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[实用新型]一种河道快速疏通装置-CN202223226130.6有效
发明人：冯芬;金德洲;李维毅 -专利权人：中水生态建设（江苏）有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： E02B15/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种河道快速疏通装置，涉及河道疏通技术领域，包括疏通箱体，疏通箱体的顶面设置有清淤泵，疏通箱体顶面位于清淤泵的一侧设置有顶部安装架，顶部安装架的内侧设置有安装框，安装框的底面设置有过滤网，清淤泵的底面输入端设置有吸取管，疏通箱体的底面位于吸取管的另一侧设置有搅动装置，清淤泵的顶面输出端设置有连接管，采用在顶部安装架的内侧设置有安装框，并在安装框的底面设置有过滤网，疏通箱体与顶部安装架是可拆卸的分离结构，在过滤网的内部堆积较多的垃圾后，可以直接将顶部安装架和过滤网取出来对垃圾进行单独处理，通过该种方式不需要人员手动清理疏通箱体，不存在清理死角，减少异味的产生。
一种河道快速疏通装置

[实用新型]一种水利工程清淤装置-CN202223382601.2有效
发明人： 李维毅;徐红林;郑宇 -专利权人：中水生态建设（江苏）有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： E02F5/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种水利工程清淤装置，涉及水利工程清淤技术领域，包括清淤箱体，清淤箱体的底面设置有过滤箱体，清淤箱体的顶面居中处设置有吸污管，吸污管的一侧设置有吸污泵，清淤箱体的顶面位于吸污管的周围设置有转动电机，转动电机的输出端设置有搅拌叶片，清淤箱体的内部位于搅拌叶片的底面设置有分流盘，分流盘的内部设置有粉碎电机，粉碎电机的输出端设置有连接轴，采用吸污泵将水利工程中的垃圾吸至清淤箱体的内部后，通过转动电机带动搅拌叶片转动可以将树叶和垃圾等杂物进行集中破碎处理，并经过粉碎盘进行进一步处理从而可以将树叶和垃圾处理成体积较小的杂物，便于在清理的过程中进行及时处理，可以降低垃圾运输的难度。
一种水利工程清淤装置

[实用新型]一种散热灯壳及其灯具-CN201921867990.3有效
发明人：沈金山;王飞飞;李维毅 -专利权人：中山市创智光电有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： F21V29/503 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种散热灯壳及其灯具，灯壳主体，所述灯壳主体至少在表面覆盖有非金属材料；灯板，所述灯板的背光面朝向所述灯壳主体的内底部；导热膜，所述导热膜设置在所述灯板和所述灯壳主体之间，所述灯板安装在所述灯壳主体上并压紧所述导热膜，所述导热膜紧贴所述灯板的背光面和所述灯壳主体的内底部，所述导热膜从所述灯壳主体的内底部延伸到所述灯壳主体的内壁，形成导热通道。本实用新型利用导热膜将灯板的背光面的热量引导出来，并让热量在非金属外壳与导热膜的接触位置散发出去，从而使非金属外壳不与灯板接触的位置也能辅助散热，提高散热面积。
一种散热及其灯具

[发明专利]Ⅲ族氮化物HEMT模块及其制法-CN201710097227.6有效
发明人： 李维毅;杨辉;蔡勇;张宝顺;陈敬 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT模块，其包括：Ⅲ族氮化物HEMT器件，包括源、漏、栅极以及异质结构等，该栅极包括保护型栅极和耗尽型栅极；以及，与所述HEMT器件电连接的驱动模块和过温、过流保护模块等。藉由本申请的前述器件设计，可以通过耗尽型栅极实现HEMT器件的导通、关断，并通过保护型栅极作为安全开关对HEMT器件进行保护，同时通过过温、过流保护模块等实现HEMT器件中温度、电流的监控，以及，通过集成的驱动模块还可实现对HEMT器件的控制并提供失效保护，且减小寄生电容等的影响，克服现有耗尽型HEMT器件在实际使用中的缺陷。本申请还公开了制作所述Ⅲ族氮化物HEMT模块的方法。
氮化物 hemt 模块及其制法

[发明专利]通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统-CN201610250596.X有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;李维毅 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统。所述方法包括：将刻蚀样品与陪片放置在刻蚀设备内的等效刻蚀位置，使所述刻蚀样品的刻蚀表面和所述陪片直接暴露在刻蚀环境内，通过监控所述陪片的两个电极之间的电流变化实现对所述刻蚀样品的刻蚀监控，并相应的实时调整刻蚀条件，从而实现凹栅增强型HEMT器件的精确、可控的制备。所述系统包括：具有与刻蚀样品相同的外延结构的陪片，电流监控装置以及控制单元。本发明有效解决了现有刻蚀技术中通过单一的刻蚀条件、单一的刻蚀速率及简单地通过刻蚀时间实现不同的刻蚀深度而产生的诸多缺陷，可以实现对刻蚀过程的实时监控和及时调整，且设备简单，成本低廉，适于大规模生产。
刻蚀样品增强型HEMT器件刻蚀监控凹栅刻蚀制备刻蚀条件电流监控装置电流变化刻蚀表面刻蚀过程刻蚀环境刻蚀技术刻蚀设备刻蚀位置实时调整实时监控外延结构有效解决电极可控的监控暴露

