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[发明专利]空空导弹导引头的红外雷达双模数字处理方法-CN202110376750.9在审
发明人：倪嘉;朱兴源;曹琳;许江波;杜忠鹏 -专利权人：西安龙飞电气技术有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： F42B8/12 文献下载
摘要：本发明涉及空空导弹导引头的红外雷达双模数字处理方法，在空空导弹挂飞训练弹的交联控制舱内集成模拟雷达信号发生器模块和模拟红外信号发生器模块，分别模拟半主动雷达制导训练弹导引头功能和红外被动寻的制导训练弹导引头功能；交联控制舱的主处理器接收来自载机机载红外系统、机载雷达系统捕获的目标位置坐标，速度信号，进行弹型判断，调用模拟雷达信号发生器模块或模拟红外信号发生器模块，处理产生相关指令并下达，传输给各模块部件并通过信号输出模块将信号返回给载机。通过数字方式实现红外、雷达两种空空导弹导引头功能，模拟导弹发射过程，解决现有空空导弹训练弹成本高、可靠性低、通用性差等问题。
空空导弹导引红外雷达双模数字处理方法

[实用新型]一种空空导弹挂飞训练弹减振橡胶垫-CN202120711652.1有效
发明人：曹琳;许江波;杜忠鹏;倪嘉;徐枫 -专利权人：西安龙飞电气技术有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： F16F15/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种空空导弹挂飞训练弹减振橡胶垫，所述橡胶垫中央设置有用于放置电路板的卡槽，卡槽外的其他部分设置有轴向贯通的散热孔。本实用新型通过在减振橡胶垫中设计散热孔提高橡胶垫性能，散热孔可以带走控制舱热量，降低器件温度；橡胶垫侧面与训练弹完全接触，增加了摩擦力，避免了控制舱应用中由于振动而导致的移动，散热孔还降低了橡胶垫重量。
一种空空导弹训练弹减振橡胶垫

[发明专利]基于有源减振网络的动态不平衡桥检测电路-CN202110817096.0在审
发明人：曹琳;倪嘉;杜忠鹏;陈桥梁;徐枫;许江波 -专利权人：西安龙飞电气技术有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01R17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于有源减振网络的动态不平衡桥检测电路，所述电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R9、电阻R8和mos管Q5；电阻R3、电阻R4、电阻R9、电阻R8依序连接形成回路，电阻R9与mos管Q5并联；电阻R4上并联有多个电容与开关管的串联组合。本发明涉及的检测电路中涉及了有源减振网络，即电容与开关管mos的多个并联的组合，同时在开关频率发生变化的时候对各个波形的衰减进行采样检测，最后得到一个稳定的波形，可以实现减振的效果；根据电容和开关管的排列方式的不同，通过多种匹配，可以匹配出尖峰最小的情况。
基于有源网络动态不平衡检测电路

[发明专利]基于增益补偿的微弱信号检测算法-CN202110822583.6在审
发明人：曹琳;倪嘉;杜忠鹏;陈桥梁;徐枫;许江波 -专利权人：西安龙飞电气技术有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明涉及基于增益补偿的微弱信号检测算法，所述检测算法为：在放大微弱信号电路中的差分放大器输入端各增加一个跟随器起到阻抗匹配的作用，然后将经过差分放大后的微弱信号送入单片机进行增益补偿；所述算法中，从放大器中提取出信号送入单片机，对信号进行傅里叶分解，对全波形中的离散点进行增益补偿。本发明涉及的方法在差分放大器的输入端各加了一个跟随器，利用它的输入高阻抗、输出低阻抗的特性，使得它在电路中可以起到阻抗匹配的作用；从放大器中提取出信号送入单片机，采用离散谐振点增益补偿的方式，不是补偿全波形，而是着重关心干扰点增益补偿，从而抵消放大器带宽的影响。
基于增益补偿微弱信号检测算法

[发明专利]半超结FS IEGT结构及其制造方法-CN201711328973.8有效
发明人：周宏伟;闫宏丽;刘鹏飞;杜忠鹏;徐西昌 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及半超结FS IEGT结构及其制造方法，器件原胞设计采用半超结FS IEGT结构，可以更好的折衷动静态参数，提高器件的综合性能。本发明的IEGT结构采用Dummy沟槽的结构，Dummy沟槽没有连接到发射极，降低了沟道密度，可以提高器件短路能力；同时，Dummy沟槽区没有空穴通道，使空穴在此区域积累，产生IE效应，电导调制效应增强，导通压降降低；且由于集电极侧的空穴注入并没有增强，故关断时间不会明显增大；本发明的IEGT结构，可以实现低的导通压降和开关损耗，且具有较高的短路能力。
半超结 fs iegt 结构及其制造方法

