专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]像素及包括像素的显示装置-CN202310375944.6在审
  • 朴度昤;李源俊;洪性喆 - 三星显示有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-10-17 - H01L27/12
  • 本申请涉及像素和包括像素的显示装置,像素可以包括第一子像素、第三子像素和第二子像素,第一子像素、第三子像素和第二子像素在第二方向上布置并且各自包括发射区域和非发射区域。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个可以包括:像素电路,包括至少一个晶体管和存储电容器;第一对准电极,设置在像素电路上;第二对准电极,与第一对准电极间隔开地延伸;发光元件,设置在第二对准电极和第一对准电极之间,并且包括与第二对准电极相邻的第一端和与第一对准电极相邻的第二端;以及桥接图案,与第一对准电极和第二对准电极间隔开,并且电连接到存储电容器。
  • 像素包括显示装置
  • [发明专利]显示装置-CN202310003787.6在审
  • 李源俊;金东佑;朴度昤 - 三星显示有限公司
  • 2023-01-03 - 2023-09-05 - H10K59/131
  • 提供一种显示装置。显示装置包括:第一电极,在子像素中沿第一方向延伸而布置;第二电极,沿与所述第一方向交叉的第二方向与所述第一电极隔开,且沿所述第一方向延伸而布置;堤层,沿所述第二方向延伸,并包围多个所述子像素;以及发光元件,布置于所述第一电极和所述第二电极上,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括:电极延伸部,沿所述第一方向延伸;以及电极主体部,与所述电极延伸部连接,且所述电极主体部的宽度大于所述电极延伸部的宽度,所述堤层布置为与所述电极主体部重叠第一宽度,且包括有机绝缘物质。
  • 显示装置
  • [发明专利]显示装置-CN202310147789.2在审
  • 朴度昤;金璟陪;李源俊 - 三星显示有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-08-15 - H01L27/15
  • 提供了一种显示装置,所述显示装置包括:第一绝缘层,在电极上;多个发光元件,在发射区域中在电极上;第二绝缘层,在第一绝缘层和发光元件上,并且具有与电极和多个发光元件部分地叠置的多个开口;以及多个连接电极,在电极中的至少一些上,与多个发光元件接触,并且与多个开口部分地叠置。第一开口具有第一侧部分和与第一侧部分相对的第二侧部分,且第二侧部分具有比第一侧部分大的宽度,并且与第一开口叠置的第一连接电极具有第一部分和第二部分,第一部分与第一开口叠置,第二部分具有比第一部分大的宽度并且与第一开口部分地叠置。
  • 显示装置
  • [发明专利]显示装置-CN202211641569.7在审
  • 李源俊;金东佑 - 三星显示有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-06-23 - H01L27/15
  • 本发明提供一种显示装置。显示装置包括:堤层,沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向延伸,并且围绕多个子像素;第一电极,在所述子像素沿所述第一方向延伸而布置;多个第二电极,将所述第一电极置于其之间并与所述第一电极沿第二方向相隔,并且沿所述第一方向延伸;多个发光元件,包括布置在所述第一电极和所述多个第二电极中的一个第二电极上的第一发光元件以及一端部布置在所述多个第二电极中的另一个第二电极上的第二发光元件;第一连接电极,布置在所述第一电极上,与第一发光元件接触;以及第二连接电极,布置在所述第二电极上,与第二发光元件接触,其中,第二电极布置于彼此不同的子像素,并且与布置在子像素之间的堤层重叠。
  • 显示装置
  • [发明专利]一种多频段双极化天线-CN202310078119.X在审
  • 叶亮华;李源俊;董青;李健凤;苏小兵 - 广东工业大学;佛山市波谱达通信科技有限公司
  • 2023-02-01 - 2023-05-30 - H01Q5/28
  • 本发明提供了一种多频段双极化天线,包括天线辐射体、三角形枝节、第一介质板、第一馈电巴伦、第二馈电巴伦和天线反射板;所述第一馈电巴伦和第二馈电巴伦互相垂直交叉连接,第一馈电巴伦和第二馈电巴伦的上端与第一介质板连接,第一馈电巴伦和第二馈电巴伦的下端与天线反射板连接;所述天线辐射体印刷在第一介质板的上表面,天线辐射体包括四个辐射臂;所述三角形枝节印刷在第一介质板的下表面,每个辐射臂的两条侧边附近各设置一个三角形枝节;三角形枝节的末端与辐射臂在第一介质板上的投影重叠形成耦合区域。本发明使得天线能够工作在多个频段下,且各频段之间具有较好的隔离度,大大优化了天线的多频段特性。
  • 一种频段极化天线
  • [发明专利]一种低散射天线及其多频天线阵列-CN202110798540.9有效
  • 叶亮华;杨楷钿;刘港;李源俊;胡振欣;黄昆;曾竞涛 - 广东工业大学;广东风华高新科技股份有限公司
  • 2021-07-15 - 2022-11-01 - H01Q1/38