[发明专利]通过原位刻蚀监控实现P型氮化物增强型HEMT的方法及系统-CN201610250471.7有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;李维毅 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控原位刻蚀P型半导体HEMT器件的方法及系统。在本发明的一典型实施案例中，通过将所述刻蚀样品的刻蚀表面直接暴露在等离子体中，并将镀有电极的陪片放置在刻蚀设备内的、与所述样品等效的刻蚀位置，使得所述样品上的刻蚀速率与陪片上的刻蚀速率相同，因此可以通过陪片上两个电极之间电流的变化监测样品上P型半导体的刻蚀情况，之后将得到的电流信号输入到计算机，并以计算机控制刻蚀条件，即可以实现可控、精确及带有反馈的刻蚀工艺。本发明有效的解决了现有刻蚀技术中通过单一的刻蚀条件、单一的刻蚀速率及简单地通过刻蚀时间实现不同的刻蚀深度所导致的诸多缺陷，可以高精度及高重复性的实现P型盖帽层增强型HEMT器件的制备。
刻蚀刻蚀条件电极等离子体增强型HEMT器件计算机控制变化监测电流信号高重复性刻蚀表面刻蚀工艺刻蚀技术刻蚀监控刻蚀设备刻蚀位置刻蚀样品盖帽层增强型可控制备反馈监控计算机暴露

[外观设计]单车-CN201730449057.4有效
发明人：张力;李维毅;龚超;陈守玉 -专利权人：武汉东湖学院;张力
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： 12-11 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称单车。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于代步交通工具。3．本外观设计产品的设计要点产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
单车

[实用新型]通过电荷工程实现的弱极化HEMT器件-CN201621264822.1有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;李维毅;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通过电荷工程实现的弱极化HEMT器件，其包括异质结构以及与异质结构配合的栅电极、源电极和漏电极，所述异质结构包括沟道层和势垒层，所述源电极和漏电极通过所述异质结构中的二维电子气电连接，所述势垒层为铝组分含量在20％以下的低铝组分势垒层，并且在所述势垒层上或者在所述势垒层中还形成有能够在所述异质结构中感应出足够浓度的二维电子气的空间电荷区。本实用新型通过改善器件的外延结构，利用电荷工程在异质结构中实现高密度的二维电子气，可避免或降低势垒层与沟道层的晶格失配，有效提高器件的可靠性和阈值电压的稳定性。
通过电荷工程实现极化 hemt 器件

[发明专利]基于双层盖帽层结构的Ⅲ族氮化物HEMT器件及其制作方法-CN201611043281.4在审
发明人： 李维毅;张宝顺;蔡勇;张志利;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双层盖帽层结构的Ⅲ族氮化物HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括外延层以及与外延层配合的源极、漏极和栅极，所述外延层包括异质结构，所述异质结构包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体上依次形成有第一、第二盖帽层，所述第一盖帽层能够通过电离施主产生电荷以补偿所述第二半导体的表面受主能级，所述第二盖帽层能够减少或防止所述外延层表面产生自然氧化层及悬挂键。本发明通过在HEMT器件结构中设置双层盖帽层结构，可以有效抑制器件的电流崩塌以及大幅提高器件的阈值稳定性，实现高性能Ⅲ族氮化物HEMT器件，同时工艺过程简单，成本低廉，无二次外延的要求，与现有的器件制造工艺兼容。
基于双层盖帽结构氮化物 hemt 器件及其制作方法

[实用新型]增强型自支撑垂直结构Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaN HEMT器件-CN201620554498.0有效
发明人：宋亮;付凯;张志利;孙世闯;李维毅;李夏珺;郝荣晖;袁洁;于国浩;邓旭光;范亚明;蔡勇;张宝顺 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增强型自支撑垂直结构Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaN HEMT器件。在一优选实施例中，所述HEMT器件包括N极性外延结构，所述N极性外延结构包括依次形成于衬底上的电流阻挡层、N极性的第一AlGaN层、N极性本征GaN层和N极性的第二AlGaN层，所述衬底、本征GaN层分别与漏极、源极形成欧姆接触，所述栅极设置在第二AlGaN层上，所述电流阻挡层内分布有沿竖直方向贯穿电流阻挡层的电流导通通道，且所述电流导通通道的电阻率小于所述电流阻挡层。本实用新型提供的增强型自支撑垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件具有垂直结构，同时实现了增强型，还具有高耐压、低漏电等优点，且其制备工艺简单，易于操作，成本低，有利于工业化生产。
增强支撑垂直结构氮化物 hemt 器件 algan gan

