专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多点对多点分组交换网络系统及分组交换无线网络分享器-CN201611020010.7有效
  • 林宗贤 - 台湾平虹实业股份有限公司
  • 2016-11-17 - 2023-07-14 - H04L47/10
  • 本发明涉及一种多点对多点分组交换网络系统及分组交换无线网络分享器,其主要是在闸道器及有线数据传输单元的下层设置复数个多点对多点无线接取器,以有线结合无线方式进行特定无线网络通讯协议之多点对多点的数据平层传输,当越多点对多点无线接取器存在时,可传输路径就会倍数增加,以分担网络流量并有效利用闲置之无线网络;无线网络分享器包含:一处理单元、一乙太网络端口、一记忆模块、一无线网络收发模块以及一电源连接器。本发明突破传统无线网络传输节点容易产生流量瓶颈的问题,并结合现有网络架构而对整个城市进行多点对多点网状覆盖,以推动智慧城市之实现。
  • 多点分组交换网络系统无线网络分享
  • [发明专利]瑕疵检查方法及系统-CN202210498305.4在审
  • 林宗贤;简福明 - 友达光电股份有限公司
  • 2022-05-09 - 2022-07-12 - G06T7/00
  • 一种瑕疵检查方法及系统。中控端装置自数据库中取得基板种类以及瑕疵种类,之后再连线至作业端装置,以获取对应于基板种类的待处理影像并接收对应于待处理影像的实际坐标系统。在中控端装置中,将待处理影像输入至与瑕疵种类对应的瑕疵检测模型,借此识别待处理影像的瑕疵位置。通过中控端装置获得瑕疵位置于实际坐标系统中对应的实际位置,并且传送实际位置至数据库。
  • 瑕疵检查方法系统
  • [实用新型]防盗式收款机-CN202122223912.3有效
  • 林宗贤 - 益逻触控系统公司
  • 2021-09-14 - 2022-01-07 - G07G1/00
  • 本公开涉及一种防盗式收款机,包括基座、操作平台以及收银柜,收银柜包括通过分隔壁限界的容纳槽,在所述容纳槽上方以能够被拆卸的方式布置有相应的遮盖部,为所述遮盖部配设感测装置和评估装置,感测装置构成为用于感测遮盖部的拆卸并且将感测信号经由第一通信连接传送给评估装置,防盗式收款机还配设有防盗警报器和警报解除器,评估装置构成为用于将警报触发信号经由第二通信连接传送给防盗警报器,警报解除器构成为用于将警报解除信号经由第三通信连接传送给评估装置。本公开的防盗式收款机可以有效地识别出偷盗行为并采取可靠的报警措施。此外,本公开的防盗式收款机也可以有效地防止误报警的可能性。
  • 防盗收款机
  • [发明专利]设备检测装置及其工作方法、半导体设备-CN201910114619.8有效
  • 韦伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-02-14 - 2021-11-30 - G01N21/958
  • 一种设备检测装置及其工作方法、半导体设备,设备检测装置包括:保护板;设置于保护板侧壁的多个分立发射单元,所述发射单元用于向保护板内发射第一信号;设置于保护板侧壁的多个分立接收单元,所述接收单元用于接收第二信号,所述第二信号为第一信号穿透保护板衰减后的信号,且各接收单元与各发射单元一一对应;数据处理单元,用于通过第二信号获取保护板的裂纹信息。半导体设备包括:腔体;位于腔体内的基座,用于承载待测物体;腔体盖,用于加热腔体;位于腔体盖内的加热装置,用于提供热能;上述任意一种设备检测装置,所述设备检测装置位于加热装置和基座之间,用于保护加热装置。所述设备检测装置的性能得到提高。
  • 设备检测装置及其工作方法半导体设备
  • [发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910412522.5有效
  • 吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;朱晓彤 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-05-17 - 2021-11-30 - H01L27/146
  • 一种图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:第一基底,所述第一基底包括相对的第一面和第二面,所述第一基底包括若干相互分立的像素区、以及位于相邻像素区之间的隔离区;位于所述第一基底第二面表面的第一反射结构;位于所述隔离区内的第二反射结构,且所述第二反射结构自所述第一面贯穿至所述第二面;位于所述第一反射结构表面的第二基底,所述第二基底包括相对的第三面和第四面,所述第三面和第一反射结构表面相接触,所述第二基底内具有若干相互分立的浮置扩散区;位于所述第二基底内的导电插塞,所述导电插塞自所述像素区贯穿至所述第二基底内,且所述导电插塞与所述浮置扩散区和像素区电连接。所述图像传感器的成像质量较好。
  • 图像传感器及其形成方法
  • [发明专利]图像传感器的形成方法-CN201810865024.1有效
  • 赵培培;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;吴明 - 德淮半导体有限公司
  • 2018-08-01 - 2021-07-20 - H01L27/146
  • 一种图像传感器的形成方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底的表面依次形成第一牺牲层以及第二牺牲层,其中,所述半导体衬底包括逻辑区域与像素区域;采用第一刻蚀工艺对所述第二牺牲层、第一牺牲层以及所述半导体衬底进行刻蚀,以在所述逻辑区域与像素区域形成STI沟槽;在所述逻辑区域,采用第二刻蚀工艺对所述STI沟槽底部的半导体衬底进行二次刻蚀,以形成STI延伸沟槽;去除所述第二牺牲层;向所述STI延伸沟槽以及所述STI沟槽内填充介质材料。本发明方案有助于避免在后续采用刻蚀工艺形成栅极结构时,在像素区域发生多晶硅残留的问题,或者在逻辑区域发生多晶硅过刻蚀的问题,提高图像传感器的性能。
  • 图像传感器形成方法

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