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[发明专利]降低图像延迟的CMOS图像传感器及其制备方法-CN201410719590.3有效
发明人： 李全宝 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2014-12-01 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种降低图像延迟的CMOS图像传感器及其制备方法，通过对传统的CMOS图像传感器进行结构上的优化，通过刻蚀衬底的上表面形成宽度方向上由光电二极管延伸至相邻衬底中的沟槽，并于沟槽中形成栅极结构，从而光生电荷由光电二极管很容易的扩散到浮动扩散区，不会在光电二极管中留有残余电荷，因此在下一次读取时不会读取到上一副图像的信息，从而降低了图像延迟。
降低图像延迟 cmos 图像传感器及其制备方法

[发明专利]基于台阶结构的刻蚀方法-CN201611217101.X在审
发明人：陶志波;刘杰;李全宝;安少华 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种基于台阶结构的刻蚀方法，其包括如下步骤S1.在所述台阶结构所在的区域沉积一层过渡层薄膜；S2.对所述过渡层薄膜进行刻蚀，刻蚀至所述台阶结构的刻蚀停止层；S3.在所述台阶结构所在的区域沉积刻蚀层；S4.在所述台阶结构对应的刻蚀层上制作图形结构层；S5.刻蚀去除所述刻蚀层未被所述图形结构层覆盖的部分；S6.刻蚀去除所述图形结构层。本发明的基于台阶结构的刻蚀方法工艺控制简单、形貌可控且重复性好，其避免了干法刻蚀工艺参数调整而影响制程稳定性及产品性能；并且可以通过调整过渡层的厚度进而控制台阶结构处的薄膜形貌平滑度；解决了MEMS产品工艺因台阶高度差大而造成的工艺实现问题。
基于台阶结构刻蚀方法

[实用新型]用于微机电系统芯片的基片及微机电系统芯片-CN201621092331.3有效
发明人： 李全宝 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于微机电系统芯片的基片及微机电系统芯片，属于微机械领域，该用于微机电系统芯片的基片包括具有上表面和下表面的基片本体及形成在所述基片本体内的至少一个腔体，每个所述腔体包括呈上下设置的上子腔部和下子腔部，所述上子腔部和下子腔部连通，所述上子腔体自所述基片本体的上表面向下延伸形成；所述上子腔部所围设形成的形状和/或尺寸与所述下子腔部所围设形成的形状和/或尺寸不同；于所述基片本体的下表面上，所述上子腔部的正投影面积大于所述下子腔部的正投影面积。
用于微机系统芯片

[发明专利]一种形成螺丝帽状硅通孔的刻蚀方法-CN201610878031.6在审
发明人： 李全宝 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成螺丝帽状硅通孔的刻蚀方法，根据待形成的螺丝帽状硅通孔获取第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，在第一刻蚀阶段，采用反应离子刻蚀工艺在硅基底的上端形成坡度为60‑85°的开口；在第二刻蚀阶段，采用抗反射涂层反刻和电感耦合等离子体深硅刻蚀工艺沿开口的底端往下形成垂直的通孔。本发明采用反应离子刻蚀和电感耦合等离子体刻蚀两步体硅刻蚀法，和叠加工艺流程形成所需要的螺丝帽状结构，刻蚀方法简单，可操作性强。
一种形成螺丝帽状硅通孔刻蚀方法

[发明专利]基于万向节与滚珠丝杠结构的并联型去毛刺机及去毛刺方法-CN201410386379.4有效
发明人：陈成军;李全宝;王亚琪 -专利权人：青岛理工大学
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B24B47/00 文献下载
摘要：一种基于万向节与滚珠丝杠结构的并联型去毛刺机及去毛刺方法，包括步进电动机、上工作台、等速万向节、滚珠丝杠、下工作台、去毛刺电动机、去毛刺球头。三个步进电动机分别固定在上工作台上部的三个角上并通过联轴器与等速万向节的一端相连，等速万向节的另一端与滚珠丝杠部件通过联轴器相连，滚珠丝杠部件由丝杠、螺母、套筒组成，套筒的另一端与固定在下工作台上部的等速万向节相连，下工作台上部的中央放置电动机，去毛刺球头通过联轴器与电动机的输出轴相连，本发明的去毛刺机利用并联机构可以实现不同方向的轴动力输出，可以对工件进行多角度去毛刺。
基于万向节滚珠结构并联毛刺方法

