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[实用新型]一种制备高纯磷的装置-CN202120660248.6有效
发明人：白平平;乐卫华;朱刘 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C01B25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备高纯磷的装置，包括进料管、反应管和收集管。在整个反应进行前，向整个装置内通入氮气置换空气，避免了空气中的杂质对单质磷纯度的影响；在反应完成后，通过纯水将单质磷封存在反应管内，避免单质磷氧化；未反应的三氯化磷气体通过氢气、氮气等载气将携带排出，此过程可增加三氯化磷气体与氢气之间的质量传递，大幅提升反应过程中原料的转化率；此外，在反应管内设置反应孔板，强化了三氯化磷和氢气间的质量传递，提高了反应效率，避免流动过程中的死角。即本实用新型生产磷的反应效率及原料利用率，提高了磷的制备纯度。
一种制备高纯装置

[发明专利]一种氯化铵的回收利用装置及方法-CN202111050614.7在审
发明人：白平平;朱刘;王帮琼;陈创武 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C01C1/16 文献下载
摘要：本发明涉及贵金属精炼技术领域，公开了一种氯化铵的回收利用装置及方法，所述氯化铵的回收利用装置包括加热炉、反应管、设于所述反应管内的煅烧器皿、喷淋吸收塔和循环水槽，所述反应管设于所述加热炉的内部，所述反应管的一端用于连接氮气，另一端与所述喷淋吸收塔的进气口相连通，所述喷淋吸收塔的底部设有排液口，所述喷淋吸收塔的顶部设有排气口，所述喷淋吸收塔的内部设有喷淋装置，所述排液口与所述循环水槽的进料口相连通，所述喷淋装置与所述循环水槽通过输液管相连通，所述输液管上设有出料管。本发明直接将煅烧过程中产生的氨气和HCl转成氯化铵水溶液作为沉钌试剂，使得整个钌粉精馏提纯工艺更加完善，避免了资源浪费及环境污染。
一种氯化铵回收利用装置方法

[发明专利]一种高纯氧化铪的溶解方法-CN202110902453.3在审
发明人：陈芳会;邱叶红;陈世栋;殷亮;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C01G27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯氧化铪的溶解方法，该方法包括如下步骤：1）研磨：将高纯氧化铪进行研磨，得到高纯氧化铪粉；2）湿法消解：将研磨后的高纯氧化铪粉加入到浓硫酸中进行消解，加热使氧化铪完全反应得到浆料；3）浸出：将浆料加入纯水中进行浸出，保温反应，过滤得到硫酸铪料液。本方法流程简单，溶解效果好，可用于不同的含铪样品的高效溶解。
一种高纯氧化溶解方法

[发明专利]一种氧化物平面靶及其制备方法-CN202111081160.X在审
发明人：李开杰;邵学亮;张来稳;司振华;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物平面靶及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)将氧化镨、氧化铟、氧化镓和氧化锌粉末混合，研磨制浆得到混合浆料，将混合浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉；(2)将造粒粉进行模压、冷等静压成型得到靶材素坯；(3)将靶材素坯的棱和顶角打磨为R角；(4)将打磨后的靶材素坯烧结，得到氧化物平面靶。本发明将靶材素坯的棱和顶角打磨为R角，使靶材素坯在烧结过程中受力均匀，提高烧结成品率，也提高氧化物平面靶的载流子迁移率和相对密度。
一种氧化物平面及其制备方法

[发明专利]一种溅射靶材研磨装置及加工方法-CN202111116516.9在审
发明人：周桂媚;刘佰玲;胡智向;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本发明涉及靶材加工技术领域，公开了一种溅射靶材研磨装置及加工方法，所述溅射靶材研磨装置包括机架和研磨用砂轮，所述机架的一端可移动地设有尾顶，所述机架的另一端对应所述尾顶可转动地设有工作头，所述工作头上设有工装夹具，所述工装夹具内可拆卸地插接有靶材套筒，所述砂轮可移动地设置在所述工装夹具与所述尾顶之间。采用本发明溅射靶材研磨装置及加工方法，研磨靶材内径时在工装夹具上安装靶材套筒，然后将靶材坯料固定在靶材套筒内进行内表面的研磨，避免了其在研磨过程中的圆跳动，不仅方便对内表面进行研磨，而且研磨外表面时也不用多次研磨，从而提高了对长管形溅射靶材的研磨精度及研磨速率，提高了产品合格率，降低了成本。
一种溅射研磨装置加工方法

