“李知尚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]非易失性存储器设备及其操作方法-CN201810762275.7有效
发明人： 李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器设备的操作方法，该非易失性存储器设备包括分别连接到多个字线的多个存储器单元。该操作方法包括：将擦除检测电压施加到多个字线中的所选字线，以响应于编程命令对连接到所选字线的存储器单元执行擦除检测操作；在擦除检测操作之后，将编程电压施加到所选字线；以及对已经执行擦除检测操作的存储器单元中的欠擦除单元的数目进行计数。
非易失性存储器设备及其操作方法

[发明专利]在存储设备中读取数据的方法及非易失性存储设备-CN201710872278.1有效
发明人：韩煜基;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：在非易失性存储设备中读取数据的方法中，所述非易失性存储设备包括被布置在多个字线和多个位线的交叉点处的多个存储单元，接收对所述多个字线中的第一字线的读取请求；对与所述第一字线相邻的第二字线执行读取操作；以及基于从所述第二字线的存储单元读取的数据对所述第一字线执行读取操作。通过基于从所述第二字线的存储单元读取的数据的编程状态和所述非易失性存储设备的操作参数中的至少一个来调整被在所述第一字线的读取操作期间施加到所述第一字线的恢复读取电压的电平，而执行对所述第一字线的读取操作。
存储设备读取数据方法非易失性

[发明专利]非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法-CN202211096242.6在审
发明人：金俊镐;金真怜;朴世桓;李书荣;李知尚;张俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法。通过基于一个或更多个分组读取电压针对一条或更多条干扰源字线执行读取操作，来将连接到所述一条或更多条干扰源字线的干扰源存储单元分组成干扰源单元组，其中所述干扰源字线与存储块的字线当中的对应于读取地址的选定字线相邻。将连接到所述选定字线的选定存储单元分组成分别对应于所述干扰源单元组的选定单元组。确定分别对应于所述选定单元组的组读取条件并且基于所述组读取条件针对所述多个选定单元组执行组读取操作。通过根据操作环境的变化将所述选定存储单元分组成所述选定单元组来减少读取错误。
非易失性存储装置以及操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其编程方法-CN201810018862.5有效
发明人： 李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性存储器装置和存储器系统，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接至多条字线和多条位线的多个存储器单元；行解码器，其构造为选择性地控制所述多条字线；页缓冲器，其包括分别对应于所述多条位线的多个锁存器；以及控制电路，其构造为响应于在编程循环的运行操作期间产生的挂起请求，在所述多个存储器单元的编程操作的编程循环的验证操作终止之后，控制非易失性存储器装置进入挂起状态。
非易失性存储器装置及其编程方法

[发明专利]闪存设备及其数据恢复读取方法-CN202211405464.1在审
发明人：朴恩香;张俊锡;朴世桓;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种闪存设备包括与字线连接的存储器单元阵列和通过数据恢复读取操作对字线执行阈值电压补偿的控制逻辑。当在选择的字线之后对其执行编程的字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的数据恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。当在选择的字线之后对其执行编程的下一字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的前一字线的数据读取恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。
闪存设备及其数据恢复读取方法

[发明专利]在非易失性存储器(NVM)装置中读取数据的方法和NVM装置-CN202211224415.8在审
发明人：张孝正;金真怜;朴世桓;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了在包括具有多个状态的多个存储器单元的非易失性存储器装置中读数据的方法和非易失性存储器装置，该多个状态包括第一状态和第二状态。在该方法中，执行针对第一状态的第一读取操作，执行针对第二状态的第二读取操作。为了执行第一读取操作，通过执行针对第一状态的谷单元计数操作获得针对第一状态的谷的单元计数，基于单元计数和针对第一状态的至少一个第一参考参数确定针对第一状态的第一读取电压电平，通过使用第一读取电压电平来执行针对第一状态的第一感测操作。为了执行第二读取操作，基于单元计数和第二状态的至少一个第二参考参数确定针对第二状态的第二读取电压电平，通过使用针对第二读取电压电平执行针对第二状态的第二感测操作。
非易失性存储器 nvm 装置读取数据方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法和包括在其中的页缓冲器-CN202210986918.2在审
发明人：曹溶成;金珉辉;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：公开了一种存储器装置及其操作方法和页缓冲器。存储器装置包括：包括存储器单元的存储器单元阵列；数据锁存器，其与读出节点连接并被配置为存储要存储在存储器单元中的第一存储器单元中的数据；与读出节点连接的读出锁存器；临时存储节点；开关，其连接在读出锁存器和临时存储节点之间并且被配置为响应于临时存储节点设置信号而操作；第一预充电电路，其被配置为根据临时存储节点的电平选择性地对与第一存储器单元对应的第一位线进行预充电；和控制逻辑电路，其被配置为控制数据锁存器、读出锁存器和临时存储节点之间的转储操作。控制逻辑电路被配置为在第一预充电电路选择性地对第一位线预充电的同时执行从数据锁存器到读出锁存器的转储操作。
存储器装置及其操作方法包括中的缓冲器

