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[发明专利]一种基于钎焊方式的靶材绑定方法-CN202110493339.X有效
发明人：黄宇彬;谢小林;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钎焊方式的靶材绑定方法，包括如下步骤：(1)对靶材和背板的绑定面进行机加工，使绑定面的平面度≤0.1μm、以及粗糙度≤Ra 2μm；(2)对靶材和背板进行酸洗，酸洗后绑定面的粗糙度为Ra 2.8～3.2μm；(3)使用PVD磁控溅射方式在靶材和背板的绑定面上进行镀银处理；(4)使用熔融的SnAg合金对靶材和背板的绑定面进行浸润涂布；(5)将靶材和背板放入真空钎焊炉内，在靶材和背板的绑定面之间夹置SnCu合金箔片，然后在靶材上放置重物以施加压力，炉内抽真空至真空度≤6×10e‑3，加热至170～185℃后，保温至绑定完成。本发明钎焊所用原料的总成本为300元/kg，降低了靶材绑定的成本，焊接层的焊接强度高达15～18MPa，耐温200℃以上，提高了靶材绑定的强度和稳定性。
一种基于钎焊方式绑定方法

[发明专利]一种硒化镉靶材及其制备方法-CN201910554310.0有效
发明人：范文涛;朱刘;胡智向 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种硒化镉靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)将硒粉和镉粉混匀，得到混合粉末；B)将所述混合粉末进行热压烧结，得到硒化镉靶材；所述热压烧结包括：b1)将所述混合粉末加热至240～350℃，保温1～3h；b2)然后保压升温至600～800℃，保温1～3h。本发明将硒粉和镉粉混匀后，直接进行热压烧结即可制得硒化镉靶材。本发明中的热压烧结无需在真空条件下进行，即使在真空条件下进行，也是可以实现本发明的效果。因而，工序简单，周期短，对设备要求较低，成本较低，可规模化生产。制得的硒化镉靶材纯度和密度均较高。
一种硒化镉靶材及其制备方法

[发明专利]一种中频感应熔炼炉坩埚及其打炉方法-CN202210234869.7在审
发明人：袁兴宝;黄宇彬;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本发明属于坩埚制备技术领域，公开了一种中频感应熔炼炉坩埚及其打炉方法。本发明的方法采用无碱玻璃纤维布做铺垫加上不混合水玻璃的耐火材料进行线圈底部和炉衬的填充，以高纯石英砂混合水玻璃作为封口料，使用干法打制炉底和炉衬，再用湿法混料封口能在拆解坩埚过程中大大减少拆解时间，避免了全湿法打制时造成坩埚很坚硬、拆解过程费时费力，且会对线圈造成损害，在加热时造成坩埚因受热膨胀，与烘干后坚硬的炉衬材料一起对线圈进行挤压从而使线圈变形等问题。本发明的方法在熔炼炉外打制坩埚对熔炼炉不会造成污染，如避免熔炼炉进行高纯度金属熔炼时的污染。
一种中频感应熔炼炉坩埚及其方法

[发明专利]一种钛镍钯合金的制备方法-CN202011574318.2有效
发明人：毛远兴;黄宇彬;曾成亮;童培云;朱刘;何坤鹏 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种钛镍钯合金的制备方法，所述方法包括以下步骤：将钛粉、镍粉、钯粉混匀后进行热压；所述热压包括以下条件，热压的真空度为‑0.1～1Pa，热压的压力为30～50Mpa，热压的温度为700℃～950℃；所述钛粉的粒径为40μm～150μm，所述镍粉的粒径为40μm～150μm，所述钯粉的粒径为：40μm～150μm。本发明的钛镍钯合金的制备方法采用将钛粉、镍粉、钯粉混匀后进行热压的方法，克服了钛镍钯合金铸锭制备的钛镍钯合金内部缺陷高，良品率低的问题，显著的减少了钛镍钯合金的内部缺陷，提高了良品率。
一种钛镍钯合金制备方法

[发明专利]一种钛镍形状记忆合金靶材及其制备方法-CN202110493470.6有效
发明人：王慧康;蔡新志;童培云;朱刘;冉成义 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛镍形状记忆合金靶材及其制备方法。所述钛镍形状记忆合金靶材的制备方法包括如下步骤：S1：将金属钛和金属镍以交替平铺的方式加入容器中进行熔炼得到合金熔体；S2：将S1得到的合金熔体进行浇铸，冷却得到靶坯；S3：将所述靶坯进行机加工后得到所述钛镍形状记忆合金靶材。本发明将金属钛和金属镍以交替平铺的方式加入容器中进行熔炼，有利于降低熔炼过程中的温度，减少熔炼过程中的吸气，既保证合金的纯度要求，又提高熔炼速度和熔炼炉的寿命。而且采用所述制备方法制备的钛镍合金靶材组分均匀，C、O等杂质含量低，靶材纯度高。
一种形状记忆合金及其制备方法