  • 本发明提供了一种低散射天线及其多频天线阵列,所述低散射天线包括天线主辐射体、介质顶板、第一馈电巴伦、第二馈电巴伦和天线地板;所述第一馈电巴伦和第二馈电巴伦互相垂直交叉连接,第一馈电巴伦和第二馈电巴伦的上端与介质顶板连接,第一馈电巴伦和第二馈电巴伦的下端与天线地板连接;所述天线辐射主体印刷在介质顶板的顶面,天线主辐射体包括第一辐射臂、第二辐射臂、第三辐射臂和第四辐射臂;每个辐射臂的结构和大小相同,由沿直线依次连接的至少两个枝节组成,其中,所述至少两个枝节具有两种不同的宽度,每相邻两个枝节的宽度互不相同。本发明具备低散射特性且易于排列的特性,能够有效避免天线单元之间的互相干扰,具备广阔的应用前景。
  • 一种散射天线及其阵列
  • [发明专利]一种宽带双极化天线-CN202110803583.1有效
  • 彭建东;叶亮华;李源俊;徐涛 - 广东工业大学
  • 2021-07-15 - 2022-08-26 - H01Q1/24
  • 本发明提供了一种宽带双极化天线,包括天线辐射体、第一介质板、第一馈电巴伦、第二馈电巴伦和天线反射板;所述第一馈电巴伦和第二馈电巴伦互相垂直交叉连接,第一馈电巴伦和第二馈电巴伦的上端与第一介质板连接,第一馈电巴伦和第二馈电巴伦的下端与天线反射板连接;所述天线辐射体印刷在第一介质板的顶面,天线辐射体包括第一辐射臂、第二辐射臂、第三辐射臂和第四辐射臂;每个辐射臂中,包括第一子辐射臂和第二子辐射臂,所述第一子辐射臂印刷在第一介质板的顶面,第二子辐射臂印刷在第一介质板的底面,第一子辐射臂和第二子辐射臂的部分区域重叠形成耦合区域。本发明有效改善了阻抗匹配、拓展了相对阻抗带宽,大幅优化了天线的辐射特性。
  • 一种宽带极化天线
  • [发明专利]显示装置-CN202111403386.7在审
  • 李世贤;朴海赞;李源俊 - 三星显示有限公司
  • 2021-11-24 - 2022-06-14 - H01L27/15
  • 显示装置包括多个第一堤部、第一电极和第二电极、第一绝缘层、多个第一图案以及多个发光元件,其中:多个第一堤部彼此间隔开并且在第一衬底上在第一方向上延伸;第一电极和第二电极在第一方向上延伸,并且位于多个第一堤部中的不同的第一堤部上以彼此间隔开;第一绝缘层覆盖第一电极、第二电极和多个第一堤部;多个第一图案彼此间隔开并且在第一绝缘层上在与第一方向交叉的第二方向上延伸;以及多个发光元件在多个第一图案中的相邻的第一图案之间,且发光元件的相对的端部在第一绝缘层上分别布置在第一电极和第二电极上,并且第一图案的高度大于发光元件的直径。
  • 显示装置
  • [发明专利]一种宽带双极化折叠电偶极子天线-CN202110809522.6在审
  • 叶亮华;徐涛;李源俊;胡振欣;曹卫平 - 广东工业大学;桂林电子科技大学
  • 2021-07-15 - 2021-10-22 - H01Q1/38
  • 本发明提供了一种宽带双极化折叠电偶极子天线,包括天线辐射体、第一介质板、第一馈电巴伦、第二馈电巴伦和天线反射板;所述第一馈电巴伦和第二馈电巴伦互相垂直交叉连接,第一馈电巴伦和第二馈电巴伦的上端与第一介质板连接,第一馈电巴伦和第二馈电巴伦的下端与天线反射板连接;所述天线辐射体印刷在第一介质板的顶面,天线辐射体包括四个折叠电偶极子和四条缝隙传输线。本发明使用四个折叠电偶极子和四个缝隙传输线组成辐射体,在第一、二馈电巴伦中采用渐变结构的缝隙传输线和渐变结构的微带开路线,并且在主辐射体上方增加了寄生贴片,能有效改善阻抗匹配,拓展阻抗带宽,稳定天线的辐射方向图。
  • 一种宽带极化折叠电偶极子天线
  • [发明专利]包括数据存储材料图案的半导体器件-CN202010652460.8在审
  • 金永倬;朴相真;李源俊;徐慧瑛;申材旭 - 三星电子株式会社
  • 2020-07-08 - 2021-02-02 - H01L27/24
  • 提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括:位于衬底上的第一导电结构;位于所述第一导电结构上的第二导电结构;以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构,其中,所述第一存储单元结构包括:位于所述第一导电结构上的开关材料图案;位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案;以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案,其中,所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度,并且其中,所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。
  • 包括数据存储材料图案半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201910514165.3在审
  • 李源俊;申多慧;李一炯 - 三星电子株式会社
  • 2019-06-14 - 2020-03-20 - H01L23/498
  • 提供了一种半导体器件,其包括位于衬底上的导电结构、位于所述导电结构上的蚀刻停止层、位于所述蚀刻停止层上的绝缘层以及延伸穿过所述蚀刻停止层和所述绝缘层并接触所述导电结构的接触插塞。所述接触插塞可以包括顺序堆叠并彼此接触的第一导电图案结构和第二导电图案结构。所述第一导电图案结构的上表面的宽度可以大于所述第二导电图案结构的下表面的宽度。所述第一导电图案结构的至少上部可以具有不垂直于所述衬底的上表面而是相对于所述衬底的所述上表面倾斜的侧壁。
  • 半导体器件

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