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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括CIGS光吸收层的太阳能电池及其制造方法-CN201680077575.0有效
发明人：张赫奎;石东洙;李奎炫;李浩根 -专利权人：马卡罗能源有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：步骤(a)、在基板上形成下电极层；步骤(b)、在所述下电极层上供给铜前体以通过使用化学气相沉积法沉积铜薄膜，然后供给镓前体、铟前体及第一硒前体以通过使用化学气相沉积法沉积镓薄膜和铟‑硒薄膜来形成CIGS光吸收层；以及步骤(c)、在所述CIGS光吸收层上顺次形成缓冲层和前电极层。
包括 cigs 光吸收太阳能电池及其制造方法

[发明专利]使用齐纳二极管对感测IGBT的静电放电处理-CN202011048297.0在审
发明人：金慧美;李奎炫;金永哲;洪承贤 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明题为“使用齐纳二极管对感测IGBT的静电放电处理”。主绝缘栅双极晶体管(IGBT)和感测IGBT可具有连接在感测IGBT的感测发射极与主IGBT的主发射极之间的感测电阻器。背对背齐纳二极管可连接在感测IGBT的感测栅极与感测发射极之间，并且被配置为在静电放电(ESD)事件期间钳位感测栅极与感测发射极之间的电压。
使用齐纳二极管 igbt 静电放电处理

[发明专利]功率器件及其制造方法-CN201910922782.7在审
发明人： 李奎炫;李世炅;尹斗锡;姜秀贤;崔嵘澈 -专利权人：快捷韩国半导体有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了功率器件及其制造方法，所述功率器件具有基于半导体衬底的处于集电极区与漂移区之间的以FS‑IGBT结构形式的场阻止(FS)层，其中所述FS层的厚度以及所述集电极区的杂质密度易于调整，且FS层具有改进的功能。
功率器件集电极区漂移区衬底半导体制造改进

[发明专利]功率器件及其制造方法-CN201410302836.7有效
发明人： 李奎炫;金永哲;朴庆锡;李峰龙;崔嵘澈 -专利权人：快捷韩国半导体有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供了具有改善的场阑层的功率器件及其制造方法。所述功率器件包括：由半导体衬底形成的并且为第一导电型的第一场阑层；形成在所述第一场阑层上的并且为所述第一导电型的第二场阑层，所述第二场阑层具有杂质浓度高于所述第一场阑层的区域；形成在所述第二场阑层上的并且为所述第一导电型的漂移区，所述漂移区具有的杂质浓度低于所述第一场阑层；形成在所述漂移区上的多个功率器件单元；以及形成在所述第一场阑层下面的集电极区，其中所述第二场阑层包括具有第一杂质浓度的第一区域和具有第二杂质浓度的第二区域，所述第二杂质浓度高于所述第一杂质浓度。
功率器件及其制造方法

[发明专利]功率器件及其制造方法-CN201310146711.5在审
发明人： 李奎炫;李世炅;尹斗锡;姜秀贤;崔嵘澈 -专利权人：快捷韩国半导体有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了功率器件及其制造方法，所述功率器件具有基于半导体衬底的处于集电极区与漂移区之间的以FS-IGBT结构形式的场阻止（FS）层，其中所述FS层的厚度以及所述集电极区的杂质密度易于调整，且FS层具有改进的功能。
功率器件及其制造方法

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