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[发明专利]复合电感及其制备方法-CN202111673821.8在审
发明人：尹成功;朱若璞 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合电感及其制备方法。复合电感包括：衬底；外延结构，设置于衬底上，形成有二维电子气，二维电子气为第一平面螺旋状；第一连接金属层，与二维电子气的第一端欧姆接触；电感金属线，设置于外延结构远离衬底的一侧，电感金属线为第二平面螺旋状；第一连接金属，第一连接金属的第一端与第一连接金属层电连接，第一连接金属的第二端与电感金属线的第一端电连接；其中，电感金属线的第一端为对应第二平面螺旋状中心点的一端；二维电子气的第一端为对应第一平面螺旋状的中心点的一端。本发明能够提高器件集成度和电感密度。
复合电感及其制备方法

[发明专利]复合电容及其制备方法-CN202111668110.1在审
发明人：尹成功;朱若璞 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合电容及其制备方法。所述复合电容包括:衬底；外延结构，设置于所述衬底上，所述外延结构形成有二维电子气；金属电容结构，设置于所述外延结构远离所述衬底的一侧，所述金属电容结构包括第一金属极板和第二金属极板，所述第二金属极板位于所述第一金属极板远离所述衬底的一侧，且所述第一金属极板与所述二维电子气绝缘；沿所述复合电容的厚度方向，所述第一金属极板和所述第二金属极板在所述衬底上的总投影，与所述二维电子气在所述衬底上的投影至少部分重叠。本发明能够增加复合电容中电容的集成度。
复合电容及其制备方法

[发明专利]电抗元件、电抗元件的制备方法-CN202110765712.2在审
发明人：黄宏达;朱若璞 -专利权人：昆山工研院第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种电抗元件、电抗元件的制备方法。所述电抗元件包括：衬底；位于所述衬底一侧的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层接入零电位；位于所述金属屏蔽层远离所述衬底一侧的至少一层第一介质层；位于所述第一介质层远离所述衬底一侧的至少一个电抗结构；其中，所述金属屏蔽层在所述衬底上的正投影覆盖所述电抗结构在所述衬底上的正投影。本发明实施例能够提高电抗元件的Q值，降低衬底损耗。
电抗元件制备方法

[发明专利]一种GaN异质结纵向逆导场效应管-CN201710651404.0有效
发明人：周琦;朱若璞;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，涉及GaN异质结逆导场效应管。本发明采用纵向分立栅结构，将肖特基源极淀积在栅极之间，形成逆导二极管的阳极。通过P型基区形成的背势垒和P型栅共同作用耗尽栅下方沟道处的二维电子气(2DEG)，且可通过调节AlMN势垒层的再生长厚度精确调控阈值电压。本发明的有益效果为，在正向开关工作状态下，具有阈值电压可调，导通电阻低、饱和电流大、关态耐压高、工作频率高和低功耗等优点；在逆导工作状态下，具有开启电压低、导通电阻低，反向耐压大，反向恢复时间短和低功耗等优点。同时其制造工艺与传统GaN异质结HEMT器件兼容。本发明尤其适用于GaN异质结纵向功率场效应管。
一种 gan 异质结纵向场效应

[发明专利]一种GaN异质结纵向场效应管-CN201710651397.4有效
发明人：周琦;朱若璞;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，涉及一种GaN异质结纵向场效应管。本发明采用纵向分立栅结构，将肖特基源极淀积在栅极之间，形成逆导二极管的阳极。通过引入P型基区形成的背势垒和凹槽栅共同作用耗尽栅下方沟道处的二维电子气(2DEG)，且可通过调节AlMN势垒层的刻蚀厚度精确调控阈值电压。本发明的有益效果为，在正向开关工作状态下，具有阈值电压可调，导通电阻低、饱和电流大、关态耐压高、工作频率高和低功耗等优点；在逆导工作状态下，具有开启电压低、导通电阻低，反向耐压大，反向恢复时间短和低功耗等优点。同时其制造工艺与传统GaN异质结HEMT器件兼容。本发明尤其适用于GaN异质结纵向功率场效应管。
一种 gan 异质结纵向场效应

[发明专利]一种新型的GaN异质结场效应晶体管-CN201711000668.6在审
发明人：周琦;魏东;张安邦;朱若璞;董长旭;石瑜;黄芃;王方洲;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的GaN异质结场效应晶体管。本发明通过在场效应晶体管的GaN沟道层局部区域引入P型GaN埋层，该P型GaN埋层可以提升该区域异质结能带从而降低局部沟道2‑DEG浓度同时在GaN沟道层沿着电流方向引入了pn结场板来调制沟道电场。本发明将P型GaN埋层和凹槽技术相结合使阈值电压调控方案更加灵活并且可以实现更大范围的阈值电压调控；同时，P型GaN埋层在GaN沟道层的电场调制效应有效降低器件内部最大峰值电场，使电场分布更加均匀，而且，P型GaN埋层在GaN Buffer中引入了势垒，有效抑制由Buffer漏电所导致器件发生的源漏穿通。因此，与传统凹槽栅GaN异质结场效应晶体管相比，新结构有效地提高了器件的阈值电压调控范围和大大改善了器件的耐压能力。
一种新型 gan 异质结场效应晶体管