本发明的目的在于提供一种相比于现有的I‑线用负性光致抗蚀剂显示出优异的工艺余裕的I‑线用负性光致抗蚀剂组合物。在接触孔(Contact hole)图案的情况下,目的在于改善图案形成时中间部分凹陷的问题。涉及一种在半导体工艺的图案形成工艺中用于改善中间部分凹陷的中心‑边缘之间的台阶差和LER(Line and Edge Roughness:线边缘粗糙度)的I‑线用负性光致抗蚀剂组合物,所述I‑线用负性光致抗蚀剂组合物为由聚合物树脂、由下述化学式1表示的化合物、交联剂、光致产酸剂、酸扩散抑制剂及溶剂组成的组合物。