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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括三态反相器的触发器-CN202310728280.7在审
发明人：金夏永;李达熙;吴炯锡;李根昊;宋泰中;赵成伟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：一种触发器包括至少一个第一鳍；与至少一个第一鳍平行的至少一个第二鳍；至少一个第一鳍上的第一和第二电力触点；至少一个第二鳍上的第一和第二接地触点；第一和第二电力触点之间以及第一和第二接地触点之间的至少一个第一鳍和至少一个第二鳍上的第一和第二栅极图案；第一和第二栅极图案之间的至少一个第一鳍上的第三和第四栅极图案；第一和第二栅极图案之间的至少一个第二鳍上的第五和第六栅极图案；分别在第一、第三和第五栅极图案上的第一、第二和第三触点；在第三和第四栅极图案之间的至少一个第一鳍上的第四触点；在第五和第六栅极图案之间的至少一个第二鳍上的第五触点；以及分别在第四、第六和第二栅极图案上的第六、第七和第八触点。
包括三态反相器触发器

[发明专利]包括三态反相器的触发器-CN201710574018.6有效
发明人：金夏永;李达熙;吴炯锡;李根昊;宋泰中;赵成伟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：一种触发器包括输入接口、第一锁存器、第三反相器和第二锁存器。第三反相器和第五反相器包括：形成在第一类型的鳍上的被电力供应电压供应的第一电力触点和第二电力触点之间的第一类型的第一晶体管，以及形成在第二类型的鳍上的被接地电压供应的第一接地触点和第二接地触点之间的第二类型的第二晶体管。
包括三态反相器触发器

[发明专利]包括控制信号生成电路的触发器电路-CN202210691210.4在审
发明人：姜秉坤;李达熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：一种触发器电路，包括：第一主锁存器电路，其根据具有第一逻辑电平的第一控制信号或具有第二逻辑电平的第二控制信号，将从外部设备接收的输入信号的反相信号发送到第一节点，并且将第一节点的信号的反相信号发送到第二节点；第一从锁存器电路，其根据具有第二逻辑电平的第一控制信号或具有第一逻辑电平的第二控制信号，将第二节点的信号的反相信号发送到第三节点；第一输出反相器，其通过将第三节点的信号反相来生成第一输出信号；以及第一控制信号生成电路，其基于时钟信号和第一节点的信号来生成第一控制信号和第二控制信号。
包括控制信号生成电路触发器

[发明专利]半导体器件-CN202111140781.0在审
发明人：姜秉坤;柳泰俊;梁承贤;李达熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：在第一方向上延伸的多条电源线；第一晶体管，每个第一晶体管形成在第一区域中并具有第一阈值电压；以及第二晶体管，每个第二晶体管形成在第二区域中并具有高于第一阈值电压的第二阈值电压。所述多条电源线中的一条插置在第一区域和第二区域之间，第一晶体管实现多路复用器的第一部分、时钟缓冲器和第一锁存器，该多路复用器的第一部分、时钟缓冲器和第一锁存器设置在数据路径上，第二晶体管实现多路复用器电路的第二部分和第二锁存器，该多路复用器电路的第二部分和第二锁存器设置在反馈路径上，多路复用器电路的第一部分和多路复用器电路的第二部分沿着第一方向设置在公共位置。
半导体器件

[发明专利]包括延迟电路的高速触发器电路-CN202110697595.0在审
发明人：姜秉坤;金昌泛;李达熙;金佑奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：提供了触发器。该触发器包括主锁存器和从锁存器。主锁存器包括延迟电路，该延迟电路被配置为接收时钟信号并生成第一内部信号，并且被配置为通过基于第一内部信号锁存数据信号来生成内部输出信号。从锁存器被配置为通过锁存内部输出信号来生成最终信号。延迟电路还被配置为当时钟信号具有第一逻辑电平时，通过将时钟信号延迟延迟时间来生成第一内部信号，并且当时钟信号具有第二逻辑电平时，基于数据信号生成第一内部信号。
包括延迟电路高速触发器

[发明专利]锁存电路、以及包括其的触发器电路-CN202110404413.6在审
发明人：姜秉坤;金佑奎;柳泰俊;李达熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种主锁存电路，包括：串联连接的第一p型晶体管、第一n型晶体管和第二n型晶体管；连接到第一p型晶体管和第一n型晶体管的第一节点；以及NAND电路，被配置为接收第一节点的信号和时钟信号并输出的NAND运算的结果到第二节点，其中第一p型晶体管的栅极连接至第二节点。
电路以及包括触发器

