[发明专利]电子设备有效
| 申请号： | 201410594632.5 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105023607B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 朴海赞 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子设备包括半导体存储器，其包括：包括第一单元阵列和第二单元阵列的存储单元块，所述第一单元阵列包括：字线、与所述字线交叉的第一位线以及设置在所述字线和所述第一位线之间的第一可变电阻层，以及其中，所述第二单元阵列包括：所述字线、与所述字线和所述第一位线交叉的第二位线、以及设置在所述字线和所述第二位线之间的第二可变电阻层，所述第二可变电阻层包括与所述第一可变电阻层的材料不同的材料，所述字线由所述第一单元阵列和所述第二单元阵列共享；以及列控制块，其配置成将用于切换所述第一可变电阻层的电阻状态的第一写偏置供应至所述第一位线以及将用于切换所述第二可变电阻层的电阻状态的第二写偏置供应至所述第二位线。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 | ||
【主权项】：
一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：存储单元块，其包括第一单元阵列和第二单元阵列，其中，所述第一单元阵列包括：字线、与所述字线交叉的第一位线以及设置在所述字线和所述第一位线之间的第一可变电阻层，以及其中，所述第二单元阵列包括：所述字线、与所述字线和所述第一位线交叉的第二位线、以及设置在所述字线和所述第二位线之间的第二可变电阻层，所述第二可变电阻层包括与所述第一可变电阻层的材料不同的材料，所述字线由所述第一单元阵列和所述第二单元阵列共享；以及列控制块，其配置成将用于切换所述第一可变电阻层的电阻状态的第一写偏置供应至所述第一位线以及将用于切换所述第二可变电阻层的电阻状态的第二写偏置供应至所述第二位线。
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