[发明专利]锗锭的腐蚀方法-CN202110980367.4在审
发明人：顾小英;狄聚青;赵青松;牛晓东;朱刘 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：本公开提供一种锗锭的腐蚀方法，包括以下步骤：步骤一，去离子水将锗锭清洗干净，用氮气吹干；步骤二，配置体积比为2～3∶1的硝酸和氢氟酸的浓酸腐蚀液，配置体积比为硝酸∶氢氟酸∶水＝2～3∶1∶4～6稀酸腐蚀液；步骤三，将浓酸腐蚀液放置在腐蚀槽中，将盛有浓酸的腐蚀槽放置在通风橱的纯水槽中，水浴温度设定为18℃～25℃，盛有稀酸的腐蚀槽放置在通风橱上；步骤四，将锗锭升温；步骤五，将升温后的锗锭放入浓酸中腐蚀1min～3min，浓酸腐蚀后再快速将锗锭放入盛有稀酸的腐蚀槽中腐蚀1min～2min；步骤六，将腐蚀后的锗锭放入纯水槽中反复冲洗，氮气吹干；步骤七，将吹干的锗锭放入pp盘且用盖子盖好；所述步骤一～步骤七需在百级洁净房内操作。
腐蚀方法

[发明专利]超高纯锗单晶的制备方法-CN202111018732.X在审
发明人：顾小英;狄聚青;赵青松;牛晓东;朱刘 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本公开提供一种超高纯锗单晶的制备方法，包括以下步骤：步骤一，将区熔炉倾斜，使石英舟头部低于石英舟尾部；步骤二，将放好锗料的石英舟放入石英管中，关闭法兰；步骤三，在设备排气管比进气管细的前提下，通氢气吹扫；步骤四，将加热器升温由石英舟头部移动至石英舟尾部；步骤五，将加热器调至籽晶与锗料接触处进行化料；步骤六，化料完成后，加热器移动超出石英舟尾部时，距石英舟尾部较近的一边与加热器相距10～15cm，才将加热器调至籽晶与锗料熔接处开始下一次化料和区熔；步骤七，重复化料和区熔，区熔炉降温，将氢气切换为氮气，氮气吹扫后，用工具将石英舟取出，得到超高纯锗单晶；上述步骤均在洁净度高于千级的洁净房中操作。
高纯锗单晶制备方法

[发明专利]一种测定块状氮化铝中痕量杂质元素含量的方法-CN202111091904.6在审
发明人：谭秀珍;李江霖;李瑶;邓育宁;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明涉及分析检测技术领域，公开了一种测定块状氮化铝中痕量杂质元素含量的方法。该方法包括：（1）将钽片与第一酸性溶剂进行第一接触，得到腐蚀钽片；以及将待测块状氮化铝样品与第二酸性溶剂进行第二接触，得到腐蚀待测块状氮化铝样品；其中，所述钽片上每间隔1‑2mm设有直径为1‑2mm的通孔；所述第一酸性溶剂、所述第二酸性溶剂均为用量体积比为5‑10:1的硝酸和氢氟酸混合溶液；将所述腐蚀钽片放置于所述腐蚀待测块状氮化铝样品上，并采用直流辉光放电质谱仪进行分析。本发明提供的方法操作简单，不容易引入污染，能够提高检测结果准确性。
一种测定块状氮化痕量杂质元素含量方法

[发明专利]一种陶瓷靶材及其制备方法-CN201910536983.3有效
发明人：沈文兴;朱刘;童培云;白平平 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及溅射靶材技术领域，尤其涉及一种陶瓷靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)将所述铜锌锡硒粉体与氟化铷粉体进行均质混合，所述均质混合后的粉体经预压后，得到坯体；B)在真空的条件下，将所述坯体加热至200～400℃，进行保温；C)然后加热至600～700℃，保温后在25～50MPa下进行热压烧结，降温、减压后，得到靶坯；D)对所述靶坯进行机械加工，得到陶瓷靶材。采用本发明提供的制备方法制得的陶瓷靶材的纯度和密度均较高，组分均匀。为制备高性能掺杂靶材提供一定的理论参考。结果表明，本发明制备的陶瓷靶材的纯度99.99％，密度为5.53～5.58g/cm3，相对密度为94～95％。
一种陶瓷及其制备方法

[发明专利]砷化镉的制备方法-CN202011025251.7有效
发明人：文崇斌;朱刘;童培云;胡智向;李德官 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C22C20/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种成本低廉、操作简单、反应过程易控的砷化镉的制备方法，包含步骤：a.混料：将砷和镉按照2：3的摩尔比装入混料装置中，然后通入惰性气体置换混料装置中的空气，加入锆球后进行混料均匀；b.烧结：将步骤a混好的料装入烧结装置中，升温至300℃‑380℃，同时通入惰性气体，进行保温反应，反应完成后在装置内自然降温；c.破碎：将步骤b得到的物料破碎成‑50目的粒子；d.氢化：将步骤c得到的粒子进行氢化处理，氢化温度为500℃‑550℃；e.氢化处理完成后，在装置内自然降温得到砷化镉。本公开提供的砷化镉的制备方法不仅能保证反应过程中的砷和镉的化学计量比，最终得到的砷化镉中砷的含量在理论范围，并且游离镉的含量小于100ppm。
砷化镉制备方法

