|
钻瓜专利网为您找到相关结果 13个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体器件-CN201680064390.6有效
-
具知铉;李大熙;李政昱
-
LG伊诺特有限公司
-
2016-11-03
-
2021-07-09
-
H01L33/02
- 根据实施例的半导体器件包括:发光结构,其包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层下方的有源层、在有源层下方的第二导电类型半导体层以及暴露第一导电类型半导体层的底部的多个凹槽;至少一个焊盘,其布置在发光结构的外部并且布置成与至少一个拐角相邻;以及多个绝缘图案,其布置在凹槽中并且延伸到发光结构的底部表面,其中随着绝缘图案离焊盘的距离增加,多个绝缘图案的宽度可以减小。根据该实施例的半导体器件具有防止电流集中在与焊盘相邻的凹槽区域中的效果。
- 半导体器件
|