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[发明专利]一种多层SAW器件中的杂散模态抑制-CN202180095073.1在审
发明人：安德烈·亚埃尔布斯;李昕熠;秦旭东 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及表面声波(Surface Acoustic Wave，SAW)器件。本发明具体提出了一种具有多层结构的SAW器件，其中，杂散模态在所述SAW器件中受到抑制。所述SAW器件(100)包括(111)硅层(101)和设置在所述硅层上的一组交错层(102)。此外，所述SAW器件包括设置在所述一组交错层上的经旋转的YX切型钽酸锂(lithium tantalate，LT)层(103)以及设置在所述LT层上的两个或两个以上电极。所述电极用于将电信号转换为在所述LT层中传播的SAW。
一种多层 saw 器件中的杂散模态抑制

[发明专利]滤波器、射频系统以及电子设备-CN202180046325.1在审
发明人：鲍景富;吴婷;李伍平;黄裕霖;李昕熠;高宗智 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本公开涉及滤波器、射频系统以及电子设备。该滤波器总体上包括上下布置的两个谐振器以及位于这两个谐振器之间的第一耦合层。每个谐振器分别包括上下布置的两个电极以及位于这两个电极之间的压电层。在该滤波器中，至少一个谐振器包括机电耦合系数不低于20％的材料。通过该方案，可以使滤波器的谐振器之间的耦合强度被合理地调控，从而确保滤波器在高频率范围内具有较好的滤波性能。
滤波器射频系统以及电子设备

[发明专利]一种体声波谐振器、声学滤波器及电子设备-CN202280006025.5在审
发明人：张本锋;黄裕霖;李昕熠;高宗智;侯航天 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本申请的实施例提供一种体声波谐振器、声学滤波器及电子设备，涉及半导体技术领域，可以提升声学滤波器的性能。该体声波谐振器包括压电材料层、叉指换能器和介质层；叉指换能器设置于压电材料层上，叉指换能器包括相对设置的第一汇流条、第二汇流条、多个第一电极指和多个第二电极指，多个第一电极指沿第一汇流条延伸方向，依次从第一汇流条向第二汇流条突出；多个第二电极指沿第二汇流条延伸方向，依次从第二汇流条向第一汇流条突出；其中，多个第一电极指和多个第二电极指在第一汇流条和第二汇流条之间依次交错排布；介质层覆盖压电材料层以及叉指换能器，介质层位于至少一对相邻的第一电极指和第二电极指之间的部分的厚度有高低起伏。
一种声波谐振器声学滤波器电子设备

[发明专利]谐振器及其制作方法、滤波器、电子设备-CN202080103401.3在审
发明人：鲍景富;吴兆辉;李亚伟;李昕熠;高宗智 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种谐振器及其制作方法、滤波器、电子设备，涉及谐振器领域，能够抑制谐振器的杂散谐波。该谐振器包括：压电基板、设置在压电基板上的叉指换能器；压电基板包括依次层叠设置的衬底、反射层、压电层；叉指换能器包括：第一汇流条、第二汇流条、以及位于第一汇流条和第二汇流条之间并列、依次交替设置的第一叉指电极和第二叉指电极的多个叉指电极；第一叉指电极与第一汇流条连接，第二叉指电极与第二汇流条连接；谐振器还包括：设置于压电基板上的第一反射槽；第一反射槽位于第一叉指电极与第二汇流条之间的区域。
谐振器及其制作方法滤波器电子设备

[发明专利]谐振器及其制作方法、滤波器、电子设备-CN202080103400.9在审
发明人：鲍景富;吴婷;李昕熠;高宗智 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种谐振器(100)及其制作方法、滤波器、电子设备，涉及谐振器领域，能够抑制谐振器的导纳曲线上的杂散。该谐振器(100)包括：基板(S)、设置在基板(S)上的换能器(T)；换能器(T)包括层叠设置的第一电极(a1)、压电层(a3)、第二电极(a2)；第二电极(a2)相对于第一电极(a1)靠近基板(S)；第一电极(a1)包括第一边缘(e1)，压电层(a3)包括第二边缘(e2)；第一边缘(e1)与第二边缘(e2)平齐设置。
谐振器及其制作方法滤波器电子设备

