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[发明专利]半导体装置-CN201880042217.5有效
发明人：畑谦佑;星真一;松木英夫;阴泳信;高桥茂树 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：在具有活性区域(1)和非活性区域(2)的半导体装置中，活性区域(1)采用如下结构：具备：具有包括第一、第二半导体层(12、13)的异质结构造的沟道形成层；具有MOS栅极电极(17)的栅极构造部；在第二半导体层(13)之上配置于夹着栅极构造部的两侧的源极电极(18)及漏极电极(19)；配置于栅极构造部与漏极电极(19)之间的从漏极电极(19)离开了的位置、且未掺加杂质的第三半导体层(14)；形成于第三半导体层(14)之上的p型的第四半导体层(20)；以及与第四半导体层(20)接触的JG电极(21)。并且，JG电极(21)与源极电极(18)电连接而成为与该源极电极(18)相同的电位，并且仅配置于活性区域(1)内。
半导体装置

[发明专利]结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统-CN202310090773.2在审
发明人：四户孝;安藤裕之;樋口安史;松田慎平;谷口和也;渡边弘纪;松木英夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA;株式会社电装;未来瞻科技株式会社
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种在工业上有用且半导体特性优异的结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统。一种结晶性氧化物膜，以相对于c面倾斜的面为主面，包含镓和元素周期表第9族金属，所述元素周期表第9族金属在膜中的所有金属元素中的原子比为23％以下。
结晶氧化物层叠结构半导体装置系统

[发明专利]结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统-CN201911366053.4在审
发明人：高桥勋;鸟山达矢;杉本雅裕;四戸孝;上东秀幸;大原淳士;广濑富佐雄;松木英夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA;株式会社电装
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。
结晶氧化物半导体装置系统

[发明专利]结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统-CN201911364732.8在审
发明人：高桥勋;鸟山达矢;杉本雅裕;四戸孝;上东秀幸;大原淳士;广濑富佐雄;松木英夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA;株式会社电装
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。
结晶氧化物半导体装置系统

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN201280051533.1有效
发明人：高谷秀史;松木英夫;铃木巨裕;石川刚;副岛成雅;渡辺行彦 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，其具有半导体衬底，所述半导体衬底包括：体区域；漂移区；沟槽，其从所述半导体衬底的表面延伸穿过所述体区域进入所述漂移区；以及源极区域，所述源极区域被定位为在暴露于所述半导体衬底的所述表面的范围内与所述沟槽邻接，所述源极区域通过所述体区域而与所述漂移区隔离。特定层配置在所述沟槽的底部上，并且它具有在所述特定层与所述漂移区之间的接合部分处形成耗尽层的特性。绝缘层覆盖所述特定层的上表面和所述沟槽的侧壁。导电部形成在所述沟槽的所述侧壁的一部分上。所述导电部被接合至所述特定层，且到达所述半导体衬底的所述表面。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置和用于制造碳化硅半导体装置的方法-CN201510717810.3在审
发明人： 松木英夫;榊原纯;青井佐智子;渡辺行彦;小野木淳士 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：碳化硅半导体装置包括金属氧化物半导体场效应晶体管以及周边高击穿电压结构。源区域具有第一凹部。沟槽从第一凹部的底部延伸。栅绝缘膜具有延伸部，延伸部的形状顺着第一凹部的形状。栅极的表面定位成齐平于或者低于延伸部的上表面。
碳化硅半导体装置用于制造方法

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法-CN201280008329.1无效
发明人：山本建策;登尾正人;松木英夫;高谷秀史;杉本雅裕;副岛成雅;石川刚;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种SiC半导体器件，包括：半导体开关元件，其具有：按照以下顺序叠置的衬底（1）、漂移层（2）以及基底区域（3）；在基底区域（3）中的源极区域（4）和接触区域（5）；从源极区域（4）的表面延伸以穿透基底区域（3）的沟槽（6）；沟槽（6）中的栅极绝缘膜（8）上的栅电极（9）；与源极区域（4）和基底区域（3）电耦合的源电极（11）；衬底（1）的背面上的漏电极（13）；以及多个深层（10），所述深层位于漂移层（2）的上方部分中、比沟槽（6）深、并且在与沟槽的纵向方向交叉的方向上延伸。每个深层（10）具有上方部分和下方部分（10b，10a）。上方部分（10b）的宽度小于下方部分（10a）的宽度。
碳化硅半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201180028874.2有效
发明人：高谷秀史;松木英夫;铃木巨裕;石川刚 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的课题在于提高半导体装置的耐压特性。半导体装置具备包围元件区的终端区。在元件区内形成有主沟槽。在终端区内形成有包围元件区的终端沟槽。终端沟槽位于终端沟槽的最内周侧。在漂移区的表面上层叠有体区。主沟槽到达漂移区，并且在其内部形成有栅电极。终端沟槽到达漂移区。终端沟槽的侧壁和底面被氧化膜所覆盖。覆盖终端沟槽的底面的氧化膜的表面被埋入电极所覆盖。栅电压被施加于埋入电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法-CN201280001099.6有效
发明人：登尾正人;山本建策;松木英夫;高谷秀史;杉本雅裕;副岛成雅;石川刚;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种SiC器件包括反型MOSFET，其具有：按照顺序叠置的衬底（1）、漂移层（2）以及基底区域（3）；基底区域（3）的上部中的源极和接触区域（4、5）；穿透源极和基底区域（4、3）的沟槽（6）；沟槽（6）中的栅极绝缘膜（8）上的栅电极（9）；与源极和基底区域（4、3）耦合的源电极（11）；衬底（1）的背面上的漏电极（13）；以及多个深层（10），所述深层位于漂移层（2）的上部中、比沟槽（6）更深、并且在与沟槽的纵向方向交叉的方向上延伸。每个深层（10）在深度方向上具有杂质浓度分布，并且在施加栅电压时，在沟槽侧上的深层（10）的一部分中提供反型层。
碳化硅半导体器件及其制造方法

[发明专利]电路装置及携带设备-CN200510136193.4无效
发明人：高桥幸嗣;松木英夫;伊藤正美;青木直行 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-12-20 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种在安装方向上没有制约的电路装置(10)。本发明的电路装置(10)包括：导电图案(11)，其具有管芯垫(11A)、第一接合焊盘(11B)以及第二接合焊盘(11C)；半导体元件(TR)，其固定在导电图案上。另外，还具有使导电图案(11)的背面露出并覆盖半导体元件(TR)和导电图案(11)的密封树脂(13)、将从密封树脂(13)露出的导电图案(11)的背面覆盖的覆盖树脂(16)。另外，使导电图案(11)的背面从设于覆盖树脂(16)上的开口部露出，将开口部相对电路装置的中心点旋转对称地配置。
电路装置携带设备

[发明专利]充电控制电路及检测二次电池满充电的电压的调整方法-CN03158182.X无效
发明人：大八木满;松木英夫 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-09-16 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H02J7/02 文献下载
摘要：充电控制电路包括：满充电检测电压供给部件，供给用于检测满充电状态的规定的满充电检测电压；和比较器，具有输入表示二次电池充电状态的充电状态电压的充电状态电压输入部、及输入满充电检测电压的满充电检测电压输入部，输出充电状态电压和满充电检测电压之间的比较结果；其中，还包括：外部端子，连接在比较器的满充电检测电压输入部上，用于调整满充电检测电压；在外部端子上，可连接调整满充电检测电压的电子部件。
充电控制电路检测二次电池电压调整方法

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