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[发明专利]具有增强性能的晶片级封装-CN202310850040.4在审
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;简·爱德华·万德梅尔;乔纳森·哈勒·哈蒙德;小梅里尔·阿尔贝特·哈彻;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于增强晶片级封装的热性能和电气性能的封装工艺。具有增强性能的所述晶片级封装包括具有第一装置层(20)的第一薄化裸片(14)、多层再分布结构(52)、第一模化合物(42)以及第二模化合物(74)。所述多层再分布结构包括在所述多层再分布结构的底部表面上的多个封装触点，和将所述第一装置层连接到所述封装触点的再分布互连件。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的空腔(66)。所述第二模化合物填充所述空腔，并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片封装

[发明专利]具有增强性能的晶片级封装-CN201780063121.2有效
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;简·爱德华·万德梅尔;乔纳森·哈勒·哈蒙德;小梅里尔·阿尔贝特·哈彻;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于增强晶片级封装的热性能和电气性能的封装工艺。具有增强性能的所述晶片级封装包括具有第一装置层(20)的第一薄化裸片(14)、多层再分布结构(52)、第一模化合物(42)以及第二模化合物(74)。所述多层再分布结构包括在所述多层再分布结构的底部表面上的多个封装触点，和将所述第一装置层连接到所述封装触点的再分布互连件。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的空腔(66)。所述第二模化合物填充所述空腔，并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片封装

[发明专利]具有增强性能的晶片级封装-CN201780062516.0有效
发明人：小梅里尔·阿尔贝特·哈彻;乔纳森·哈勒·哈蒙德;乔恩·查德威克;朱利奥·C·科斯塔;简·爱德华·万德梅尔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶片级封装，所述晶片级封装包括第一薄化裸片(12)、多层再分布结构(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片驻留在所述多层再分布结构的顶部表面上方。所述多层再分布结构包括至少一个支撑垫(52(1))，所述至少一个支撑垫在所述多层再分布结构的底部表面上并且与所述第一薄化裸片垂直地对准。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口(54)。所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片封装

[发明专利]可重构晶体管器件-CN202080078026.1在审
发明人：凯文·韦斯利·科巴亚希;朱利奥·C·科斯塔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2020-11-14 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可重构晶体管器件，包括一个基板、多个第一晶体管叉指(设置在基板上方的第一区域中)以及一个变相开关(PCS)，所述变相开关包括一个变相材料(PCM)块(设置在基板上方的第二区域中)，用于将所述多个第一晶体管叉指第一组与总线选择性耦合，其中，所述PCM块在非晶态下电绝缘，在晶态下导电。所述PCS进一步包括一个设置在所述PCM块附近的热元件，其中，所述第一热元件可将所述PCM块保持在第一温度范围内，直至所述PCM块转化为非晶态，并将所述PCM块保持在第二温度范围内，直至所述第一PCM块转化为晶态。
可重构晶体管器件

[发明专利]倒装芯片模块及其制造方法-CN202210148387.X在审
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;托马斯·斯科特·莫里斯;乔纳森·哈勒·哈蒙德;大卫·扬德金斯基;斯蒂芬·帕克;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开了一种倒装芯片模块及其制造方法。该倒装芯片模块包括具有顶表面的载体，第一模制化合物位于顶表面上。第一薄化的倒装芯片管芯位于第一模制化合物的第一部分之上并且具有延伸穿过第一模制化合物的第一部分到达顶表面的第一组互连件，第一模制化合物的第一部分填充第一薄化的倒装芯片管芯和顶表面之间的区域；第二模制化合物，位于载体之上并且与第一模制化合物接触并且在第一薄化的倒装芯片管芯之上提供第一凹陷，第一凹陷延伸到第一薄化的倒装芯片管芯的第一管芯表面；第三模制化合物，位于第一凹陷中并覆盖第一薄化的倒装芯片管芯的第一暴露表面，第三模制化合物包括导热添加剂以提供通过第三模制化合物的导热。
倒装芯片模块及其制造方法