[发明专利]一种支撑结构的MEMS压电谐振器-CN201710164136.X有效
发明人：鲍景富;李昕熠;秦风;张超;张亭;张翼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明属于射频通信及微机电系统(MEMS)技术领域，提供一种新型支撑结构的MEMS压电谐振器，用以克服现有MEMS谐振器的Q值低的缺陷；本发明MEMS压电谐振器结构中增加圆形外框和内支撑梁，采用硅振动块‑内支撑梁‑圆形外框‑外支撑梁‑基底的连接方式，且将圆形外框与外支撑梁的连接位置选取在机械波在圆形外框中传播时的驻波节点处，从而使内支撑梁传导出的两股机械波在节点处反相而相互抵消，显著减小从谐振体到基底通过支撑梁传导造成的能量耗散，降低锚点损耗，从而提升谐振器的品质因数Q。
一种支撑结构 mems 压电谐振器

[发明专利]一种具有多对驱动感应电极的电容式MEMS谐振器-CN201710191273.2有效
发明人：鲍景富;秦风;李昕熠;鲍飞鸿;张翼;张亭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明属于电子科学技术领域，具体提供一种具有多对驱动感应电极的电容式MEMS谐振器，用以克服现有电容式谐振器输出电流小、带负载能力差的问题；本发明MEMS谐振器，包括1个振动块、4个振动块支撑梁、4个振动块锚点、4个输入输出电极、4个电极支撑梁及4个电极锚点，通过对振动块进行分区掺杂、及输入输出电极掺杂的方法，构造四对驱动感应电极，使谐振器工作时的静电力大幅增加，从而使谐振器的输出电流和最大振动幅度也大幅增加，提高了谐振器的驱动能力。
一种具有驱动感应电极电容 mems 谐振器

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器-CN201710139948.9有效
发明人：鲍景富;李昕熠;鲍飞鸿;张翼;张亭;鲍蕾蕾 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器，涉及射频微机电系统技术领域。本发明谐振器包括基底、支撑台、薄膜结构层和外接电极，所述薄膜结构层包括石墨烯薄膜、压电薄膜和金属钛膜；薄膜结构层中两个石墨烯薄膜分别作为顶电极和底电极，顶电极和底电极相互交叉且隔离设置，并分别对应支撑台形成电气连通；压电薄膜位于顶电极与底电极平面之间形成石墨烯薄膜‑压电薄膜‑石墨烯薄膜的压电谐振堆，顶电极与输入外接电极电气连通，能够基于逆压电效应能够将电能量转换成声波形成谐振，底电极与输出外接电极电气连通，能够将产生信号进行输出。本发明能够有效降低薄膜体声波谐振器的锚点损耗和界面损耗，提高器件的工作频率和高品质因素。
一种薄膜声波谐振器

[发明专利]一种双窄支撑梁高品质因数的压电谐振器-CN201610168600.8有效
发明人：鲍景富;李昕熠;秦风;张超;张翼;张亭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明属于电子科学技术领域，涉及MEMS压电谐振器，提供一种双窄支撑梁高品质因数的压电谐振器，包括振动块、输入端支撑梁、输出端支撑梁、输入端支撑台、输出端支撑台及基底，所述振动块通过支撑梁与支撑台电气连通，支撑台设置于基底上，支撑台上设置外接金属电极，所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区构成，所述输入端P型半导体区位于振动块与输入端支撑梁连接处，连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型，压电层部分覆盖振动块，开设缺口以部分露出输入端P型半导体区，压电层上金属电极通过过渡金属电极连接输入端P型半导体区。本发明结构能够大大减小支撑梁宽度，有效的提高谐振器的品质因数Q。
一种支撑品质因数压电谐振器

[发明专利]一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器-CN201610168651.0有效
发明人：鲍景富;李昕熠;秦风;张超;张翼;张亭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明属于电子科学技术领域，涉及MEMS压电谐振器，具体提供一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器，包括振动块、四条支撑梁、四个支撑台及基底，所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区和输出端P型半导体区构成，所述输入端P型半导体区、输出端P型半导体区分别位于振动块的对角，连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型，振动块上覆盖压电层，输入、输出金属电极置于压电层上，所述压电层部分覆盖振动块，使得输入金属电极与输入端P型半导体区电气连通，输出金属电极与输出端P型半导体区电气连通。本发明结构能够大大减小了由传统支撑梁较大宽度带来的锚点损耗，有效的提高了谐振器的品质因数Q。
一种支撑品质因数压电谐振器

