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[发明专利]一种电催化还原二氧化碳制备一氧化碳的方法-CN202111384573.5在审
发明人： 杨得鑫;杨洁;杨晗;张仁杰;周广颖 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C25B1/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种电催化还原二氧化碳制备一氧化碳的方法，该方法所述的电催化还原体系以在碳纸上原位电沉积的镉基催化剂为电极材料、离子液体和乙腈组成溶液为电解液，催化剂无需单独制备，只需向电解液中加入一定量的镉基金属盐，即可在适宜的电位下制备镉基催化剂，同时将CO2还原为CO。本发明首创性地设计了原位电沉积的镉基催化剂作为阴极材料，并将其应用于以离子液体和乙腈为混合电解液的三电极体系，高效电催化还原CO2为CO。本发明的电催化体系操作简单，反应条件温和，阴极催化剂制备方法简单，具有产业化开发价值，为CO2的固定和资源化提供了一条重要且实用的途径。
一种电催化还原二氧化碳制备一氧化碳方法

[发明专利]一种室温铁磁性铼基双钙钛矿氧化物的制备方法-CN202210873630.4在审
发明人：周继宁;杨得鑫;霍德璇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温铁磁性铼基双钙钛矿氧化物的制备方法，本发明使用CaCO3或SrCO3与Re2O7混合、研磨、第一次烧结得到前驱体Ca2ReO5.5或Sr2ReO5.5，再将前驱体与Fe、Fe2O3混合，研磨，压片，第二次真空烧结、退火，再次研磨，压片，第三次真空烧结、退火得到成品。本发明所述的制备方法简单、容易实现，Ca2FeReO6和Sr2FeReO6的居里温度均大于395K，超出了仪器的测量范围，远高于室温。
一种室温铁磁性铼基双钙钛矿氧化物制备方法

[发明专利]一种无稀土MnAlIn永磁合金及其制备方法-CN202011517734.9有效
发明人：苏昆朋;张耀华;霍德璇;王海欧;黄帅;杨得鑫 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C22C22/00 文献下载
摘要：本发明公开一种无稀土MnAlIn永磁合金及其制备方法。其成分为Mn50+xAl50‑x‑yInyCz，其中x＝0～4，y＝1～3，z＝0～3。本发明选择Mn、Al、In和C作为永磁合金的原料，他们不仅具有优异的机械加工性能和良好的耐腐蚀性能，并且成本低廉，制备工艺简单，不需要用复杂的磁场处理；本发明采用高真空快淬工艺使晶粒显著细化，同时经过后续的热处理过程在晶界附近处析出的低熔点In单质可以钉扎畴壁，阻止畴壁的移动，从而有效的提高了合金的矫顽力；本发明综合了热处理、高真空快淬、热压和热变形等多种工艺，在保持较高的饱和磁化强度的条件下，实现了MnAl基永磁合金矫顽力的有效提高。
一种稀土 mnalin 永磁合金及其制备方法

[发明专利]近红外低铅卤族钙钛矿光电材料及制备方法和应用-CN202210425821.4在审
发明人：朱毅辉;杨得鑫;霍德璇;洪嘉伟;饶敏;张宇航 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外低铅卤族钙钛矿光电材料及制备方法和应用，本发明近红外低铅卤族钙钛矿光电材料，包括电极、空穴传输层、电子传输层和发光层；其特征在于：所述的发光层材料，其结构为ABX3，A为Cs、EA、FA、MA四种中的一种或多种，其中B为Pb、Sn、Ge、Mn、Zn、Cd、Co、Cu、Ni中的一种或多种，X为Cl、Br、I中的一种或多种；本发明通过旋涂方法在ITO玻璃上旋涂了电子传输层ZnO/PEIE、钙钛矿发光层和空穴传输层TFB而后使用热蒸镀的方法蒸镀电极MoO3/Au。在保证电致发光效率的同时，降低了实验制备钙钛矿发光器件的难度，也降低了整个器件重金属铅的含量。
红外卤族钙钛矿光电材料制备方法应用

[发明专利]一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法-CN202011414328.X有效
发明人： 杨得鑫;程垚;周继宁;饶敏;霍德璇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法，本发明使用溶液旋涂法制备卤族钙钛矿薄膜，使用CsBr、PbBr2、GeBr2以及PEABr为原料以一定的比例进行称量，使用DMSO溶剂进行溶解。待其全部溶解以后，在石英片上进行悬涂，待成膜后在高温烤胶台上以70℃退火大约10min，获得CsPb1‑xGexBr3(x＝0,0.1,0.2,0.3,0.4和0.5)钙钛矿薄膜。本发明降低了CsPb1‑xGexBr3钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
一种荧光效率卤族钙钛矿薄膜合成方法

