专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种可调节式焊装夹具-CN202223393801.8有效
  • 王成才;李全宝;王家晨 - 烟台沃力特智能科技有限公司
  • 2022-12-19 - 2023-05-23 - B23K37/04
  • 本实用新型公开了一种可调节式焊装夹具,包括底板,底板的内部开设有滑槽,滑槽的内部活动安装有两个工字板,两个工字板的顶部均固定安装有滑座,滑座的顶部固定安装有两个支杆,两个支杆的顶部固定安装有顶板,顶板的内部螺纹连接有螺柱,螺柱的顶端固定安装有摇杆。通过设置的调节孔和定位孔,当工字板在滑动时,可以使得定位孔对应不同的调节孔,并在调节孔和定位孔内部插入螺栓固定,并且滑座在螺杆和滑杆的限位下保持稳定,并使得力矩和位置稳定,可以使得夹持后的工件位置被调节固定,整体调节方便,可以对夹持的工件进行调节参考,便于增加作业的便利性。
  • 一种调节式焊装夹具
  • [发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202210646192.8在审
  • 慎邦威;肖海波;李全宝;戴辛志 - 豪威集成电路(成都)有限公司
  • 2022-06-08 - 2022-08-09 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器及其制造方法,包括:提供衬底,衬底具有相对的第一表面和第二表面;衬底包括像素区域和逻辑区域,逻辑区域中包含比较器区域;在比较器区域靠近第一表面的衬底中形成比较器电路;比较器电路包括NMOS管和PMOS管,NMOS管和PMOS管各自都包括依次位于衬底上的栅氧化层和栅极;在比较器电路下方的衬底中形成深沟槽,并在深沟槽中填充高K介质层形成虚拟深沟槽隔离。通过在比较器电路下方的衬底中形成虚拟深沟槽隔离从而引入H离子,H离子和Si/SiO2悬挂键结合形成Si‑H键,降低衬底与栅氧化层的界面缺陷密度和比较器电路的电流噪声,具体降低像素图像上的点线噪声,提高图像传感器的性能。
  • 图像传感器及其制造方法
  • [实用新型]改善等离子体诱发损伤的图像传感器-CN202123144016.4有效
  • 饶金华;肖海波;李全宝;施喆天;戴辛志 - 豪威科技(上海)有限公司
  • 2021-12-14 - 2022-05-03 - H01L27/146
  • 本实用新型提供的改善等离子体诱发损伤的图像传感器中,衬底包括像素区和测试器件形成区,像素区的衬底背面一侧形成有背面接地结构,测试器件形成区形成有测试器件;互连层形成于衬底的正面一侧,互连层的互连结构与测试器件的栅极结构电连接;金属焊盘凹槽位于像素区和测试器件形成区之间且贯穿衬底,金属焊盘凹槽底部的互连层中形成有导通孔;金属焊盘的一部分位于金属焊盘凹槽内且填满导通孔以与互连结构电连接,且金属焊盘的另一部分跨越至像素区并与背面接地结构电连接。如此,等离子体刻蚀形成金属焊盘而产生的电荷能够通过背面接地结构释放,可以改善甚至消除等离子体诱发损伤对测试器件的影响。
  • 改善等离子体诱发损伤图像传感器
  • [发明专利]半导体器件的制作方法及CMOS图像传感器的制作方法-CN201811288623.8有效
  • 林率兵;李全宝 - 豪威科技(上海)有限公司
  • 2018-10-31 - 2020-10-16 - H01L21/027
  • 本发明提供了一种半导体器件的制作方法及CMOS图像传感器的制作方法,包括:提供一衬底,在衬底上形成图形化的第一光阻;以图形化的第一光阻为掩蔽层在衬底中注入第一类杂质离子;掩膜层填充并覆盖第一光阻;反刻蚀掩膜层以暴露出第一光阻;去除图形化的第一光阻,从而形成图形化的掩膜层,以图形化的掩膜层为掩蔽层在衬底中注入第二类杂质离子。本发明在注入第一类杂质离子后,保留第一光阻,通过掩膜层填充、反刻及去第一光阻实现第一光阻图案的反转,形成的图形化的掩膜层即所需第二类杂质离子注入的掩蔽图形,利用第一光阻反转实现自对准可有效避免现有技术中两次光刻之间的套刻偏移,降低对准工艺难度,提高离子注入的工艺精度。
  • 半导体器件制作方法cmos图像传感器
  • [发明专利]一种堆栈式图像传感器芯片及其制造方法-CN201610518986.0有效
  • 林峰;李全宝 - 豪威科技(上海)有限公司
  • 2016-07-04 - 2019-03-26 - H01L27/146
  • 本发明提供了一种堆栈式图像传感器芯片及其制造方法,所述堆栈式图像传感器芯片的像素区包括第一区域以及位于所述第一区域内的第二区域,所述第一区域和/或所述第二区域内形成有晶柱,通过改变所述晶柱两端的电压,能够使得所述晶柱伸长或者收缩,由此,所述堆栈式图像传感器芯片在接收光线的过程中,可以使得第一区域(即边缘区域)伸长而更接近光源和/或使得第二区域(即中心区域)收缩更远离光源,从而可以使得第一区域(即边缘区域)接收到的光线较第二区域(即中心区域)接收到的光线多,提高了第一区域(即边缘区域)的感光能力,从而弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷,即使得摄像头的成像更加均匀。
  • 一种堆栈图像传感器芯片及其制造方法
  • [发明专利]背照式图像传感器的制备方法-CN201610825527.7有效
  • 刘远良;李全宝 - 豪威科技(上海)有限公司
  • 2016-09-14 - 2019-03-12 - H01L27/146
  • 本发明揭示了一种背照式图像传感器的制备方法,包括:提供一半导体衬底,所述半导体衬底具有第一面以及与所述第一面相背的第二面;在所述半导体衬底的第一面上制备第一外延半导体层、第二外延半导体层;在所述光电二极管区域上的第二外延半导体层中形成第一离子注入区,在所述隔离区域上的第二外延半导体层中形成第一隔离结构,所述第一离子注入区位于背离所述第一外延半导体层的一侧的表面;对所述半导体衬底的第二面进行减薄,直至暴露出所述第一外延半导体层;在暴露出的所述第一外延半导体层中制备第二隔离结构。本发明的背照式图像传感器的制备方法可以提高红外光的量子效率,同时改善蓝光的量子效率。
  • 背照式图像传感器制备方法
  • [发明专利]一种背照式传感器芯片及其制造方法-CN201510197708.5有效
  • 林峰;李全宝;叶果 - 豪威科技(上海)有限公司
  • 2015-04-23 - 2018-05-04 - H01L27/146
  • 本发明提供了一种背照式传感器芯片及其制造方法,所述背照式传感器芯片包括逻辑区和像素区,所述像素区包括像素区边缘区域和位于所述像素区边缘区域内的像素区中心区域;其中,所述像素区边缘区域与所述像素区中心区域之间呈阶梯状布置,且所述像素区边缘区域高于所述像素区中心区域,从而使得摄像时,像素区边缘区域更接近光源。由此,所述背照式传感器芯片在接收光线的过程中,可以使得像素区边缘区域接收到的光线较像素区中心区域接收到的光线多,提高了像素区边缘区域的感光能力,从而弥补了透镜带来的摄像头中心区域和边缘区域之间成像不均匀的缺陷,即使得摄像头的成像更加均匀。
  • 一种背照式传感器芯片及其制造方法

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