[发明专利]低压超结MOSFET栅极漏电改善方法-CN201710564024.3在审
发明人：刘挺;杨乐;岳玲;徐西昌;杜忠鹏 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及低压超结MOSFET栅极漏电改善方法，步骤包括1>以氧化硅为硬掩模，对硅衬底进行刻蚀，形成沟槽；2>在沟槽内及硅衬底表面生长氧化硅；3>沟槽内填充源极多晶硅并进行回刻；4>源极多晶硅上填充氮化硅并利用CMP工艺移除表面氮化硅及氧化硅；5>利用湿法腐蚀对沟槽侧壁氧化硅进行移除；6>生长栅氧化硅；7>淀积多晶硅并进行回刻；8>进行体区、源区注入并退火；9>层间介质淀积及孔刻蚀工艺；10>进行表面金属工艺，制作器件电极。本发明工艺通过在源极多晶硅上方回填氮化硅，避免了目前存在缺陷的氧化硅隔离，有效解决了栅源极之间漏电偏高的问题。
低压 mosfet 栅极漏电改善方法

[实用新型]一种降低继电器功耗的电路-CN201320785371.6有效
发明人： 杜忠鹏;陈桥梁;倪嘉;朱飞 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01H47/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种降低继电器功耗的电路。现有对电容C的容值要求较大，一般要采用电解电容，导致体积大；在继电器K关断后，电容C放电时间较长。一种降低继电器功耗的电路，其特征在于：包括继电器K、三极管T1和三极管T2，所述三极管T1的集电极通过继电器K连接驱动电压，三极管T1的基极分别接入三极管T2的集电极和电阻R1，电阻R1的另一端接控制信号，三极管T1的发射极分别连接电阻R2、电阻R3和电容C1，电容C1和电阻R2的另一端接地，电阻R3的另一端分别连接三极管T2的基极和电容C2一端，电容C2的另一端接地，三极管T2的发射极接地。本实用新型结构简单，有效地减小了电路的体积，降低了电路成本。
一种降低继电器功耗电路

[发明专利]优化体二极管反向恢复特性的超结VDMOS及制备方法-CN201310489831.5有效
发明人：姜贯军;陈桥梁;陈仕全;马治军;任文珍;杜忠鹏 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种优化体二极管反向恢复特性的超结VDMOS及制备方法。常规的超结VDMOS的结构中本征地寄生着双极型晶体管NPN结构和体二极管结构，为避免该寄生NPN晶体管开启，必须减小流过P柱或体二极管上部的反向恢复电流，降低寄生NPN管基极电阻RB的两端的压降使其无法开启。本发明包括P柱及位于P柱顶部的Pbody区，其特征在于：所述P柱上部的侧壁设置有氧化层。本发明的P柱侧壁具有二氧化硅氧化层，避免了寄生的双极型NPN晶体管的开启引起的器件失效；本发明兼容超结的深槽刻蚀与深槽外延工艺，在提升体二极管反向恢复能力的同时没有增加工艺制造成本。
优化二极管反向恢复特性 vdmos 制备方法

[发明专利]可改善雪崩能力的超结半导体器件的制备方法-CN201310491435.6有效
发明人：姜贯军;陈桥梁;陈仕全;马治军;杜忠鹏 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种可改善雪崩能力的超结半导体器件的制备方法。传统较高的P柱掺杂浓度加剧了横向扩散使得导通电阻相应增大，且P柱与N柱电荷的失衡使得击穿电压的降低。本发明利用外延工艺，形成N型外延层；进行硼离子注入形成P型N型外延层；硼离子注入剂量逐次增加，然后在高温下推结形成P型与N型交替的外延层；注入硼离子形成Pbody区；使用干法刻蚀多晶硅形成多晶硅栅电极；注入砷离子，形成N+源区；在整个器件的上表面淀积一层铝，并刻蚀铝形成源金属电极，背面金属化形成漏电极。本发明所得的超结半导体器件在提高了超结半导体器件的雪崩能力同时减小了导通电阻。
改善雪崩能力半导体器件制备方法

