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[发明专利]光提取效率得到提高的发光元件-CN201910659511.7有效
发明人：张锺敏;柳宗均;金多慧;金材宪;裵善敏;林栽熙 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开发光元件。发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，其中，所述发光结构体具有非极性或者半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或者半极性面，所述第二接触电极包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的导电性氧化物层以及位于所述导电性氧化物层上的反射电极层。
提取效率得到提高发光元件

[发明专利]具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件-CN201710456524.5有效
发明人： 柳宗均;朴炳奎;金彰渊;金材宪 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件。根据一实施例的发光二极管包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，其中，所述上部电极包括电极焊盘以及在所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置而配置成长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层的第一电极焊盘，所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。
具有电极结构垂直发光二极管以及封装

[发明专利]光提取效率得到提高的发光元件-CN201680010321.7有效
发明人：张锺敏;柳宗均;金多慧;金材宪;裵善敏;林栽熙 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开发光元件。发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，其中，所述发光结构体具有非极性或者半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或者半极性面，所述第二接触电极包括与所述第二导电型半导体层欧姆接触的导电性氧化物层以及位于所述导电性氧化物层上的反射电极层。
提取效率得到提高发光元件

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201410438102.1有效
发明人：朴柱勇;柳宗均;金彰渊 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：氮化镓系的化合物半导体层；第一金属层，由包含Mg的岛状物形成，并欧姆接触于所述化合物半导体层；第二金属层，由Ni形成，覆盖所述第一金属层，并在第一金属层的岛状物之间接触到化合物半导体层；反射金属层，覆盖第二金属层。可利用第一金属层及第二金属层来获得稳定的欧姆接触特性及反射特性。
第一金属层化合物半导体层第二金属层发光二极管岛状物欧姆接触特性反射金属层氮化镓系反射特性欧姆接触覆盖制造

[发明专利]发光二极管-CN201610286085.3有效
发明人：金多慧;李俊熙;柳宗均;金彰渊;林弘澈 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管(LED)。根据实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，包括与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的第一区域；第二绝缘层，覆盖半导体堆叠件，其中，基底包括包含W和Mo中的至少一种的第二金属层以及分别布置在第二金属层的第一表面和第二表面上的第三金属层，第三金属层的热膨胀系数比第二金属层的热膨胀系数高。
半导体堆叠件基底第二金属层绝缘层第一金属层电极延伸件发光二极管热膨胀系数第一电极接触区金属层焊盘第二表面第一表面第一区域欧姆接触覆盖源层延伸

[实用新型]具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件-CN201720708240.6有效
发明人： 柳宗均;朴炳奎;金彰渊;金材宪 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件。根据一实施例的发光二极管包括半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，其中，所述上部电极包括电极焊盘以及在所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置而配置成长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层的第一电极焊盘，所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。
具有电极结构垂直发光二极管以及封装

[发明专利]高效发光二极管-CN201510229202.8有效
发明人：金多慧;李俊熙;柳宗均;金彰渊;林弘澈 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。
高效发光二极管

[发明专利]高效发光二极管及其制造方法-CN201380010283.1有效
发明人：金彰渊;赵大成;南基范;金永郁;柳宗均;下山谦司;城市隆秀;栗原香 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：在此公开了一种高效发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：半导体堆叠结构，设置在支撑基底上，包括氮化镓基p型半导体层、氮化镓基活性层和氮化镓基n型半导体层；反射层，设置在支撑基底与半导体堆叠结构之间，其中，半导体堆叠结构包括具有截锥体形状的多个突起以及形成在突起的顶表面上的细锥体。通过这种构造，可提高具有低位错密度的半导体堆叠结构的光提取效率。
高效发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管-CN201180005026.X有效
发明人：金彰渊;李俊熙;柳宗均;林弘澈;金华睦 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-05-02 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例涉及一种发光二极管(LED)，该LED包括：基底；第一氮化物半导体层，布置在基底上；活性层，布置在第一氮化物半导体层上；第二氮化物半导体层，布置在活性层上；第三氮化物半导体层，布置在第一氮化物半导体层和活性层之间或者在第二氮化物半导体层和活性层之间，第三氮化物半导体层包括在第三氮化物半导体层内的多个散射元件；分布式布拉格反射器(DBR)，具有多层结构，所述基底布置在DBR和第三氮化物半导体层之间。
发光二极管

[发明专利]高效发光二极管-CN201110140245.0有效
发明人：金多慧;李俊熙;柳宗均;金彰渊;林弘澈 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。
高效发光二极管

[发明专利]利用激光剥离技术制造发光二极管的方法和激光剥离装置-CN201010003739.X有效
发明人：金彰渊;李俊熙;柳宗均;金华睦 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用激光剥离技术制造发光二极管的方法。所述方法包括以下步骤：在第一基板上生长外延层，所述外延层包括第一导电类型化合物半导体层、活性层和第二导电类型化合物半导体层；在高于室温的第一基板的第一温度，将与第一基板的热膨胀系数不同的第二基板结合到外延层；在高于室温但不高于第一温度的第一基板的第二温度，通过使激光束辐照通过第一基板，将第一基板与外延层分离。因而，在激光剥离过程中，可以容易地实现对激光束的聚焦，并且防止外延层破裂或折断。本发明还公开了一种包括加热器的激光剥离装置。
利用激光剥离技术制造发光二极管方法装置

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