[发明专利]非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器-CN201711223276.6有效
发明人： 李知尚;金炳秀;申东珍;赵志虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：公开非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器。一种用于对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；恢复编程操作以执行编程操作的第二部分，其中，在编程操作中断之后在参考时间内恢复编程操作。
非易失性存储器装置操作方法存储器控制器

[发明专利]非易失性存储设备和其编程方法-CN201711443323.8有效
发明人： 李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：非易失性存储设备可以包括存储单元阵列和控制逻辑。存储单元阵列具有连接到多个字线的多个存储单元。控制逻辑在从用于多个存储单元的编程操作的验证步骤到位线设定步骤的转变过程中控制施加恢复电压到多个字线当中的字线。施加到该字线的恢复电压不同于施加到其他字线的恢复电压。
非易失性存储设备编程方法

[发明专利]非易失性存储器装置-CN201710017111.7有效
发明人：尹铉竣;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；地址解码器，被配置为通过多条字线连接到存储器单元，并且将选择读取电压和未选择读取电压提供至字线；控制逻辑，被配置为控制地址解码器，以在连续读取模式下执行多个读取序列，并且调节至少一个读取序列中的字线设置开始点，以与在至少一个其它读取序列中的字线设置开始点不同，其中，字线设置开始点是选择读取电压和未选择读取电压开始被提供至字线的时刻。
非易失性存储器装置

[发明专利]非易失性存储设备及其操作方法-CN201610645104.7有效
发明人： 李知尚;朴商秀;沈烔教 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种具有存储单元阵列和页缓冲器电路的非易失性存储设备，所述存储单元阵列包括耦合至第一字线至第M字线和第一位线至第N位线的多个存储单元(M2，N2)，所述页缓冲器电路包括分别耦合至第一位线至第N位线、并分别生成第一输出数据至第N输出数据的第一页缓冲器至第N页缓冲器。第K页缓冲器包括第一锁存器至第L锁存器，所述第一锁存器至第L锁存器在读电压被施加到第P字线之后，通过在不同的采样定时处对通过第K位线进行放电的第K输出线的电压进行采样，来生成读数据(K≤N，L1，P≤M)。如果第一锁存器的读数据中的误差可校正，则第K页缓冲器输出第一输出数据。
非易失性存储设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置、包括其的存储装置及其读取方法-CN202111274226.7在审
发明人：朴恩香;金真怜;李知尚;朴世桓;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器装置的读取方法、非易失性存储器装置和存储装置。该方法包括：响应于第一读命令使用默认读电平执行正常读操作；以及当正常读操作中读取的读取数据不可纠正时，响应于第二读命令使用多芯片上谷搜索(OVS)感测操作执行读操作。
非易失性存储器装置包括存储及其读取方法

[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202110742334.6在审
发明人：金佳林;金炯坤;李知尚;张俊锡;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于存储器单元的编程操作和验证操作的电压；以及控制逻辑，被配置为在向存储器单元阵列写入数据的同时执行多个编程循环，使得执行包括编程操作和验证操作的第一至第N(例如，N≥1)编程循环，并且当第N编程循环中的编程操作的通过/失败确定指示通过时，执行其中跳过验证操作的至少两个编程循环。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置、编程方法及存储装置-CN201510437049.8有效
发明人： 李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请公开了非易失性存储器装置、编程方法及存储装置。该非易失性存储器装置包括在垂直于衬底的方向上堆叠的存储器单元，并且还包括连接在选中的位线与选中的串选择线之间的第一存储器单元串、连接在选中的位线与未选中的串选择线之间的第二存储器单元串、以及连接至未选中的位线的第三存储器单元串。在编程操作的位线设定时段期间，向选中的位线提供地电压，并将向未选中的串选择线提供的电源电压变为地电压。
非易失性存储器装置编程方法存储

[发明专利]存储器设备、存储器系统及其操作方法-CN201911139505.5有效
发明人：金润;金东赞;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个NAND串，每个NAND串包括被垂直堆叠在衬底上的分别连接到多个字线的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为生成用于所述NAND串中的第一NAND串的存储器单元的预编程控制信号，以使得在擦除第一NAND串的存储器单元之前，施加到耦合到第一NAND串的相应存储器单元的字线的预编程电压基于相应存储器单元的操作特性而变化。
存储器设备系统及其操作方法

1
2
下一页»
尾页
共 21 条