“金永郁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电子装置及其控制方法-CN201980041076.X有效
发明人：崔智雄;崔贤秀;金玟寿;金圣晋;金永郁;金壹求;金泫翰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H04N21/439 文献下载
摘要：提供了一种电子装置。所述电子装置包括：存储器，其配置成存储计算机可执行指令；接口；显示器；以及处理器，其配置成通过执行所述计算机可执行指令，以控制所述显示器显示与通过所述接口输入的广播内容相对应的图像，基于通过分析输入信号检测到的静音间隔，将所述静音间隔之前的信号与所述静音间隔之后的信号进行比较并识别所述静音间隔之前和之后的信号是否连续，以及基于所述识别来识别其中所述广播内容改变为另一个广播内容的频道改变事件的发生。
电子装置及其控制方法

[发明专利]电子设备及其内容识别信息获取-CN201980034329.0有效
发明人：崔贤秀;金玟寿;金圣晋;金永郁;金壹求;金泫翰;崔智雄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H04N21/4722 文献下载
摘要：公开了电子设备识别图像的方法及针对其的电子设备的配置。本公开的电子设备识别图像的方法包括以下步骤：捕获内容的图像；如果在捕获图像中辨识出文本区域，则通过从所述文本区域识别文本来从服务器获取与所识别的文本匹配的内容识别信息，并且如果在捕获图像中未辨识出文本区域，则通过从捕获图像提取指纹来从服务器获取与所提取的指纹匹配的内容识别信息；以及存储与所获取的文本匹配的内容识别信息和与指纹匹配的内容识别信息中的至少一个。
电子设备及其内容识别信息获取

[发明专利]用于产品生产线上的视觉检查的基于AI的新学习模型生成系统-CN201980097165.6在审
发明人：太敬弼;金永郁;朴昶勇;赵俸数 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：在本发明的用于产品生产线上的视觉检查的基于AI的新学习模型生成系统中，在为了产品生产线上的视觉检查而在已生成的现有学习模型的学习中应用的多个学习数据集中，后补集提取模块基于判断类型信息而提取2个以上的后补数据集。并且，追加集决定模块算出新学习数据与后补数据集的学习图像之间的类似度，将基准值以上的任一个决定为追加学习数据。并且，新模型生成模块使预训练模型学习追加学习数据集和新学习数据而生成新学习模型。由此，在用少量的新学习数据生成新学习模型时，与新学习数据类似的以往的学习数据集追加地应用于学习，从而能够提高新学习模型的判断准确度。
用于产品生产线上视觉检查基于 ai 学习模型生成系统

[发明专利]基于AI的预训练模型决定系统及利用该系统的用于产品生产线的基于AI的视觉检查管理系统-CN201980097164.1在审
发明人：太敬弼;金永郁;赵俸数;朴昶勇 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：本发明涉及基于AI的预训练模型决定系统，当输入到判断类型信息时，基于多个学习模型中的判断类型信息而提取后补模型，由后补模型判断新的学习数据。以后补模型的判断准确度为基准而将预设的第1基准值以上的最上位后补模型决定为用于生成新学习模型的预训练模型，提高新学习模型的判断准确度。
基于 ai 训练模型决定系统利用用于产品生产线视觉检查管理

[发明专利]电子设备、电子设备的控制方法以及电子系统-CN201980057427.6在审
发明人： 金永郁;金玟寿;金圣晋;金泫翰;崔智雄;崔贤秀;金壹求 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H04N21/435 文献下载
摘要：提供了一种电子设备。所述电子设备包括：通信器；以及处理器，所述处理器被配置为：通过所述通信器从外部设备接收多媒体数据；标识所述多媒体数据中所包括的多个帧之中的第一帧中的多个对象；获得与所述第一帧中的所述多个对象相对应的内容信息；基于所述第一帧来获得第一指纹；以及控制所述通信器将所述内容信息和所述第一指纹传输到服务器。
电子设备控制方法以及电子系统

[发明专利]电子设备及其控制方法-CN201980051095.0在审
发明人：金玟寿;金圣晋;金永郁;朴宰贤;崔智雄;崔贤秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H04N21/472 文献下载
摘要：一种电子设备包括通信器电路和处理器，其中，处理器用于经由通信器从外部设备获得多媒体数据，在多媒体数据中包括的多个帧中的至少一个帧中识别对象，并且基于从第一服务器提供的内容引导信息识别与识别出的所述对象相应的内容。
电子设备及其控制方法

[发明专利]发光二极管驱动装置、驱动方法及发光二极管照明模块-CN201380069496.1有效
发明人：金彰渊;任台爀;金永郁 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种发光二极管驱动装置、驱动方法及发光二极管照明模块。所揭示的LED驱动装置包括：电源单元，用于提供交流电压；整流单元，用于对来自所述电源单元的交流电压进行整流；驱动信号产生单元，用于通过利用来自所述整流单元的经整流电压来产生第一驱动信号；以及LED驱动信号调制单元，用于通过调制所述第一驱动信号来产生第二脉冲驱动信号，其中由所述第二脉冲驱动信号驱动LED群组。本发明可通过高电流驱动实现高效率驱动、同时确保优异的散热功能。
发光二极管驱动装置方法包括照明模块

