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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于分离生物靶标的涂敷有高分子物质的纳米粒子复合物及其制备方法-CN202280015547.1在审
发明人：朴成洙;李真烨;吴特鹏;罗炳俊 -专利权人：成均馆大学校产学协力团;金格生物有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N33/543 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于分离生物靶标的纳米粒子复合物及其制备方法等，具体地，涉及一种将涂敷有高分子物质的纳米粒子与受体结合的纳米粒子复合物、其制备方法以及其用途等。
用于分离生物靶标涂敷有高分子物质纳米粒子复合物及其制备方法

[发明专利]包括非易失性存储器和控制器的存储装置及其操作方法-CN201710236665.6有效
发明人：林惠镇;李真烨;姜京花;金珉奭;金敏洙;尹盛远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括非易失性存储器和控制器的存储装置，所述控制器配置为根据外部主机装置的请求生成读取命令并传输读取命令至非易失性存储器。非易失性存储器配置为响应读取命令执行读取操作，输出读取数据至控制器，并储存读取操作的信息在内部寄存器中。
包括非易失性存储器控制器存储装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器件-CN201710232348.7有效
发明人：金兑炫;朴俊泓;徐圣焕;李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器件，包括：内部电路；第一电压焊盘，被配置为向所述内部电路提供第一电压；第二电压焊盘，被配置为向所述内部电路提供第二电压，所述第二电压高于所述第一电压；和外部电源控制逻辑，包括第一电压检测器，被配置为连接到第一电压焊盘，并且基于第一电压的电压电平产生检测信号以在第二电压焊盘和内部电路之间切换；和第二电压检测器，被配置为基于第二电压的电压电平产生标志信号以保护内部电路。
非易失性存储器

[发明专利]半导体装置及其操作方法-CN201911113487.3在审
发明人：李贞九;金大汉;金智允;李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：提供一种半导体装置以及操作方法。半导体装置包括测试电路，该测试电路包括：测试晶体管，其用于使用应力电压测试时间相关的介电击穿(TDDB)特性；输入开关，其被设置在被施加了应力电压的电压施加节点与将应力电压传输到测试晶体管的输入节点之间；以及保护开关，其被设置在输入节点和接地节点之间。
半导体装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器件和相关的字线驱动方法-CN201410339949.4有效
发明人：金水龙;李真烨;李承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储器件和相关的字线驱动方法。非易失性存储器件包括：多个存储块，每个包括排列在字线和位线的交叉点处的多个存储单元；地址解码器，被配置成响应于地址将第一线电连接到存储块中的一个的字线；线选择开关电路，被配置成根据地址以不同的配置将第一线电连接到第二线；第一线解码器，被配置成向第二线提供驱动所需的字线电压；以及电压生成器，被配置成生成字线电压。
非易失性存储器相关驱动方法

[发明专利]非易失性存储器、其的读取方法和包括其的存储系统-CN201310305782.5有效
发明人：李承宰;李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器、该非易失性存储器的读取方法以及包括非易失性存储器的存储系统。非易失性存储器设备包括存储单元阵列和通过位线连接到存储单元阵列的读/写电路。该非易失性存储器设备的读取方法包括：接收安全读取请求；接收安全信息；以及响应于安全读取请求来执行安全读取操作。该安全读取操作包括：使用读/写电路从存储单元阵列中读取安全数据；将读取的安全数据存储在寄存器中；使用接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码；重置读/写电路；并输出安全解码的结果。
非易失性存储器读取安全读取存储单元阵列读/写电路安全数据安全信息存储系统解码寄存器安全数据存储位线重置存储安全输出响应

[发明专利]非易失性存储器件、存储系统及其外部电源控制方法-CN201410024917.5有效
发明人：金兑炫;朴俊泓;徐圣焕;李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：外部电源控制方法包括根据第一外部电压的下降确定是否向第一节点施加第二外部电压；当向第一节点施加第二外部电压时根据第二外部电压的下降来生成标志信号；响应于标志信号向第二节点传送第一节点的电压；以及响应于标志信号对连接至第二节点的内部电路的至少一个电压放电。
非易失性存储器存储系统及其外部电源控制方法

