专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有弹性的电接触端子及贴装结构-CN202310250972.5在审
  • 金善基;朴炳柱;金亨圭;金镇山 - 卓英社有限公司
  • 2023-03-15 - 2023-09-19 - H01R13/05
  • 公开了一种具有弹性的电接触端子及贴装结构,所述电接触端子插入于形成在基材的贯通孔中,以将形成于基材的导电图案电连接到对象物,并具有弹性。电接触端子的芯包括:主体部,在长度方向上具有相同尺寸的第一宽度;插入部,在所述主体部的下方朝下以具有小于所述第一宽度的尺寸的第二宽度的方式垂直延伸;以及接触部,从所述插入部的端部在宽度方向上朝两侧以翼形状突出,其中,所述主体部、所述插入部及所述接触部形成为一体。
  • 具有弹性接触端子结构
  • [发明专利]有机晶体管元件、有机发光晶体管元件及其制造方法-CN201910811573.5在审
  • 朴炳柱 - 光云大学校产学协力团
  • 2019-08-29 - 2020-03-13 - H01L51/50
  • 本发明涉及一种基于低维电子结构材料电极的有机发光晶体管,更详细地涉及将基本上平坦且能够容易加工的低维电子结构的石墨烯使用为源极(或漏极)电极的有机发光晶体管。此外,基于石墨烯的有机发光晶体管(Gr‑VOLET)具有极低的功率损失特性,以及即使在高辉度下也具有150%以上的显著提高的有效开口率(AReff)的特性。另外,从石墨烯源极电极向沟道层注入空穴的隧穿过程具有用栅极电压有效调制的机制,具有这种优异的元件动作原理的本发明能够利用于下一代显示器设备、一般照明应用、以及其他领域的实用性的发光晶体管设备。
  • 有机晶体管元件发光及其制造方法
  • [发明专利]超声诊断设备及其制造方法-CN201410806696.7有效
  • 朴炳柱 - 三星麦迪森株式会社
  • 2014-12-22 - 2020-03-10 - A61B8/00
  • 本发明公开了一种超声诊断设备及其制造方法。所述超声诊断设备包括:匹配层;柔性印刷电路板,在其两个边缘部分具有台阶;压电层,设置在匹配层的下方,且设置在柔性印刷电路板上,使得压电层的第一电极和第二电极分别连接到柔性印刷电路板的第一电极和第二电极,在压电层的第一电极和第二电极之间形成台阶,压电层的第一电极和第二电极通过极化区域而相互分离;衬底层,设置在压电层的下方。
  • 超声诊断设备及其制造方法
  • [发明专利]电子式驻车制动器-CN201210378115.5无效
  • 朴炳柱;高昌福 - 株式会社万都
  • 2012-10-08 - 2013-04-10 - F16D51/20
  • 本发明涉及装载于车辆上的制动器,更详细地,涉及通过发动机来操作的电子式驻车制动器。本发明电子式驻车制动器包括:制动鼓,与车辆的车轮一起旋转;第一及第二制动蹄,分别设置于制动鼓内部两侧以进行制动鼓的制动;且将两个制动蹄推向制动鼓内表面进行制动;还包括:可正逆旋转的发动机,产生用于制动的驱动力;摆线减速机,与发动机的旋转轴相结合,用于对发动机产生的驱动力进行放大;主轴部件,与摆线减速机连接并进行旋转;正齿轮组件,接收主轴部件的旋转力并进行旋转;活塞,外周表面上一体式形成有正齿轮组件中任一个齿轮并进行旋转;推动负载,设置于活塞长度方向的两侧上,随着活塞的旋转做直线运动并由第一及第二制动蹄支撑。
  • 电子式驻车制动器
  • [发明专利]使用湿法制造的有机半导体器件及有机电致发光器件-CN03803362.3有效
  • 朴炳柱 - 朴炳柱
  • 2003-02-13 - 2005-06-15 - H05B33/10
  • 本发明提供一种湿法制造有机半导体薄膜的方法,其使用将至少两种有机半导体化合物溶解于混合有机溶剂中所成的混合溶液,该混合有机溶剂包括至少两种在室温下具有不同挥发性和对该有机化合物具有不同溶解度的有机溶剂。由于各种有机溶剂的蒸发速度及各种有机物的溶解度不同,所以根据可依次蒸发的溶剂组成该有机化合物连续沉积。从而可制造具有连续多层(无边界多层)结构的有机半导体薄膜,其中在各有机层之间不同的有机化合物共同存在。特别是使用含有至少两种有机EL材料的混合溶液,并通过控制该有机材料在阳极上按空穴注入层-空穴传输层-发光层-电子传输层-电子注入层的顺序沉积而形成有机EL器件。
  • 使用湿法制造有机半导体器件电致发光器件
  • [发明专利]有机半导体器件及其制造方法-CN03803361.5无效
  • 朴炳柱 - 朴炳柱
  • 2003-02-13 - 2005-06-15 - H05B33/10
  • 本发明公开一种制造有机半导体器件的方法,该器件包括由多个象素构成的有机电致发光器件,其可显示出高质量的图像信息。由光学损伤阈值比基底的光学损伤阈值低的绝缘材料构成的绝缘膜图案形成于基底上的象素元件之间。包括发光有机层的有机层和电极形成于形成有绝缘膜的基底之上。用聚焦的激光束照射以全部去除形成在绝缘膜图案之上的有机层和电极材料,并去除部分或全部厚度的绝缘膜图案,从而形成多个象素。为防止器件被残留物所污染,应用激光束照射的光学损伤方法在真空条件或无水无氧的惰性气流条件下进行。
  • 有机半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]用于包覆栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法-CN02818541.2无效
  • 朴炳柱;古川俊治;杰克·曼德尔曼 - 国际商业机器公司
  • 2002-09-17 - 2004-12-22 - H01L29/76
  • 本发明涉及一种包覆栅晶体管,其包括具有上表面和彼此相对的第一和第二侧表面的衬底。在衬底中形成源和漏区(28),其间具有沟道区。沟道区从衬底的第一侧表面延伸到第二侧表面。在衬底上形成栅介电层(40)。在栅介电层(40)上形成栅电极(42)以自上表面和第一和第二侧表面覆盖沟道区,其间具有栅介质(40)。衬底是在SOI(绝缘体上硅)衬底或任一常规非SOI衬底的绝缘层上形成的硅岛(12),并具有包括第一和第二侧表面的四个侧表面。在邻接与第一和第二侧表面垂直的第三和第四侧表面的衬底部分上形成源和漏区(28)。该包覆栅结构提供了在沟道区内更好和更快的电势控制,其导致陡峭的亚阈值斜度和对“体到源”电压的低灵敏度。
  • 用于包覆栅金属氧化物半导体场效应晶体管方法

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