[发明专利]生长基板分离方法、发光二极管制造方法以及发光二极管-CN201310481911.6有效
发明人：许政勋;崔周源;李忠敏;金永郁;辛秀珍;红竖延 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种生长基板分离方法、发光二极管制造方法以及发光二极管。根据一个实施例的生长基板分离方法包括如下步骤准备生长基板；在所述生长基板上形成牺牲层和掩模图案，并通过电化学蚀刻（ECE）对牺牲层进行蚀刻；形成覆盖掩模图案且被元件分离区域划分的多个氮化物半导体层叠结构；在多个半导体层叠结构上贴附支撑基板，并使支撑基板具有连接于元件分离区域的多个贯通孔；将生长基板从氮化物半导体层叠结构中分离。
生长分离方法发光二极管制造以及

[发明专利]高效发光二极管及其制造方法-CN201380010283.1有效
发明人：金彰渊;赵大成;南基范;金永郁;柳宗均;下山谦司;城市隆秀;栗原香 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：在此公开了一种高效发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：半导体堆叠结构，设置在支撑基底上，包括氮化镓基p型半导体层、氮化镓基活性层和氮化镓基n型半导体层；反射层，设置在支撑基底与半导体堆叠结构之间，其中，半导体堆叠结构包括具有截锥体形状的多个突起以及形成在突起的顶表面上的细锥体。通过这种构造，可提高具有低位错密度的半导体堆叠结构的光提取效率。
高效发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201280064137.2有效
发明人：任台爀;金彰渊;尹余镇;李俊熙;南基范;金多慧;任昶翼;金永郁 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管及其制造方法。根据本发明的一种形态的发光二极管，包括：第一导电型覆盖层；光散射图案，位于所述第一导电型覆盖层内，且折射率与所述第一导电型覆盖层的折射率不同；活性层，位于所述第一导电型覆盖层下部；第二导电型覆盖层，位于所述活性层下部；第一电极，电连接于所述第一导电型覆盖层上；第二电极，电连接于所述第二导电型覆盖层上。借助于光散射图案而可以改善光提取效率。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]晶片及其形成方法-CN201010270505.1有效
发明人：姜熙福;金永郁 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片和及其形成方法。形成晶片的方法能够通过在包括多个芯片的晶片上执行深反应离子刻蚀(DRIE)工艺而将各个芯片彼此分离。所述晶片包括：多个芯片，被配置为在晶片上沿行方向和列方向来布置；划片线，被配置为形成在多个芯片之间，以便使每个芯片分离；和对准标记线，被配置为形成在晶片的一个侧面中，以便形成对准标记图案。
晶片及其形成方法

[发明专利]用于在移动通信系统中估计最大似然频率偏移的方法-CN200510084525.9有效
发明人：丁英镐;郑在学;金载烈;尹载然;金永郁;李甬勋;申沅容 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H04L27/26 文献下载
摘要：公开了一种用于在移动通信系统中估计频率偏移的方法，其中所述移动通信系统通过时分方案来划分预定频带以传送数据信号，或将整个频带划分为多个子频带以传送数据信号，该方法包括以下步骤：通过线性方程式和多项式方程式中的一个来建模快速衰减信道；以及在执行建模之后将模型应用于该信道的变量，并基于使用训练序列的联合最大似然而估计信道和频率偏移。
用于移动通信系统估计最大频率偏移方法

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN200410103365.3有效
发明人：前田茂伸;金永郁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种在硅化工艺中改进半导体器件的结构稳定性的制造半导体器件方法，提供具有由隔离层限定的有源区的衬底。在有源区和隔离层上形成蚀刻掩膜以具有至少部分地暴露出有源区的硅化防止图形。在暴露出的有源区上形成栅极结构。在硅化防止图形上定位的栅极结构上形成栅极隔离层。使用栅极隔离层作为掩膜，在有源区上形成源/漏区，以由此形成半导体器件。由于在硅化工艺中半导体器件的晶体管中不产生空隙或可防止晶体管的杂质侵入，因此包括晶体管的半导体器件可具有改进的可靠性和电性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]形成在硅在绝缘体上的衬底上的静态随机存取存储器-CN03154953.5有效
发明人：吴昌奉;金永郁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-08-25 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种SRAM，其能够减小电路占用的总面积，并且能够改善PMOS晶体管的迁移率和操作特性。该SRAM形成在具有第一、第二有源区的S0I衬底上。第一存取NMOS晶体管和由第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管构成的第一反相器形成在SOI衬底的第一有源区上。第二存取NMOS晶体管和由第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管构成的第二反相器形成在SOI衬底的第二有源区上。在每个有源区中，存取NMOS晶体管的漏(或源)、驱动NMOS晶体管的漏和负载PMOS晶体管的漏在一共用区域彼此连接。该SRAM形成在SOI衬底上，因而最终的芯片尺寸得以减小。
形成绝缘体衬底静态随机存取存储器

[发明专利]使用低－K介电材料形成双大马士革互连的方法-CN03145422.4有效
发明人：全振源;金永郁;朴泰洙;李京泰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种使用低－k介电有机聚合物作为绝缘层形成双大马士革互连的方法。仅仅利用一个硬掩模层，使用蚀刻速率不同于自对准衬片的硬掩模层和蚀刻－停止层防止灰化损伤绝缘层。而且，可以形成小于光刻工艺的分辨极限的通孔。由此，工艺被简化且不发生光致抗蚀剂尾部现象。
使用材料形成大马士革互连方法

1
2
下一页»
尾页
共 20 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top