[发明专利]用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法-CN201310047282.6有效
发明人： 李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-04-05 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：公开了一种在页复制操作过程中具有错误检测和校正功能的NAND闪存。该NAND闪存可以防止从源页转录错误位到一个复制页。本发明闪存的实施例包括一个用于校正存储在页缓冲器中源数据的位错误的校正电路，一个配置得适于提供源数据到校正电路以及提供校正数据到页缓冲器的电路，和一个配置得适于复制源数据到页缓冲器、并将校正数据从页缓冲器存储到另一个页的复制电路。
用于复制操作纠错非易失性存储器及其方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN201310182861.1有效
发明人：李锡宪;李真烨;朴大植;金泰均;崔永准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：一组M个存储块；块译码器，每个块译码器与该组M个存储块之一对应，每个块译码器包括用于存储对应的块地址的寄存器；擦除控制器，被配置为控制同时擦除该组M个存储块中的一子组N个存储块的多块擦除操作，擦除控制器还被配置为在多块擦除操作之后，响应于外部提供的擦除校验命令并响应于N个外部提供的块地址之一，控制对于该子组N个存储块的每个的擦除校验操作，其中N大于1并小于或等于M（1
非易失性半导体存储器件

[发明专利]用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法-CN201110008910.0无效
发明人： 李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-04-05 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：公开了一种在页复制操作过程中具有错误检测和校正功能的NAND闪存。该NAND闪存可以防止从源页转录错误位到一个复制页。本发明闪存的实施例包括一个用于校正存储在页缓冲器中源数据的位错误的校正电路，一个配置得适于提供源数据到校正电路以及提供校正数据到页缓冲器的电路，和一个配置得适于复制源数据到页缓冲器、并将校正数据从页缓冲器存储到另一个页的复制电路。
用于复制操作纠错非易失性存储器及其方法

[发明专利]进行高速缓存读取的方法和器件-CN201010167375.9有效
发明人： 李真烨;黄相元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：提供一种半导体器件中的读取方法。该方法包括：以第一存储器单元中的数据来设定位线；和将所述位线上的所述数据存储于寄存器中，其中所述寄存器中的数据在以第二存储器单元中的数据来设定所述位线的同时，被传送至数据总线。
进行高速缓存读取方法器件

[发明专利]快闪存储器编程-CN200910160233.7有效
发明人：李镇旭;李真烨;黄相元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于将快闪存储器设备编程的方法、设备和系统，该方法包括：执行位线设置操作；以及与该位线设置操作同时执行通道预充电操作，该通道预充电操作包括将通道预充电电压施加到所有字线；该设备包括：电压产生器，被布置用于提供编程电压、读取电压、通过电压、以及通道预充电电压中的每一个；高电压开关，其连接到电压产生器，并且被布置用于可切换地提供所述编程电压、读取电压、通过电压、或通道预充电电压之一；以及控制逻辑，其连接到高电压开关，并且被布置用于同时执行位线设置操作和通道预充电操作，所述通道预充电操作包括控制高电压开关以便将通道预充电电压施加到所述设备的被选中的字线和未被选中的字线二者。
闪存编程

[发明专利]闪存设备以及擦除闪存设备的方法-CN200810214795.0无效
发明人： 李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种闪存设备，包括单元阵列以及电压提供和选择部分。该单元阵列包括多条字线，并且电压提供和选择部分被配置成在擦除操作期间产生提供给单元阵列中的字线的至少两个不同电压。
闪存设备以及擦除方法

[发明专利]在与非闪存阵列中施加读电压的方法-CN200710184823.4有效
发明人：姜炯奭;韩义奎;韩庚洙;李真烨;金厚成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种改善闪存阵列的读干扰特性的方法。根据该方法，在具有至少一个单元串的闪存阵列中，将第一读电压电平施加到连接至串选择晶体管的栅极的串选择线和连接至接地选择晶体管的栅极的接地选择线，所述单元串中的串选择晶体管、多个存储单元和接地选择晶体管串联连接。地电压被施加到从存储单元中选择的存储单元的字线。第二读电压被施加到未选择的存储单元中的、与串选择晶体管和接地选择晶体管相邻的存储单元的字线。然后，第一读电压被施加到未选择的其它存储单元。第二读电压低于第一读电压。
闪存阵列施加电压方法

[发明专利]顺序输出熔丝切断信息的半导体器件和测试系统-CN200710167101.8无效
发明人：李裕相;李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：半导体器件包括多个熔丝，以及分别电连接到所述多个熔丝的多个锁存器电路。将所述多个锁存器电路配置为存储来自所述多个熔丝的相应熔丝切断信息，然后通过所述锁存器电路顺序传送所述熔丝切断信息，以输出指示所述多个熔丝的熔丝切断状态的顺序数据。
顺序输出切断信息半导体器件测试系统

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