[发明专利]一种抑制杂散模态及馈通的MEMS压电谐振器-CN201510881021.3有效
发明人：鲍景富;李昕熠;张超;陈兆隽;黄裕霖;张翼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明属于射频通信及微机电系统中的元器件技术领域，涉及一种抑制杂散模态及馈通的MEMS压电谐振器，包括差分输入结构、差分输出结构和偶数阶侧向伸缩振动模态MEMS压电谐振器，所述偶数阶侧向伸缩振动模态MEMS压电谐振器包括基底、支撑台、支撑梁、振动块，振动块的振动模态阶数为2N，压电薄膜上设置2N个电极，均分为两组，每组电极中将同相电极互连、形成一对驱动电极及感应电极，两对驱动电极及感应电极对应连接外部互连金属区，形成谐振器两个输入端及输出端，将输入信号经过差分输入结构产生两路差分信号，分别输入谐振器上两个输入端，两个输出端产生两路输出信号，经差分输出结构进行差分处理后输出，能够有效抑制杂散模态及馈通，提升谐振器性能。
一种抑制杂散模态 mems 压电谐振器

[发明专利]具有LC串联谐振电路的MEMS谐振器-CN201410436945.8有效
发明人：鲍景富;李昕熠;王秋苹;郭伟;黄裕霖 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：具有LC串联谐振电路的MEMS谐振器，属于电子科学技术领域。包含振动块及其支撑锚点；输入/输出电极；输入端LC串联谐振结构；输入/输出端。输入端通过电感与输入电极相连；谐振块的支撑锚点处形成LC串联谐振电路中的电容结构。本发明提供的具有LC串联谐振电路的MEMS谐振器，在常规静电驱动电容式MEMS谐振器的输入电极前增加了有电感与电容组成的LC串联谐振电路，其串联谐振频率与振动块机械谐振频率一致。这种结构的引入提高了谐振器的实际输入电压及能量转换效率，使谐振器振动激励出更大的位移，进而使输出幅度提高，有效的改善了谐振器的输出性能。
具有 lc 串联谐振电路 mems 谐振器

[发明专利]一种横向双梁的DC接触式串联MEMS开关-CN201510246961.5有效
发明人：鲍景富;黄裕霖;刘若林;李昕熠;张翼;刘永智 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明属于电子科学技术领域，提供一种横向双梁的DC接触式串联MEMS开关，包括带绝缘介质层的基底，绝缘介质层上的两个横向可移动悬臂梁及其对应的第一驱动电极、第二驱动电极、开关焊盘、电极焊盘；所述两个横向可移动悬臂梁下方悬空且高度位于同一水平面，其固定端分别通过支撑锚点固定于绝缘层上对侧位置、自由端部分交叠且不接触；所述第一驱动电极设置作用于横向可移动悬臂梁中点；所述第二驱动电极设置对应于横向可移动悬臂梁自由端端点。本发明通过两组电极对两个悬臂梁的控制，使开关具有更低的驱动电压和更高的隔离度，并降低了开关时间，使之具有更好的实用性及开关性能。
一种横向 dc 接触串联 mems 开关

[发明专利]一种具有PN结的MEMS电容开关-CN201410234153.2有效
发明人：鲍景富;李昕熠;黄裕霖;李立圆;黄洪云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：一种具有PN结的MEMS电容开关，属于电子技术领域。本发明在MEMS电容开关的上下驱动电极之间增加一个纵向PN结结构，开关在Up态时，上下驱动电极之间不施加驱动电压，电接触点与信号线不相接触；开关在Down态时，上驱动电极在驱动电压作用下下拉，电接触点与信号线接触，同时纵向半导体PN结处于反偏状态。本发明提供的具有PN结的MEMS电容开关，Down态工作时，不会产生电荷注入和积累现象，避免了上下驱动电极的粘结失效问题，又能使MEMS电容开关能够在足够的驱动电压下工作，从而能够保证电接触点与信号线的紧密接触，最终能够提高MEMS电容开关的可靠性和稳定性。
一种具有 pn mems 电容开关

[发明专利]一种具有低插入损耗的MEMS压电谐振器-CN201510873190.2在审
发明人：鲍景富;李昕熠;张超;秦风;鲍飞鸿;张翼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明属于射频通信及微机电系统中的元器件技术领域，涉及一种具有低插入损耗的MEMS压电谐振器，该谐振器采用叉指形状的输入、输出换能电极，使得谐振块上施加的驱动力分布更加均匀，解决了由于宽度增加带来的电极换能器应力分布不均匀的问题，包括基底、支撑台、谐振块、支撑梁，所述谐振块上设置压电薄膜，压电薄膜上设置输入、输出换能电极，输入、输出换能电极通过位于支撑梁上的金属走线与位于支撑台上的外部互连金属区连接导通，其特征在于，所述输入、输出换能电极呈叉指形状分布。本发明压电谐振器，在谐振频率不改变的情况下，通过增加谐振块的宽度w来减小动态阻抗R、并提升品质因数，进而大大降低谐振器的插入损耗。
一种具有插入损耗 mems 压电谐振器

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