和真空条件下溅射沉积一薄层氮化硅，在室温下用氮离子束轰击，从而形成与模具成一体的离子束混合保护层，提高了模具的抗高温氧化性能和耐磨性，延长了使用寿命，大大降低了生产成本。
热压成型模具表面离子束处理方法

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