[实用新型]用于旋转靶材工件加工的工装和机床-CN202023231734.0有效
发明人：钱增杰;黄宇彬;阿南·辛格·迪欧达特;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： B23B31/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于旋转靶材工件加工的工装和机床，所述工装包括卡盘本体、卡爪、延长卡爪和支撑结构。卡爪设置为多个且延长卡爪对应设置为多个，多个卡爪沿卡盘本体的周向均布于卡盘本体上，卡盘本体上设置有扳手孔，扳手孔用于驱动卡爪相对卡盘本体沿卡盘本体的径向运动；延长卡爪连接于卡爪且沿卡盘本体的轴向延伸；多个卡爪带动多个延长卡爪沿卡盘本体的径向运动以夹持或松开旋转靶材工件；支撑结构连接于卡盘本体且位于对应的延长卡爪靠近卡盘本体的中心轴的一侧，支撑结构上设置有弹簧顶针，弹簧顶针抵接于延长卡爪。所述工装能稳定夹持旋转靶材工件，避免旋转靶材工件晃动。
用于旋转工件加工工装机床

[发明专利]一种溅射靶材研磨装置及加工方法-CN202110841648.1在审
发明人：刘佰玲;胡智向;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及靶材加工技术领域，公开了一种溅射靶材研磨装置及加工方法，所述溅射靶材研磨装置包括机架、砂轮、第一驱动机构和第二驱动机构，所述机架的一端可移动地设有尾座，所述机架的另一端对应所述尾座设有工作夹头，所述工作夹头上设有夹具，所述尾座及所述夹具同轴设置，溅射靶材设于所述夹具与所述尾座之间，所述砂轮对应溅射靶材设置在所述夹具与所述尾座之间，并通过所述第一驱动机构驱动其移动，所述第二驱动机构用于驱动溅射靶材旋转铝铜靶材。采用本发明溅射靶材研磨装置就加工方法，通过设置夹具夹持溅射靶材，保证了溅射靶材的研磨稳定性，提高了对长管形溅射靶材的研磨精度及研磨速率，提高了产品合格率，降低了成本。
一种溅射研磨装置加工方法

[发明专利]一种银旋转靶材的加工方法-CN202110775202.3在审
发明人：钱增杰;黄宇彬;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种银旋转靶材的加工方法，涉及金属靶材加工技术领域。本发明提供的银旋转靶材的加工方法包括以下步骤：对银旋转靶材表面进行车削加工，所述车削加工依次包括粗加工和精加工，所述粗加工过程中的进刀量为1‑1.5mm，所述精加工过程中的进刀量为0.2‑0.5mm。本发明技术方案通过在对银旋转靶材进行车削加工过程中将粗加工配合精加工，准确控制加工过程的进刀量，可有效避免出现丝条，并防止银合金旋转靶材反粘靶材上，加工后靶材表面的粗糙度可以达到1.5Ra以下，从而得到外观完美、性能优越的银合金旋转靶材。
一种旋转加工方法

[发明专利]二碲化钼的生产方法-CN201810851488.7有效
发明人：刘运连;滕飞;朱刘;王春泉;狄聚青;赵颂;袁静 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯二碲化钼的制备方法，其包括S1、混合物料；S2、加热合成；S3、低真空度挥发除碲。本二碲化钼的生产方法，工艺简单，生产流程短，处理量大，可实现产业化；合成反应过程采用通流动保护气流的低压生产方式，在大批量生产时能很好地控制碲的蒸汽压，防止爆管，做到安全生产；采用低真空度系统，对设备整体结构要求简单，产品纯度高；对挥发的碲进行收集回收，综合降低生产成本，保护环境。
二碲化钼生产方法

[发明专利]一种二水合氯化亚锡及其制备方法-CN201911050317.5有效
发明人：贾行伟;朱刘;王权;罗洋 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C01G19/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二水合氯化亚锡的制备方法，其包括如下步骤：将盐酸溶液和金属锡加入反应器中，控制反应温度在40～70℃，然后滴入过氧化氢溶液，使金属锡溶解，然后加入金属锡，还原Sn4+，然后过滤，将滤液的pH值调至0.5～1.5后，对滤液进行浓缩，同时向滤液中加入金属锡，抑制Sn2+氧化，待滤液的密度达到2.0～2.3g/mL时，停止浓缩，得到浓缩液；将浓缩液置于0～5℃下结晶，分离析出的氯化亚锡晶体，干燥，即得二水合氯化亚锡。本发明制备方法的工艺路线简单，显著提高了反应速率，缩短了反应时间，并有效降低了反应所需温度，在反应过程中无需使用浓盐酸和氯气，对环境友好，工艺安全性高，产品纯度高。
一种水合氯化亚锡及其制备方法