[发明专利]一种超结器件的结终端结构及其制造方法-CN201310489678.6有效
发明人：姜贯军;陈桥梁;陈仕全;马治军;张园园;杜忠鹏 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明一种超结器件的结终端结构及其制造方法。超结器件的结终端结构通常采用多个与元胞区基本相同的多个P柱，对于结终端区域的有效电场分量从硅外延层体内的纵向电场逐渐过渡到表面的横向电场，因而传统的超结器件结终端结构不能很好地承受较高的击穿电压。本发明超结器件的结终端区设置数个间隔的P柱，每个P柱内通过设置不连续的二氧化硅隔离区将P柱分隔成多段P柱区。本发明超结器件的结终端结构能够更好地实现电势分布，减小了超结器件的结终端的面积，从而减小了超结器件的制作成本。
一种器件终端结构及其制造方法

[发明专利]一种超结MOSFET的制造方法-CN201210292876.9有效
发明人：陈桥梁;任文珍;陈仕全;马治军;杜忠鹏 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种超结MOSFET的制造方法。本发明通过以下步骤实现：提供n型重掺杂的n+衬底，并在n+衬底上形成n型外延层，之后形成p阱区、复合缓冲层；在硅片上生长场氧化层；通过光刻场氧化层界定出器件元胞区，以及预留部分场氧作为源区n+注入的阻挡层；生长栅氧化层，淀积多晶硅，并通过光刻界定出多晶硅栅极的区域；用多晶硅层及场氧层作为源区n型杂质离子注入的阻挡层，并进行推阱形成源区n+；与整个半导体硅片表面淀积介质层；通过光刻，界定出接触孔区域，并进行介质层刻蚀，刻蚀出接触孔；在介质层上淀积金属层，并刻蚀。本发明可以用传统的半导体制造工艺实现，不会增加工艺的难度，从而降低生产成本。
一种 mosfet 制造方法

[发明专利]超结器件的结终端结构-CN201210371525.7有效
发明人：陈桥梁;姜贯军;陈仕全;马治军;杜忠鹏 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种超结器件的结终端结构。本发明的结终端结构的结终端区设置若干个不均匀掺杂P柱，P柱的补偿注入掩膜板上设置有不连续的阻挡图形；若干个不均匀掺杂P柱通过对均匀掺杂P柱的不均匀杂质补偿注入来实现，在深槽刻蚀及外延填充或多次外延多次离子注入方式形成均匀掺杂P柱后，从版图设计上进行相应调整P柱的磷离子补偿注入的有效注入面积；不连续的阻挡图形通过调整磷离子补偿注入区域的阻挡图形的大小与数目，决定了P柱的补偿注入的有效注入面积。本发明可以有效地改善结终端器件的击穿电压特性，并且具有较短的结终端长度，使得器件的总体器件面积得到缩小，在相同的芯片面积上进一步减小了器件导通电阻。
器件终端结构

[发明专利]一种超结高压功率器件的制造方法-CN201210292879.2有效
发明人：陈桥梁;任文珍;陈仕全;马治军;杜忠鹏 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种超结高压功率器件的制造方法。本发明提供n型重掺杂的n+衬底，并在n+衬底上形成n型外延层、之后形成p阱区、复合缓冲层；在硅片上生长场氧化层，界定出器件的有源区，生长栅氧化层，界定出多晶硅第一次刻蚀的区域；整个半导体硅片表面进行深p+注入，前面工艺形成的多晶硅区域可以界定形成p+区域；将硅片置于多晶硅刻蚀液中，通过控制刻蚀时间及刻蚀速率，将多晶硅进行二次刻蚀，之后形成型源区n+；与整个半导体硅片表面淀积介质层，界定出接触孔区域，并进行氧化层刻蚀；淀积金属层，通过光刻，定义出刻蚀区域，进行金属刻蚀。本发明提高器件的雪崩耐量，改善器件的可靠性，并且不影响器件的开启电压和导通电阻。
一种高压功率器件制造方法

[发明专利]一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺-CN201210292965.3有效
发明人：陈桥梁;任文珍;陈仕全;马治军;杜忠鹏 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺。本发明在P型体区离子注入之后采用高能硼离子使用接触孔光刻版掩膜注入在P型体区内形成P+区埋层结构，多晶硅栅极结构制备之后采用较低能量的砷离子进行自对准注入在P+区埋层上侧形成N+源区，然后淀积BPSG介质层，采用接触孔光刻版掩膜形成接触孔并对硅进行过刻蚀形成浅槽，穿通N+源区并进入到P+区内，形成U型的P+区。本发明减小了寄生NPN晶体管的基极长度，从而降低了基极电阻，因而增大了寄生NPN晶体管开启的难度，提高了功率器件的雪崩能量；只需要P柱光刻版、P型体区光刻版、多晶硅栅光刻版、接触孔光刻版和金属光刻版等五张光刻版，大大降低了工艺制作成本。
一种浅槽源电极结构器件制作工艺

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