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[发明专利]晶圆断键强度的检测方法-CN201910786123.5在审
发明人：刘博佳;王海宽;郭松辉;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种晶圆断键强度的检测方法，检测方法包括：提供第一晶圆；对所述第一晶圆表面进行断键处理，使所述第一晶圆表面具有第一基团；在第一晶圆表面加入捕捉剂，使第一晶圆表面的第一基团和捕捉剂反应形成反应产物；对所述反应产物进行检测，得到所述反应产物的化学发射强度；根据所述化学发射强度，获取反应产物内的第一基团浓度。所述检测方法，操作简单，灵敏度较高，能够较快得到第一晶圆表面断键的强度情况。
晶圆断键强度检测方法

[实用新型]一种去耦合等离子体处理设备-CN201921438168.5有效
发明人：刘文彬;廖宜专;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种去耦合等离子体处理设备，包括：上腔室，供反应气体通入其中以形成等离子体；下腔室，供晶圆容置其中；绝缘盖板，设置在上腔室和下腔室之间；微波发生装置，设置于所述绝缘盖板上方，并朝向所述下腔室发射微波，微波发生装置的设置能够在上腔室去除水分子时加速水分子的气化，进而实现了更有效率的设备清洁，提高了去耦合等离子体处理设备的使用率。
一种耦合等离子体处理设备

[发明专利]金属互连结构及其形成方法-CN201810022867.5有效
发明人：吕新强;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;郭松辉;王海宽 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明技术方案公开了一种金属互连结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底层，所述基底层中含有器件结构；在所述基底层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层内形成贯穿其厚度的接触孔，所述接触孔底部暴露所述器件结构；在所述第一绝缘层表面及接触孔内形成导电层，当接触孔内所述导电层中的缝隙开口宽度为接触孔宽度的十分之一～八分之一时，停止形成所述导电层工艺；在所述导电层表面及所述缝隙内形成第二绝缘层；采用抛光液抛光所述第二绝缘层及所述导电层至露出所述第一绝缘层，形成导电插塞，其中所述抛光液抛光所述第二绝缘层的速率小于抛光所述导电层的速率。上述方法形成的金属互连结构有效减少碟型缺陷，保证金属互连的性能。
金属互连结构及其形成方法

[发明专利]温度探针探测系统及探测方法-CN201710959614.6有效
发明人：邱宇航;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G01K1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种温度探针探测系统及探测方法，探测系统包括：待测设备，包括腔体壁以及由腔体壁围成的内部腔体，腔体壁上设置有连通外界与内部腔体的通孔；温度探针，包括一探测头，探测头经由通孔进入内部腔体中以对其进行温度探测；以及保护组件，安装于腔体壁上，包括一环形柱体部，环形柱体部的开口与通孔的开口对应，且环形柱体部远离通孔的一端凸出于通孔，以控制探测头经由环形柱体部进入通孔且不触碰所述通孔的侧壁。通过上述方案，本发明通过设置保护组件，可以避免探测头直接接触金属腔体，减小停机时间，以及由于更换温度探针导致的费用，还可以在安装完成以后及时拆卸下保护组件，可以重复利用，节约成本。
温度探针探测系统方法

[发明专利]清洗装置-CN201711069282.0有效
发明人：陆从喜;林宗贤;吴龙江;辛君 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种清洗装置，包括：清洗槽，所述清洗槽具有第一侧壁；位于清洗槽内的推移装置，所述推移装置用于通过支撑晶圆的侧壁将晶圆沿着第一侧壁移出所述清洗槽，所述推移装置包括顶针，所述顶针具有针中心轴和针延展轴，所述针延展轴垂直于针中心轴，且所述针延展轴在将晶圆移出清洗槽的过程中位于垂直于第一侧壁表面的一个平面，所述顶针的顶部具有凹陷面；所述凹陷面具有面底点和面顶点，所述面顶点沿针延展轴方向位于面底点两侧，所述面底点用于与晶圆的侧壁接触。避免在将晶圆移出清洗槽的过程中晶圆从顶针上脱落的现象。
清洗装置

[实用新型]部件松脱侦测装置-CN201920354019.4有效
发明人：汪康;田得暄;辛君;吴龙江;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B24B41/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种部件松脱侦测装置，包括：设有大气压接收端和贴合面侦测端的刚性管路，大气压接收端的海拔高度高于贴合面侦测端的海拔高度；用于覆盖并密封贴合面侦测端的柔性的贴合面软片；容纳于管路内的液体，至少浸没贴合面侦测端，液面位置位于管路内靠近大气压接收端的一侧，且海拔高度高于贴合面侦测端的海拔高度；用于实时侦测并显示液面位置变化状态的液位侦测模块。本实用新型通过设置贴合面侦测端，对相互贴合安装的部件的贴合面进行实时侦测，在贴合面出现松脱时及时报警，从而避免了因抛光垫修整盘异常脱落而导致的机台部件损坏或晶圆报废的问题，具有灵敏度高、可靠性好、侦测端耐潮湿腐蚀环境且不受电磁干扰的显著优势。
部件侦测装置

[实用新型]自动清理水槽中粉尘颗粒的尾气处理设备-CN201920878205.8有效
发明人：薛波;李文强;曾圣翔;郭松辉;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B01D47/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动清理水槽中粉尘颗粒的尾气处理设备，包括：水槽，带有粉尘颗粒的水在水槽中；水泵，所述水泵与所述水槽的排水口相连；以及水旋器，所述水旋器与所述水泵的另一端相连，所述水泵将水槽中带有粉尘颗粒的水排入水旋器的入口，水旋器还具有溢流口和排沙口，所述溢流口排出的水中粉尘颗粒尺寸小于特定值，所述排沙口排出粉尘颗粒稠化的水。
自动清理水槽粉尘颗粒尾气处理设备