[发明专利]RF半导体装置及其制造方法-CN202080022825.7在审
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及一种射频装置，所述射频装置包含传递装置管芯和位于所述传递装置管芯之下的多层重新分布结构。所述传递装置管芯包含装置区域和传递衬底，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于所述BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。所述FEOL部分包含隔离区段和有源层，所述有源层被所述隔离区段围绕。所述装置区域的顶表面是平坦化的。包含多孔硅(PSi)区域的所述传递衬底位于所述装置区域的所述顶表面之上。在本文中，所述PSi区域的孔隙度为1％至80％。所述多层重新分布结构包含多个凸起结构，所述多个凸起结构位于所述多层重新分布结构的底部处并且电耦接到所述传递装置管芯的所述FEOL部分。
rf 半导体装置及其制造方法

[发明专利]RF半导体装置和其制造方法-CN201980094528.0在审
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开涉及一种射频(RF)装置，所述装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域和第一模制化合物，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于所述BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。所述FEOL部分包含有源层、接触层以及隔离区段。在本文中，有源层和隔离区段位于接触层之上，并且有源层被隔离区段围绕。第一模制化合物位于有源层之上，而在所述第一模制化合物与所述有源层之间没有不具有锗含量的硅晶体。多层重新分布结构包含重新分布互连件和多个凸点结构，所述多个凸点结构位于所述多层重新分布结构的底部处并且通过所述重新分布互连件电耦接到所述模制装置管芯。
rf 半导体装置制造方法

[发明专利]RF半导体装置和其制造方法-CN202080023328.9在审
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔;菲利普·W·梅森;小梅里尔·阿尔贝特·哈彻 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开涉及一种射频(RF)装置，该RF装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域、导热薄膜和第一模制化合物，装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。FEOL部分包含隔离区段和有源层，有源层被隔离区段围绕。热导率大于10W/m·K并且电阻率大于1E5Ohm‑cm的导热薄膜位于有源层与第一模制化合物之间。在本文中，在第一模制化合物与有源层之间不存在硅晶体。多层重新分布结构包含多个凸点结构，多个凸点结构位于多层重新分布结构的底部处并且电耦接到模制装置管芯的FEOL部分。
rf 半导体装置制造方法

[发明专利]RF半导体装置和其制造方法-CN202080023358.X在审
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔;菲利普·W·梅森;小梅里尔·阿尔贝特·哈彻 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开涉及一种射频装置，该射频装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域、阻挡层和第一模制化合物，装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。FEOL部分包含隔离区段和有源层，有源层被隔离区段围绕。由氮化硅形成的阻挡层位于有源层之上并且位于隔离区段的顶表面之上。第一模制化合物位于阻挡层之上。在本文中，在第一模制化合物与有源层之间不存在硅晶体。多层重新分布结构包含多个凸点结构，多个凸点结构位于多层重新分布结构的底部处并且电耦接到模制装置管芯的FEOL部分。
rf 半导体装置制造方法

[发明专利]RF半导体装置及其制造方法-CN202080023383.8在审
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开涉及一种射频装置，所述射频装置包含传递装置管芯和位于所述传递装置管芯之下的多层重新分布结构。所述传递装置管芯包含装置区域和传递衬底，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于所述BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。所述FEOL部分包含隔离区段和有源层，所述有源层被所述隔离区段围绕。所述装置区域的顶表面是平坦化的。所述传递衬底位于所述装置区域的所述顶表面之上。在本文中，在所述传递衬底内或在所述传递衬底与所述有源层之间不存在硅晶体。所述多层重新分布结构包含多个凸起结构，所述多个凸起结构位于所述多层重新分布结构的底部处并且电耦接到所述传递装置管芯的所述FEOL部分。
rf 半导体装置及其制造方法