[发明专利]背照式图像传感器芯片-CN201611005721.7在审
发明人：林峰;李全宝;高喜峰 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器芯片，所述背照式图像传感器芯片包括至少一个逻辑区以及位于所述逻辑区侧的至少两个像素区。通过一颗背照式图像传感器芯片能够实现双摄像头甚至多摄像头模组的功能，从而解决了传统双摄像头的两颗模组相对位置、光轴倾斜度偏移的风险，降低了双摄像头特殊模组工艺的成本，提高双摄像头的集成度和运算速度。
背照式图像传感器芯片

[发明专利]一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法-CN201510988986.2在审
发明人：姚海平;韩冬;李全宝 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法，该方法的原理是通过将蚀刻加工的总时间分为若干次短时间的蚀刻加工，并再每一次短时间的蚀刻加工完成后增加氦气冷却步骤，使晶片(wafer)表明温度不会达到糊胶的温度从而解决薄片糊胶的问题，只要每次短时间的蚀刻加工时间加起来和需要蚀刻加工的总时间一致，则不会影响晶片(wafer)的蚀刻结果。该方法在不改造机台，不增加成本的基础上，能够防止薄片工艺出现糊胶，同时兼容厚片和薄片加工，操作简单，使用方便。
一种防止蚀刻机台薄片工艺方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法-CN201510967735.6在审
发明人： 李全宝;林峰 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法，所述CMOS图像传感器的制造方法包括：提供形成有光电二极管及浮置扩散区的衬底结构；形成含负电荷薄膜，所述含负电荷薄膜覆盖所述光电二极管。在本发明的CMOS图像传感器的制造方法中，在光电二极管上覆盖含负电荷薄膜，含负电荷薄膜能够吸引光电二极管中的空穴，从而在光电二极管表面形成空穴累积层，由此光电二极管表面的缺陷便可由所述空穴累积层完全填满，进而便可降低整个光电二极管的暗电流问题。同时，在本发明的CMOS图像传感器的制造方法中还可节省一层隔绝箝位层的注入工艺，从而降低制造成本。
一种 cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法-CN201510662076.5在审
发明人：林峰;李全宝 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法，其中，所述背照式图像传感器晶圆包括：载体晶圆；第一器件晶圆，所述第一器件晶圆设置于所述载体晶圆上方，且用于采集近红外光；第二器件晶圆，所述第二器件晶圆设置于所述第一器件晶圆上方，且用于采集可见光。所述背照式图像传感器芯片由所述背照式图像传感器晶圆制得。由此即使在暗光条件下，所述背照式图像传感器晶圆及芯片也能获得较佳的图像采集性能。
一种背照式图像传感器芯片及其制造方法

[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其制造方法-CN201410317691.8在审
发明人：刘远良;李全宝 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法。该方法包括：经过前端工艺形成CMOS器件；在所述CMOS器件上形成BPSG薄膜；及进行热处理。由本发明的该方法获得的CMOS影像传感器，能够有效的降低暗电流及白点的产生，提高了产品的可靠性。
背照式 cmos 影像传感器及其制造方法

[发明专利]一种海洋能发电装置扭矩监测系统-CN201310681839.1有效
发明人：陈成军;李全宝;赵帅帅 -专利权人：青岛理工大学
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G01L3/00 文献下载
摘要：一种海洋能发电装置扭矩监测系统，其中监测系统包括扭矩传感器、供桥电压稳压器、放大器、第一A/D转换器芯片、第二A/D转换器芯片、CPU、1/k分压电路、电源及A/D转换基准电压稳压器、远程无线数据通信设备。扭矩传感器的测量输出信号Ui与1/k分压电路输出电压Uk分别输入到第一A/D转换器芯片、第二A/D转换器芯片；CPU控制第一A/D转换器芯片、第二A/D转换器芯片对Ui和Uk进行同时采样和A/D转换，CPU根据A/D转换的结果，使用扭矩测量误差补偿算法对扭矩传感器的测量结果进行补偿。本发明可以补偿A/D转换基准电压Ur和电桥供电电压Ug对扭矩测量结果的影响，在非稳压条件下实现高精度扭矩测量。
一种海洋发电装置扭矩监测系统