[实用新型]清洁装置及离子植入设备-CN201920911259.X有效
发明人：曹旭东;廖宜专;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B08B9/087 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种清洁装置及离子植入设备，所述清洁装置包括刷子、控制模块和用于固定所述刷子的基座，所述控制模块用于控制所述基座带动所述刷子在所述磁分析器单元的腔室内移动，以使所述刷子与所述腔室的内壁相抵触并擦拭所述腔室的内壁。本实用新型所提供的清洁装置和离子植入设备不仅结构简单，使用方便，而且能够显著降低半导体设备周期性维护的次数，从而提高出货率。
清洁装置离子植入设备

[实用新型]一种用于电镀设备的电镀溶液输入装置和相应电镀设备-CN201920928322.0有效
发明人：秦杰;王金岗;薛超;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C25D21/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于电镀设备的电镀溶液输入装置，其特征在于，包括：电镀溶液进口，其被配置为输入电镀溶液；第一电镀溶液管道，其与电镀溶液进口连通以用于引导电镀溶液；以及第一组多个电镀溶液输入口，其与第一电镀溶液管道连通以用于将电镀溶液从第一电镀溶液管道输入到电镀设备中，其中所述第一组多个电镀溶液输入口被定向为使得所输出的电镀溶液以第一方向转动。通过本实用新型，可以在电镀过程中提高电镀溶液中的各组分的均匀性，从而提高电镀质量。
一种用于电镀设备溶液输入装置相应

[实用新型]研磨液过滤装置-CN201920843199.2有效
发明人：田得暄;辛君;吴龙江;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B01D19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种研磨液过滤装置，所述装置包括：研磨液过滤器，用于过滤研磨液；设置在所述研磨液过滤器外壁的超声波发生器，用于发射超声波，以去除附着在所述研磨液过滤器内壁的气泡。本实用新型提供的研磨液过滤装置可以确保CMP工艺的稳定性。
研磨过滤装置

[实用新型]一种化学机械研磨冷却装置-CN201920993130.8有效
发明人：田得暄;辛君;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B24B55/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学机械研磨冷却装置，包括：研磨头；冷却水入口，所述冷却水入口从所述研磨头的上面中间接入；冷却水出口，所述冷却水出口从所述研磨头的上面中间接出；以及冷却水通路，所述冷却水通路紧邻研磨头的研磨面设置，所述冷却水通路与所述冷却水入口、所述冷却水出口构成循环通路。
一种化学机械研磨冷却装置

[实用新型]加热器-CN201921065801.0有效
发明人：何文;薛超;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本实用新型提供一种加热器，所述加热器包括加热器主体、温控单元、进水管和出水管，所述温控单元位于所述加热器主体内，所述温控单元包括多个独立的水路结构。所述加热器主体沿径向分为多个区域，每个区域中设置有一个所述水路结构，各所述水路结构分别与所述进水管和所述出水管连通，冷却水能够经所述进水管流入各所述水路结构后经所述出水管排出。由于所述加热器主体沿径向分为多个区域，每个区域中设置有一个所述水路结构。由此，每个水路结构需要控制的区域较小并且较集中，从而可以精准的控制所在区域的温度，进而降低加热器的温差。
加热器

[实用新型]一种提高离子源气体解离效率的起弧室及离子植入机-CN201921319720.9有效
发明人：唐瑞龙;廖宜专;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高离子源气体解离效率的起弧室，其特征在于，包括：设置在起弧室一端的发射极；覆盖发射极的阴极；设置在起弧室另一端的发射极；以及设置在所述起弧室外壁上的加热装置。
一种提高离子源气体解离效率起弧室离子植入

[实用新型]晶圆电镀装置-CN201920809928.2有效
发明人：王金岗;薛超;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆电镀装置，包括：腔体、高电阻虚拟阳极及阳极电极，所述高电阻虚拟阳极沿所述腔体的径向设置，所述高电阻虚拟阳极内具有一容置腔，所述高电阻虚拟阳极沿所述腔体轴向的第一表面和第二表面均呈外凸的弧形，所述第一表面具有第一通孔，所述第二表面具有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均与所述容置腔连通，所述高电阻虚拟阳极的第一表面和第二表面为相对的向外凸出的弧面，因为电镀溶液是从所述阳极电极往所述高电阻虚拟阳极方向流动，所以弧形的第一表面可以将电镀溶液中的气泡驱散至高电阻虚拟阳极的边缘，同时，电镀溶液的结晶也会因为弧形的第二表面滑落至高电阻虚拟阳极的边缘，从而避免了高电阻虚拟阳极的堵塞。
电镀装置

[实用新型]晶圆电镀设备-CN201920970011.0有效
发明人：刘博佳;王海宽;郭松辉;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C25D17/02 文献下载
摘要：该实用新型涉及一种晶圆电镀设备，包括：电镀槽，用于放置电镀期间所需的电镀液，且所述电镀槽的内表面含有一电镀阳极；晶圆放置台，用于放置待进行电镀的晶圆，且所述晶圆放置台设置有镂空区域，用于将所述晶圆的电镀面暴露于所述电镀槽内的电镀液；离子阻滞器，在电镀期间设置在所述晶圆与所述电镀阳极之间，包括：第一通孔，贯穿所述离子阻滞器，且所述第一通孔的位置与所述晶圆的圆心对应；第二通孔，贯穿所述离子阻滞器，且电镀液离子在所述第二通孔内的行程大于所述电镀液离子在所述第一通孔内的行程；所述电镀液离子经由所述第一通孔和所述第二通孔通过所述离子阻滞器。
电镀设备