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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光显示装置-CN202211241521.7在审
发明人：李骏熙;禹俊赫;朴海赞;李荣镐 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K50/81 文献下载
摘要：一种发光显示装置包括：第一半导体层；第一栅极绝缘层；第一栅极导电层；第二栅极绝缘层；第一数据导电层；下有机层；第二数据导电层，包括第一阳极连接构件和第二阳极连接构件；上有机层；第一阳极和第二阳极；以及像素限定层，包括分别暴露所述第一阳极和所述第二阳极的第一开口和第二开口，其中，所述上有机层包括第一阳极连接开口和第二阳极连接开口，所述第一阳极和所述第二阳极分别通过所述第一阳极连接开口和所述第二阳极连接开口与所述第一阳极连接构件和所述第二阳极连接构件电连接。
发光显示装置

[实用新型]发光显示装置-CN202222672687.6有效
发明人：李骏熙;禹俊赫;朴海赞;李荣镐 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10K59/131 文献下载
摘要：一种发光显示装置包括：第一半导体层；第一栅极绝缘层；第一栅极导电层；第二栅极绝缘层；第一数据导电层；下绝缘层；第二数据导电层，定位在所述下绝缘层上并且包括第一阳极连接构件和第二阳极连接构件；上有机层；第一阳极和第二阳极；以及像素限定层，包括分别暴露所述第一阳极和所述第二阳极的第一开口和第二开口，其中，所述上有机层包括第一阳极连接开口和第二阳极连接开口，所述第一阳极和所述第二阳极分别通过所述第一阳极连接开口和所述第二阳极连接开口与所述第一阳极连接构件和所述第二阳极连接构件电连接。
发光显示装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810275599.8有效
发明人： 朴海赞;金在泽 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括设置在基板上的层叠结构，该层叠结构包括牺牲层和绝缘层交替地层叠的第一区域以及导电层和绝缘层交替地层叠的第二区域。该层叠结构还包括设置在第一区域与第二区域之间的边界处的第一狭缝绝缘层，其中，该第一狭缝绝缘层穿透层叠结构并在一个方向上延伸。该层叠结构还包括设置在第二区域中的多个狭缝绝缘图案，其中，所述多个狭缝绝缘图案穿透层叠结构并沿着所述一个方向布置。导电层当中的至少一个导电层在第一狭缝绝缘层与狭缝绝缘图案之间弯曲。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN202111403386.7在审
发明人：李世贤;朴海赞;李源俊 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：显示装置包括多个第一堤部、第一电极和第二电极、第一绝缘层、多个第一图案以及多个发光元件，其中：多个第一堤部彼此间隔开并且在第一衬底上在第一方向上延伸；第一电极和第二电极在第一方向上延伸，并且位于多个第一堤部中的不同的第一堤部上以彼此间隔开；第一绝缘层覆盖第一电极、第二电极和多个第一堤部；多个第一图案彼此间隔开并且在第一绝缘层上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个发光元件在多个第一图案中的相邻的第一图案之间，且发光元件的相对的端部在第一绝缘层上分别布置在第一电极和第二电极上，并且第一图案的高度大于发光元件的直径。
显示装置

[发明专利]拼接显示装置-CN202111240066.4在审
发明人：李源俊;李世贤;朴海赞;任迎秀;河真珠 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及拼接显示装置。拼接显示装置包括：多个显示装置；和光学构件，位于显示装置上，其中，光学构件包括：基底基板；多个第一柱状透镜，位于基底基板的下表面上并且在第一方向上延伸；和多个第二柱状透镜，位于第一柱状透镜之下并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
拼接显示装置

[发明专利]显示装置-CN202010862921.4在审
发明人：李世贤;朴海赞;辛珉暻;章惠媛;仓学璇 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本公开涉及显示装置。根据本发明构思的实施例的显示装置包括：栅极线，沿着第一方向延伸；数据线，沿着第二方向延伸；像素，包括像素电极，像素均包括连接到栅极线和数据线的晶体管以及连接到晶体管的像素电极，像素包括第一像素和第二像素，第一像素包括连接到第一数据线的第一像素电极并设置在第n像素行和第m像素列中，第二像素包括连接到第一数据线或与第一数据线相邻设置的第二数据线的第二像素电极并设置在第(n+1)像素行和第m像素列中，n和m是自然数。第一数据线不与第一像素电极交叠并且与第二像素电极交叠。
显示装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911316711.9在审
发明人： 朴海赞;金场院;金在泽 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本技术涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：第一层叠物，其包括彼此交替层叠的第一层间绝缘层和第一导电图案；第二层叠物，其包括在第一层叠物上彼此交替层叠的第二层间绝缘层和第二导电图案；多个沟道插塞，其穿过第一层叠物和第二层叠物垂直地形成；以及至少一个虚设插塞，其穿过第二层叠物而没有穿过第一层叠物而垂直地形成。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]液晶显示器-CN202010355934.2在审
发明人：李世贤;朴海赞;辛珉暻;尹姬京;李承玟;仓学璇 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：提供了一种液晶显示器。所述液晶显示器包括：多个像素电极；以及第一数据线和第二数据线，第一数据线和第二数据线中的每条被配置为传输数据电压并且具有基本笔直部分和成角度部分。第一数据线和第二数据线在第一方向上彼此相邻。多个像素电极包括：第一像素电极，与第一数据线和第二数据线二者叠置；以及第二像素电极，在第二方向上与第一像素电极相邻设置且不与第一数据线和第二数据线叠置，第二方向与第一方向相交。
液晶显示器

