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- [发明专利]可固化的硅酮组合物-CN202310225619.1在审
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竹内绚哉;小林昭彦
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杜邦东丽特殊材料株式会社
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2023-03-02
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2023-09-12
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C08L83/07
- [问题]提供可在低温下短时间内固化、并且具有低体积收缩率、低催化剂含量和低粘度的可固化的硅酮组合物。[解决问题的方法]本发明的可固化的硅酮组合物包含(A)每分子具有至少两个与硅原子结合的烯基以及≥0mol％且5mol％的芳基的直链有机聚硅氧烷，(B)每分子具有至少两个与硅原子结合的烯基的有机聚硅氧烷树脂：0‑10质量％，基于组合物中具有与硅原子结合的烯基的有机聚硅氧烷和具有与硅原子结合的氢原子的有机聚硅氧烷的总质量；(C)具有呈网络形式的特定分子结构、每分子具有至少两个与硅原子结合的氢原子的有机氢聚硅氧烷树脂；以及(E)氢化硅烷化反应催化剂；并且在有机聚硅氧烷总量中SiH的mol/Si结合的烯基的mol＝1‑3。
- 固化硅酮组合
- [发明专利]可固化的硅酮组合物-CN202310196161.1在审
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竹内绚哉;小林昭彦
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杜邦东丽特殊材料株式会社
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2023-03-02
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2023-09-12
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C08L83/07
- [问题]提供可在低温下短时间内固化、并且具有低体积收缩率、低催化剂含量和低粘度的可固化的硅酮组合物。[解决方案]本发明的可固化的硅酮组合物含有特定量的(A)每分子具有至少两个与硅原子结合的烯基和≥0mol％且5mol％的芳基的直链有机聚硅氧烷，(B)在分子中具有至少两个与硅原子结合的烯基的有机聚硅氧烷树脂，(C)具有每分子有至少两个与硅原子结合的氢原子的网络分子结构的有机氢聚硅氧烷树脂，(D)具有每分子有至少两个与硅原子结合的、仅在分子末端的氢原子的网络分子结构的有机氢聚硅氧烷树脂，以及(E)氢化硅烷化反应催化剂，并且在该组合物的有机聚硅氧烷中，(硅原子结合的氢原子的总mol)/(硅原子结合的烯基的总mol)＝1‑3。
- 固化硅酮组合
- [发明专利]导热性硅酮组合物-CN202211140998.6在审
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玉井智広
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杜邦东丽特殊材料株式会社
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2022-09-20
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2023-04-25
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C08L83/07
- 【课题】本发明提供一种针式转移法中的作业性良好且所得到的固化物能够具有高粘接强度以及高散热性的导热性硅酮组合物。【解决手段】本发明的导热性硅酮组合物包括：(A)在一个分子中具有至少两个与硅原子键合的烯基的直链状的有机聚硅氧烷；(B)有机聚硅氧烷树脂；(C)有机氢聚硅氧烷；(D)平均粒径0.2μm以上且小于1μm的第一群组的散热填料粉末与平均粒径2μm以上且小于20μm的第二群组的散热填料粉末的散热填料混合物(质量比3:7‑2:8)；(E)1次粒子的平均粒径小于1μm的二氧化硅粒子；以及(F)在分子链的单末端或者两末端具有与硅原子键合的烷氧基的直链状有机聚硅氧烷。
- 导热性硅酮组合
- [发明专利]导热性硅酮组合物-CN202211103113.5在审
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玉井智広
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杜邦东丽特殊材料株式会社
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2022-09-09
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2023-03-21
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C09K5/14
- 【课题】本发明提供包含高含量的填充剂且在固化前粘度低，在固化后达到高粘接强度的导热性硅酮组合物。【解决手段】导热性硅酮组合物包括：(A)具有两个以上硅原子键合烯基的有机聚硅氧烷；(B)具有两个以上硅原子键合氢原子的有机氢聚硅氧烷；(C)导热性填充剂，以组合物的总质量为基准，其为85‑95质量％；(D)铂族金属类催化剂，相对于(A)及(B)成分合计量100万质量份，铂族金属元素为50质量份以上；(E)具有特定结构的固化抑制剂，相对于(A)及(B)成分合计量100质量份，其为0.3‑1质量份；以及(F)聚硅氧烷，其具有(MeViSiO2/2)结构单元、硅原子键合烷氧基及含环氧基的有机基，相对于(A)及(B)成分合计量100质量份，其为5‑20质量份。
- 导热性硅酮组合
- [发明专利]用于生产密封光半导体装置的方法-CN201880053054.0有效
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北浦英二;尼子雅章;S·斯威尔
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杜邦东丽特殊材料株式会社;美国陶氏有机硅公司
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2018-08-31
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2023-03-14
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H01L33/54
- 提供了一种用于生产密封光半导体装置的方法，即使当内层中的密封膜的物理特性包括差的可拉伸性时，所述方法使得能够以高度可靠的方式密封光半导体元件。本发明包括以下步骤：其中在减压室内将包括内层密封膜和最外层密封膜的至少两种类型的密封膜按照此顺序放置在其上安装光半导体元件的光半导体元件安装基板上并且降低所述减压室中的压力的步骤；其中加热所述最外层密封膜并且使所述最外层密封膜的至少周边热熔合到所述光半导体元件安装基板的表面的步骤；以及其中释放所述减压室内的减压并且通过所述最外层密封膜和所述内层密封膜密封所述光半导体元件安装基板的步骤。当释放所述减压室内的减压时所述光半导体元件安装基板的温度T2为所述最外层密封膜展现了0.02‑0.15MPa的拉伸强度以及200％‑450％的断裂伸长率的温度。所述内层密封膜在所述温度T2下展现了1.6或更大的损耗角正切(tanδ)。
- 用于生产密封半导体装置方法
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