[发明专利]集成电路-CN201610703399.9有效
发明人： 李达熙;徐在禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(IC)。所述集成电路包括第一电路、第一阱和第二阱。第一电路设置在基板上并且构造成在第一电压逻辑电平与第二电压逻辑电平之间移位第一比特信号。第一阱设置在基板上的单元中并且偏置到第一电压。第一阱与单元的第一边缘分隔开。第二阱设置在单元中并且偏置到第二电压。第二阱设置成接触单元的与第一边缘相对的第二边缘。第一电路包括分别设置在第一阱和第二阱中的多个晶体管。
集成电路

[发明专利]时钟门控单元及集成电路-CN202010790558.X在审
发明人： 李达熙;姜秉坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：提供了时钟门控单元及集成电路。所述时钟门控单元可包括：第一2‑输入逻辑门，所述第一2‑输入逻辑门被配置为接收时钟输入和第一信号并且生成第二信号；反相器，所述反相器被配置为接收所述第二信号并生成时钟输出；以及3‑输入逻辑门，所述3‑输入逻辑门包括第二2‑输入逻辑门，所述3‑输入逻辑门被配置为生成所述第一信号。所述第一2‑输入逻辑门和所述第二2‑输入逻辑门通过交叉耦接形成置位复位(SR)锁存器，所述3‑输入逻辑门包括反馈晶体管，所述反馈晶体管被配置为独家接收所述第一2‑输入逻辑门的内部信号，并且所述反馈晶体管被所述内部信号的激活被配置为：通过防止第一节点的上拉或下拉来避免竞争状况，在所述第一节点处所述第一信号被生成。
时钟门控单元集成电路

[发明专利]半导体器件-CN202010748817.2在审
发明人：姜秉坤;金昌汎;李达熙;崔银希 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一栅电极，设置在基板上并在第一水平方向上延伸；第一栅极接触和虚设栅极接触，在第一水平方向上彼此间隔开并与第一栅电极的顶表面接触；第一互连线，在第二水平方向上延伸并在关于基板的上表面的垂直方向上与第一栅极接触重叠；以及电压发生器，配置为产生第一电压并经由第一互连线和第一栅极接触将第一电压施加到第一栅电极。第一栅电极经由第一互连线和第一栅极接触从电压发生器接收第一电压。虚设栅极接触经由第一栅电极接收第一电压。
半导体器件

[发明专利]包括多高度单元的集成电路和制造集成电路的方法-CN201910460009.3在审
发明人：林辰永;朴在浩;白尚训;俞炫圭;李达熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路，包括：沿第一方向在第一行中延伸的至少一个有源区；沿第一方向在第二行中延伸的至少一个有源区；以及多高度单元，包括第一行中的至少一个有源区、第二行中的至少一个有源区、沿与第一水平方向相交的第二方向上延伸的至少一条栅极线，其中，第一行中的至少一个有源区和第二行中的至少一个有源区中的每个有源区被扩散切断终止。
包括高度单元集成电路制造方法

[发明专利]具有交叉耦合构造的集成电路-CN201811276469.2在审
发明人：都桢湖;李达熙;林辰永;宋泰中;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路。所述集成电路可包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区可彼此平行地沿第一水平方向在基底上延伸并且具有彼此不同的导电类型。第一栅极线可在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，并且可与第一有源区形成第一晶体管。第一晶体管可包括施加有第一输入信号的栅极。第一栅极线可包括在垂直方向上与第一有源区叠置的并且具有位于第一有源区与第二有源区之间的区域上的端部的第一部分栅极线。
源区栅极线集成电路晶体管彼此平行导电类型交叉耦合延伸叠置基底施加

[发明专利]集成电路及其制造方法以及集成电路的导电层-CN201810305468.X在审
发明人：金夏永;金昌汎;卢贤定;宋泰中;李达熙;赵成伟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供了集成电路及其制造方法以及集成电路的导电层。一种集成电路包括：在第一导电层中的第一导电图案；第二导电图案，在第一导电层之上的第二导电层中；以及通路，与第一导电图案和第二导电图案电连接以允许从第一导电图案流动到第二导电图案的第一电流和从第二导电图案流动到第一导电图案的第二电流在不同的时间经过。通路布置在第一导电图案上使得在第一导电图案中第一电流的路径不与第二电流的路径重叠。
导电图案集成电路第一导电层导电层第二导电层电连接流动制造

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