[发明专利]电子设备-CN201410594632.5有效
发明人： 朴海赞 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种电子设备包括半导体存储器，其包括：包括第一单元阵列和第二单元阵列的存储单元块，所述第一单元阵列包括：字线、与所述字线交叉的第一位线以及设置在所述字线和所述第一位线之间的第一可变电阻层，以及其中，所述第二单元阵列包括：所述字线、与所述字线和所述第一位线交叉的第二位线、以及设置在所述字线和所述第二位线之间的第二可变电阻层，所述第二可变电阻层包括与所述第一可变电阻层的材料不同的材料，所述字线由所述第一单元阵列和所述第二单元阵列共享；以及列控制块，其配置成将用于切换所述第一可变电阻层的电阻状态的第一写偏置供应至所述第一位线以及将用于切换所述第二可变电阻层的电阻状态的第二写偏置供应至所述第二位线。
电子设备

[发明专利]显示装置-CN201911043832.0在审
发明人：辛珉暻;金东焕;朴海赞 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：公开了显示装置。显示装置包括在第一方向上延伸的数据线、在第二方向上延伸的栅极线、连接到数据线和栅极线的第一像素电路、连接到第一像素电路以接收第一像素电压并且布置在第一像素区域中的第一像素电极、连接到第二像素电路以接收第二像素电压并且布置在第二像素区域中的第二像素电极、连接到数据线和栅极线的第二像素电路以及像素电极棒。第二像素电压高于第一像素电压。第二像素电极在第一方向上与第一像素电极相邻。像素电极棒从第一像素电极分支并且在第一方向上延伸，并且布置成与第一像素电极和第二像素电极相邻。
显示装置

[发明专利]半导体存储装置及其温度控制方法-CN201410270677.7有效
发明人：李承润;朴海赞;金明燮;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G05D23/30 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储装置及其温度控制方法。所述半导体存储装置包括温度调节单元和温度控制单元，温度调节单元适于调节存储器单元的温度，温度控制单元适于感测温度调节单元的温度，将感测的温度与参考温度范围比较，以及基于比较结果来控制温度调节单元以将其温度调节在参考温度范围内。
温度调节单元半导体存储装置温度控制单元感测存储器单元范围比较温度调节参考

[发明专利]阻变存储装置、其操作方法以及具有其的系统-CN201410339944.1有效
发明人： 朴海赞 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种阻变存储装置包括：存储单元，其包括阻变存储器单元阵列；电压发生单元，其适用于接收射频RF信号并且将RF信号转换成直流DC电压；以及控制单元，其适用于控制要对阻变存储器单元阵列执行的刷新操作，其中，升高的DC电压用作刷新操作的操作电压。
存储装置操作方法以及具有系统

[发明专利]电阻式存储器装置及其操作方法-CN201510073121.3有效
发明人：金嘉瑛;朴海赞 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储器装置，包括：存储器区，其包括多个电阻式存储器单元；以及控制器，其适于根据电阻式存储器单元的数据储存材料来储存写入操作的阈值次数、随着对所述存储器区执行写入操作而对相应电阻式存储器单元的写入操作的次数计数、以及当检测到达到所述写入操作的阈值次数的存储器单元时执行中断控制。
电阻存储器装置及其操作方法

[发明专利]电阻式存储器件和其操作方法-CN201310646378.4有效
发明人： 朴海赞;金明燮;李世昊;李承润 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式存储器件，其包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括耦接于字线与位线之间的单位存储器单元，其中单位存储器单元包括串联耦接的数据储存材料和基于非硅衬底型双向存取器件；路径设定电路，耦接于位线与字线之间，适用于基于路径控制信号、正向写入命令和反向写入命令而向位线或字线提供编程脉冲；以及控制单元，适用于基于外部命令信号而提供写入路径控制信号、正向编程命令和反向编程命令。
电阻存储器件操作方法

[发明专利]用于阻变存储装置的高压发生电路-CN201310240856.1有效
发明人： 朴海赞 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种用于阻变存储装置的高压发生电路。所述高压发生电路包括与半导体衬底间隔开并且与半导体衬底电绝缘的电容器。与电容器电连接的开关器件与半导体衬底电绝缘。
用于存储装置高压发生电路

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