[发明专利]RF半导体装置和其制造方法-CN202080023386.1在审
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开涉及一种射频(RF)装置，所述装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域和第一模制化合物，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。FEOL部分包含有源层，所述有源层由应变硅外延层形成，在300K的温度下，所述应变硅外延层中的晶格常数大于5.461。第一模制化合物位于有源层之上。在本文中，在第一模制化合物与有源层之间不存在硅晶体。多层重新分布结构包含多个凸点结构，所述多个凸点结构位于多层重新分布结构的底部处并且电耦接到模制装置管芯的FEOL部分。
rf 半导体装置制造方法

[发明专利]热增强型封装和其制作过程-CN201980090320.1在审
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;乔治·马克西姆 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种热增强型封装包含载体、所述载体之上的经减薄管芯、模制化合物以及除热器。所述经减薄管芯包含所述载体之上的装置层和所述装置层之上的介电层。所述模制化合物位于所述载体之上、围绕所述经减薄管芯并且延伸到所述经减薄管芯的顶表面之外以在所述模制化合物内和所述经减薄管芯之上限定开口。所述经减薄管芯的所述顶表面处于所述开口的底部处。所述除热器的至少一部分插入到所述开口中并且与所述经减薄管芯热接触。在本文中，所述除热器由金属或合金形成。
增强封装制作过程

[发明专利]具有增强性能的晶片级扇出封装-CN201980079375.2在审
发明人：乔纳森·哈勒·哈蒙德;朱利奥·C·科斯塔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种增强晶片级封装的性能的封装工艺。所公开的封装包含多个模制化合物(26、34、42)、多层重布结构，以及具有装置层和所述装置层下方的裸片凸块(30)的经薄化裸片(10T)。所述多层重布结构包含在所述多层重布结构的底部处的封装接触件(50)以及将所述裸片凸块连接到所述封装接触件的重布互连件(46)。第一模制化合物(26)驻留于所述经薄化裸片周围以囊封所述经薄化裸片的侧壁，且延伸超出所述经薄化裸片的顶部表面以界定所述经薄化裸片上方的开口。第二模制化合物(34)驻留于所述多层重布结构与所述第一模制化合物之间以囊封所述装置层的底部表面和每一裸片凸块。第三模制化合物(42)填充所述开口且与所述经薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片级扇出封装

[发明专利]具有增强性能的晶片级扇出封装-CN201980077328.4在审
发明人：乔纳森·哈勒·哈蒙德;朱利奥·C·科斯塔;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶片级扇出封装，其包含第一经薄化裸片(12T)、第二裸片(14)、所述第一经薄化裸片和所述第二裸片下方的多层重布结构(16)、所述第二裸片上方的第一模制化合物(18)、所述多层重布结构上方以及所述第一经薄化裸片和所述第二裸片周围的第二模制化合物(20)，以及第三模制化合物(22)。所述第二模制化合物延伸超出所述第一经薄化裸片以界定所述第二模制化合物内和所述第一经薄化裸片上方的开口(42)，使得所述第一经薄化裸片的顶部表面在所述开口的底部处。所述第一模制化合物的顶部表面和所述第二模制化合物的顶部表面是共面的。所述第三模制化合物填充所述开口且与所述第一经薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片级扇出封装

[发明专利]RF半导体装置及其制造方法-CN201980050433.9在审
发明人： 朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开涉及一种射频装置，其包含：具有后段工艺部分和前段工艺部分的装置区、第一凸块结构、第一模制化合物，以及第二模制化合物。所述FEOL部分包含有源层、接触层和隔离区段。所述有源层和所述隔离区段位于所述接触层上方，且所述有源层由所述隔离区段围绕。所述BEOL部分形成于所述FEOL部分下方，且所述第一凸块结构和所述第一模制化合物形成于所述BEOL部分下方。每个第一凸块结构由所述第一模制化合物部分地囊封，且经由所述BEOL部分内的连接层电耦合到所述FEOL部分。所述第二模制化合物位于所述有源层上方而无硅材料，其电阻率介于5欧姆‑厘米与30000欧姆‑厘米之间。
rf 半导体装置及其制造方法

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