[发明专利]一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3-CN202110062267.3有效
发明人：饶敏;杨得鑫;朱毅辉;周继宁;程垚;王涵;曹乐乐;金邦伟;霍德璇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C08L71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物和阳离子共增强CsPbBr3卤族钙钛矿发光性能和稳定性的合成方法，本发明方法通过简易的溶液旋涂法在石英片表面制备了卤族钙钛矿薄膜，相比热蒸镀法，降低了CsPb1‑xGexBr3+PEO钙钛矿薄膜的合成难度和成本。通过使用反溶剂乙酸乙酯溶液和退火处理使得钙钛矿薄膜具有更好的表面形貌和结晶性。
一种聚合物阳离子增强 cspbbr base sub

[发明专利]锗基钙钛矿光电材料、应用、制备方法和器件及制备方法-CN202110103577.5有效
发明人： 杨得鑫;狄大卫 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗基钙钛矿光电材料、应用、制备方法及器件和器件制备方法，锗基卤族钙钛矿材料还可应用为普通的发光薄膜、荧光粉；也可作为核心材料制备闪烁体、激光器、发光晶体管和太阳能电池等。其中器件制作过程在保证电致发光效率的同时，降低了实验制备钙钛矿发光器件的难度，也降低了整个器件重金属铅的含量。
锗基钙钛矿光电材料应用制备方法器件

[发明专利]板栗状分级硒化锰/碳复合材料作为锂离子电池负极材料的应用-CN201910501170.0在审
发明人：杨涛;杨得鑫;钟家松;陈逸凡;鲍亮;李心悦;朱怡雯;陆潇晓;熊琴琴 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了板栗状分级硒化锰/碳复合材料作为锂离子电池负极材料的应用，所述的板栗状分级硒化锰/碳复合材料的直径约为1‑5μm。所述的板栗状分级硒化锰/碳复合材料具有高电导率、高比表面积、高体积变化抑制效应、相对更高的工作电压平台和赝电容增强的多重特性，从而不仅提高了锂离子电池的安全性，也改善了锂离子电池的循环稳定性和倍率性能，使组装的锂离子电池具有更好的电化学性能。
碳复合材料硒化锰分级锂离子电池板栗锂离子电池负极材料工作电压平台电化学性能循环稳定性倍率性能多重特性高电导率体积变化赝电容应用组装

[发明专利]一种低温合成近室温铁磁体的制备方法-CN201910031831.8在审
发明人： 杨得鑫;霍德璇;赵鹏;杨晨 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温合成近室温铁磁体的制备方法，本发明先将高纯度氧化物原料按照摩尔比称量，放入玛瑙研钵中，研磨混合；再将混合均匀的氧化物粉体按照一定的摩尔比例与KCl粉体混合，氧化铝坩埚中，放入马弗炉中，煅烧后的粉体，放入玛瑙研钵中研磨，获得均匀的粉体；将获得粉体放入加热后的蒸馏水中，通过过滤装置过滤，获得含有一定水分的坯体；最后再干燥箱烘干获得不含水分的坯体，最后研磨获得黑色粉体。本发明方法通过熔盐KCl粉体的加入，降低了La₂NiMnO₆双钙钛矿粉体的合成温度，并且减短了合成时间。
粉体放入低温合成玛瑙研钵研磨铁磁体坯体制备蒸馏水合成氧化铝坩埚氧化物粉体氧化物原料粉体混合过滤装置黑色粉体双钙钛矿研磨混合干燥箱高纯度马弗炉摩尔比烘干称量熔盐煅烧加热过滤

[发明专利]色彩数据显示方法-CN200610006189.0无效
发明人： 杨得鑫 -专利权人：盛群半导体股份有限公司
申请日： 2006-01-25 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G09G5/02 文献下载
摘要：一种色彩数据显示方法，用以将一低阶外部图形数据写入一高阶显示系统的RAM(随机存取内存)。其中该图形数据在写入该RAM的过程中，由于该RAM的位数比该图形数据的位数更多，因此该RAM会产生1个以上的空位，此时，再将该图形数据从该RAM的最高空位处再次写入，直到写满该RAM为止。由本发明的色彩数据显示方法，可使一个高阶的显示系统在不额外使用缓存器或存储装置的情况下，其像素的显示范围能够涵盖全暗至全亮，进而更加精确地表现一个低阶外部图形。
色彩数据显示方法

[发明专利]可编程的发光二极管驱动方法-CN200410100700.4无效
发明人：王明坤;张士庭;杨得鑫 -专利权人：盛群半导体股份有限公司
申请日： 2004-12-14 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种可编程的发光二极管驱动方法，其包括：提供三阶段以上的电压/电流驱动电平给控制该发光二极管明亮的一控制电路；根据该发光二极管的物理特性，决定所述阶段电压/电流驱动电平其各自至少三种的使用模式；以及根据该发光二极管的物理特性，调整所述阶段电压/电流驱动电平其各自使用模式的持续时间。通过对发光二极管的电压/电流驱动电平的提供端以及开关信号的提供端施以可编程的控制，因此控制发光二极管明亮的电压/电流驱动电平以及开关信号可根据使用者所需以多阶段的方式定义，以使发光二极管能根据面板制程提供最有效的驱动程序，进而使面板所呈现的灰阶显示在效能以及感官上最佳化。
可编程发光二极管驱动方法

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