[发明专利]通过p型钝化实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT-CN201610403535.2在审
发明人：宋亮;郝荣晖;付凯;张志利;孙世闯;李维毅;李夏珺;袁洁;于国浩;邓旭光;范亚明;蔡勇;张宝顺 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对所述第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；制作与所述异质结构连接的源、漏、栅极，并使所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了一种增强型HEMT。本发明具有工艺简单，重复性高，器件性能稳定优良，成本低廉，易于进行大规模生产等优点。
通过钝化实现增强 hemt 方法

[发明专利]通过晶振实现对刻蚀样品原位刻蚀监控的方法及系统-CN201610250314.6在审
发明人：张宝顺;张志利;蔡勇;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮;李维毅 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过晶振实现对刻蚀样品原位刻蚀监控的方法及系统。所述的方法包括：将刻蚀样品与镀有薄膜的晶振放置在刻蚀设备内的等效刻蚀位置，以保证刻蚀样品与晶振处于相同的刻蚀条件下，并且在相同刻蚀条件下，所述刻蚀样品的刻蚀速率与所述晶振上薄膜的刻蚀速率成线性比例关系；使所述刻蚀样品的刻蚀表面和所述晶振上的薄膜直接暴露在刻蚀环境内，通过监控所述晶振上薄膜的厚度变化而实现对所述刻蚀样品的刻蚀速率的实时监控，并相应的实时调整刻蚀条件，从而实现对样品精确可控的刻蚀。本发明利用晶振等对样品的刻蚀过程进行原位监测，可以有效的计算出实时的刻蚀速率和刻蚀深度，达到精确控制的目的，同时满足复杂刻蚀的要求。
通过实现刻蚀样品原位监控方法系统

[实用新型]一种隔离开关防瓷瓶断裂绝缘支架-CN201320082214.9有效
发明人：王铁钢;赖长琦;贾守辉;李维毅;张星;张辉 -专利权人：吉林省电力有限公司通化供电公司;国家电网公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电力辅助工具，即一种隔离开关防瓷瓶断裂绝缘支架。它包括至少一个梯形绝缘支架，梯形绝缘支架下端带有与隔离开关构架槽钢连接的卡具，梯形绝缘支架上端带有与隔离开关瓷瓶搭接的铁制护栏；梯形绝缘支架对应连接有一个与地面斜撑的绝缘支杆。所述的梯形绝缘支架为三个，三个梯形绝缘支架之间通过至少一个绝缘横拉杆串接。以支撑力代替绝缘瓷瓶自身重力，很好地解决了GW5型隔离开关及相近类型隔离开关操作不灵活导致绝缘瓷瓶受力断裂，致使导线接地短路等问题。具有安装调试方便，操作灵活，运输方便的特点，能够保证了现场操作人员安全，可以推广应用与同类型隔离开关的防护。
一种隔离开关瓷瓶断裂绝缘支架

[发明专利]一种隔离开关防瓷瓶断裂绝缘支架-CN201310056829.9有效
发明人：王铁钢;赖长琦;贾守辉;李维毅;张星;张辉 -专利权人：吉林省电力有限公司通化供电公司;国家电网公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01H31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电力辅助工具，即一种隔离开关防瓷瓶断裂绝缘支架。它包括至少一个梯形绝缘支架，梯形绝缘支架下端带有与隔离开关构架槽钢连接的卡具，梯形绝缘支架上端带有与隔离开关瓷瓶搭接的铁制护栏；梯形绝缘支架对应连接有一个与地面斜撑的绝缘支杆。所述的梯形绝缘支架为三个，三个梯形绝缘支架之间通过至少一个绝缘横拉杆串接。以支撑力代替绝缘瓷瓶自身重力，很好地解决了GW5型隔离开关及相近类型隔离开关操作不灵活导致绝缘瓷瓶受力断裂，致使导线接地短路等问题。具有安装调试方便，操作灵活，运输方便的特点，能够保证了现场操作人员安全，可以推广应用与同类型隔离开关的防护。
一种隔离开关瓷瓶断裂绝缘支架

[实用新型]一种风压调整器测试台-CN201220628000.2有效
发明人：何彦荣;李玉莲;赵玉玲;李维毅 -专利权人：天津铁路信号有限责任公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种风压调整器测试台，包括负载装置、测试装置和控制装置，负载装置由若干减速器组成，测试装置包括测试平台，测试平台上设有电空阀、截止阀、电子式风压调整器，测试平台通过管路与负载装置连接，控制装置为控制器，控制器通过旋转机构安装在测试装置上，在调试时，将控制器旋转90度，调试完毕，再将控制器转回原位。本实用新型的有益效果是：通过风压调整器测试台的负载装置、测试装置和控制装置对减速器进行各级压力的调整，使其越接近实际使用工作情况，上道后调整所需时间就越少，现场用户的调整也越简单；具有结构简单，维修方便，外形美观、操作方便，测试效率高等优点。
一种风压调整器测试

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