[实用新型]CMOS影像传感器-CN201320129306.8有效
发明人：肖海波;李全宝;费孝爱 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种CMOS影像传感器，通过所述光电二极管组包括：摄取红外光的红外光光电二极管，位于所述红外光光电二极管上的、摄取红光的红光光电二极管，位于所述红光光电二极管上的、摄取绿光的绿光光电二极管，位于所述绿光光电二极管上的、摄取蓝光的蓝光光电二极管，实现了对于红外光、红光、绿光及蓝光等多种入射光线的光电转换；同时红外光光电二极管、红光光电二极管、绿光光电二极管及蓝光光电二极管的垂直式设置，降低了对硅衬底空间的占用，从而降低了制造成本。
cmos 影像传感器

[实用新型]前照式影像传感器-CN201320090371.4有效
发明人： 李全宝;肖海波;费孝爱 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种前照式影像传感器，所述前照式影像传感器包括：半导体基底；多个光电二极管，所述多个光电二极管形成于所述半导体基底中；遮蔽侧墙，所述遮蔽侧墙形成于所述半导体基底上，且位于光电二极管的两侧。由此，通过所述遮蔽侧墙能够将入射光线限定在一光电二极管范围内，防止了影像传感器的串扰问题，进而提高了前照式影像传感器的质量及可靠性。
前照式影像传感器

[发明专利]具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法-CN201210154266.2无效
发明人：陈志文;李全宝;陈琛;刘延雨;王利军;焦正;吴明红 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及到一种制备技术简单、形貌可控、重复性良好的Al/Ge双层膜中Ge分形团簇的Al诱导合成方法，也即是一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将一定质量的高纯Ge(纯度99.9999wt.%)和高纯Al(纯度99.9wt.%)分别放置于真空热蒸发装置中的钼舟上。衬底选择单晶Si(100)晶面，在室温下当真空度优于2.67×10-3Pa时，通过调节电流和电压的大小，控制Ge和Al的蒸发沉积速率即可得到室温下的Al/Ge双层膜。将室温条件下制备的Al/Ge双层膜置于管式炉中，在氮气氛围保护下，将薄膜样品在300℃~500℃时退火60分钟，其中最佳温度为400℃，能成功获得分形维数为1.82和1.88的Ge分形团簇纳米薄膜。本发明的特点是通过控制真空热蒸发技术参数和退火条件，采用Al诱导成核的方法在Al/Ge双层膜中成功制备出Ge分形团簇纳米薄膜。本发明产品在半导体工业，如：微电子器件和光电子元件等领域具有潜在的应用价值。
具有锗晶分形团簇 al ge 双层制备方法

[发明专利]具有非线性电学特性的Au/Ge分形纳米薄膜的制备方法-CN201110449836.6无效
发明人：陈志文;李全宝;陈琛;焦正;吴明红 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备金（Au）诱导非晶半导体锗（Ge）的晶化方法及其分形纳米薄膜的非线性电学特性。本发明主要内容是：利用真空热蒸发技术，将高纯Ge（纯度：99.9wt.%）和高纯Au（纯度：99.99wt.%）分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上。在室温下当真空度优于2×10-5Torr时，先蒸发半导体Ge，然后在保持真空度不变的条件下，后蒸发金属Au。衬底选择单晶氯化钠（100）晶面。将预先在室温条件下制备的Au/Ge双层膜置于真空炉中，在真空度优于2×10-5Torr时，在120℃，150℃，180℃，210℃分别真空退火30分钟，分别可以获得分形维数1.653，1.756，1.781，1.878的分形纳米薄膜。本发明的特点是通过控制真空热蒸发技术参数，可以达到不同形态特征及其拥有非线性电学特性分形纳米薄膜。
具有非线性电学特性 au ge 纳米薄膜制备方法