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[实用新型]一种单晶培养装置-CN201822274855.X有效
发明人：黄生世;李奂钦 -专利权人：宁波卢米蓝新材料有限公司;宁波激智创新材料研究院有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶培养装置，包括容置单元和培养单元，其中，培养单元包括第一瓶体、第二瓶体和第二盖体。第二瓶体的第一区域的部分外周壁面上开设有所需数量的通孔；第二盖体包括封闭部和成型于封闭部上且沿竖向延伸的延伸部；延伸部在第二盖体安装于第二瓶体的第二开口后，具有使至少部分通孔敞开的第一状态，以及使至少部分通孔被遮挡的第二状态。第二瓶体和第二盖体配合使用，能够对延伸部所遮挡的通孔数进行调节，也即，对第二瓶体上通孔的开孔率进行调节。在第二瓶体内盛装有易挥发的第二溶剂时，通过调节开孔率对溶剂的扩散速率进行调节，提高培养的单晶质量。
瓶体第二盖体通孔延伸部培养单元开孔率遮挡本实用新型单晶培养第二溶剂第一区域容置单元竖向延伸体内盛装上通孔外周壁易挥发封闭单晶溶剂成型开口敞开扩散

[实用新型]一种蒸镀装置-CN201920166853.0有效
发明人：江李;李奂钦;汤金明 -专利权人：宁波卢米蓝新材料有限公司;宁波激智创新材料研究院有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种蒸镀装置，包括蒸镀源、至少三段加热部、至少三个温度监测单元、坩埚和驱动轴。蒸镀源随着驱动器包绕在坩埚外部匀速转动，对坩埚周围进行加热，控制器根据温度监测单元反馈的温度信号控制各温度监测单元所对应的控制单元，以调整该控制单元所对应的加热部中加热器升温或者降温，使坩埚竖直方向上各段之间的温度保持相同，降低各段之间的温差，在蒸镀源旋转过程中，各温度监测单元监测对应的坩埚圆周上不同位置的温度，将圆周上的温度差反馈到控制器，控制器控制驱动器加速转动，以降低坩埚圆周方向上各位置间的温度差，使整个坩埚保持统一温度，保证材料的稳定蒸发，使镀膜更加均匀，提高蒸镀材料的利用率，减少资源浪费。
坩埚温度监测单元蒸镀源驱动器坩埚圆周控制器加热部温度差温度信号控制加热器本实用新型控制器控制反馈加速转动温度保持旋转过程匀速转动蒸镀材料蒸镀装置驱动轴包绕镀膜三段竖直加热温差蒸发监测外部保证统一

[实用新型]一种蒸发源挡板装置以及蒸镀设备-CN201920211876.9有效
发明人： 李奂钦;江李 -专利权人：宁波卢米蓝新材料有限公司;宁波激智创新材料研究院有限公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种蒸发源挡板装置以及蒸镀设备，所述挡板装置自上至下依次连接的上挡板、延伸挡板以及底座；所述延伸挡板和底座的夹角为β，0°<β≤90°；所述上挡板和延伸挡板的夹角为θ，90°＜θ＜180°；蒸发源挡板装置结构简单，易于实现，一方面能有效防止蒸发源蒸发过程中材料沉积到蒸发源外部，防止蒸发源表面被污染，另一方面便于蒸发源材料的回收提纯以及重复利用；该蒸镀设备能够有效降低生产成本，其中蒸发源材料的重复利用率可达55％。
蒸发源挡板挡板蒸镀设备蒸发源蒸发源材料夹角为上挡板底座延伸本实用新型重复利用率材料沉积挡板装置依次连接蒸发过程重复利用装置结构提纯回收外部污染

[发明专利]蒸镀装置-CN201610251510.5有效
发明人： 李奂钦 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种蒸镀装置，包括：真空腔(11)、设于所述真空腔(11)内的蒸发源(12)、以及设于所述蒸发源(12)上方的坩埚切换装置(13)，其中，所述坩埚切换装置(13)包括：坩埚载盘(10)、设于所述坩埚载盘(10)上的多个坩埚(30)、以及设于所述坩埚载盘(10)底部与所述坩埚载盘(10)垂直相连的运动轴(20)，通过控制所述运动轴带动所述坩埚载盘旋转和升降运动实现在真空环境下完成蒸镀源上的坩埚切换，实现一个蒸镀源对应多个坩埚，从而增加坩埚载入的数量，减少蒸镀源的数量，延长开腔加料的周期，提高生产效率，降低设备成本。
装置

[发明专利]一种单晶培养装置及单晶培养方法-CN201811653838.5在审
发明人：黄生世;李奂钦 -专利权人：宁波卢米蓝新材料有限公司;宁波激智创新材料研究院有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶培养装置，包括容置单元和培养单元，其中，培养单元包括第一瓶体、第二瓶体和第二盖体。第二瓶体的第一区域的部分外周壁面上开设有所需数量的通孔；第二盖体包括封闭部和成型于封闭部上且沿竖向延伸的延伸部；延伸部在第二盖体安装于第二瓶体的第二开口后，具有使至少部分通孔敞开的第一状态，以及使至少部分通孔被遮挡的第二状态。第二瓶体和第二盖体配合使用，能够对延伸部所遮挡的通孔数进行调节，也即，对第二瓶体上通孔的开孔率进行调节。在第二瓶体内盛装有易挥发的第二溶剂时，通过调节开孔率对溶剂的扩散速率进行调节，提高培养的单晶质量。本发明公开了一种单晶培养方法，利用上述的装置，能够生长得到高质量单晶。
瓶体单晶培养第二盖体通孔延伸部培养单元开孔率遮挡高质量单晶第二溶剂第一区域容置单元竖向延伸体内盛装上通孔外周壁易挥发封闭单晶溶剂成型开口敞开扩散生长