[发明专利]一种铜旋转靶材的制备方法-CN202010451975.1有效
发明人：余芳;朱刘;童培云;文崇斌;白平平 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜旋转靶材的制备方法。所述铜旋转靶材的制备方法包括以下步骤：(1)制备铜粉末；(2)对背管进行表面喷砂处理；(3)将喷砂处理后的背管安装在机架上，机架带动背管旋转和沿轴向运动，设定冷喷涂工艺参数，通过喷枪将所述铜粉末喷涂至背管的表面形成铜涂层，铜涂层达到所需厚度后，得到铜旋转靶材。本发明制备的铜旋转靶材的相对密度高，涂层厚度可调，铜粉综合上粉率高。
一种旋转制备方法

[发明专利]高纯铟箔的制备方法-CN202011033227.8有效
发明人：梁振耀;黄宇彬;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B21B1/40 文献下载
摘要：本公开提供一种高纯铟箔的制备方法，其包括步骤：步骤一，轧制前用无水乙醇将粗轧的轧机的不锈钢辊轮和精轧的轧机的聚四氟乙烯复合辊轮进行清洗，然后使用无尘纸擦拭表面至无黑色污物，其中，精轧的轧机的聚四氟乙烯复合辊轮构造成中间为实心钢辊而外层为聚四氟乙烯材料；步骤二，将铟锭用轧机粗轧成片状铟板，在粗轧过程中用无水乙醇喷洒在粗轧的轧机的不锈钢辊轮上；步骤三，将步骤二中的片状铟板裁剪成所需尺寸；步骤四，用轧机将步骤三中的片状铟板进行精轧，在精轧过程中用无水乙醇喷洒在精轧的轧机的聚四氟乙烯复合辊轮上，精轧后获得铟箔片；步骤五，将精轧后的铟箔片在大理石上裁剪成所需产品的规格。本公开能够制备表面质量好的铟箔片。
高纯制备方法

[实用新型]一种溅射靶材研磨装置-CN202122309518.1有效
发明人：周桂媚;刘佰玲;胡智向;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及靶材加工技术领域，公开了一种溅射靶材研磨装置，包括机架和研磨用砂轮，所述机架的一端可移动地设有尾顶，所述机架的另一端对应所述尾顶可转动地设有工作头，所述工作头上设有工装夹具，所述工装夹具内可拆卸地插接有靶材套筒，所述砂轮可移动地设置在所述工装夹具与所述尾顶之间。采用本实用新型溅射靶材研磨装置及加工方法，研磨靶材内径时在工装夹具上安装靶材套筒，然后将靶材坯料固定在靶材套筒内进行内表面的研磨，避免了其在研磨过程中的圆跳动，不仅方便对内表面进行研磨，而且研磨外表面时也不用多次研磨，从而提高了对长管形溅射靶材的研磨精度及研磨速率，提高了产品合格率，降低了成本与研磨加工时间。
一种溅射研磨装置

[发明专利]高纯钨酸铅粉体的制备方法-CN202210562479.2在审
发明人：胡智向;李德官;曾成亮;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明属于化工材料技术领域，公开了一种高纯钨酸铅粉体的制备方法。所述方法选用分析纯级钨酸铵和分析纯级硝酸铅作为原料，将硝酸铅溶液以一定的速率滴入钨酸铵溶液中进行化学反应，然后陈化、氨水处理、洗涤反应产物，得到纯度为4N以上的高纯钨酸铅粉体。制备过程简单可控，便于大规模生产。
高纯铅粉制备方法

[发明专利]一种快速溶于乙二醇的二氧化锗的制备方法-CN202210518815.3在审
发明人：康冶;沃尔特·德巴兹;江竞鑫;彭伟校;梁水强;王波;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C01G17/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速溶于乙二醇的二氧化锗的制备方法，包括以下步骤：在0～20℃、搅拌条件下，将四氯化锗和氨水同时加入到底液中，加料时间为3～8h，体系pH值为9.0～11.0，反应结束后离心，得到固体物；所述底液为pH值＝9.0～11.0的稀氨水；将所述固体物先烘干再煅烧，得到二氧化锗。该方法制备的二氧化锗为非晶型，降低了其溶解在乙二醇中的时间。实验结果表明：0.300g二氧化锗溶于60.0g乙二醇的比例混合，于200±1℃溶解搅拌反应，其溶解澄清时间为5min～7min。
一种速溶乙二醇氧化制备方法

[发明专利]一种CdIn靶材及其制备方法-CN202210245202.7在审
发明人：余飞;江佩庭;黄宇彬;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种CdIn靶材及其制备方法，涉及靶材制备技术领域。本发明提供的CdIn靶材包括如下重量份数的组分：Cd 90‑99.9份和In 0.1‑10份，所述CdIn靶材的致密度大于99％。本发明所提供的CdIn合金靶材继承了金属Cd及金属In良好的金属性能，使得靶材在加工、运输、溅射过程，不会出现开裂或打火现象。
一种 cdin 及其制备方法

[发明专利]一种钴钽锆靶材的制备方法-CN202010330861.1有效
发明人：蔡新志;童培云;朱刘;何坤鹏;黄宇彬;邓瑞;钟振宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明揭示了一种钴钽锆靶材的制备方法，包括以下步骤：按照靶材所需的配比称量Co、Zr和Ta原材料，将原材料装入磁悬浮感应熔炼炉的水冷坩埚内，得到混合物料；将混合物料进行熔炼后得到合金锭；将合金锭进行精炼后得到合金熔体；将合金熔体进行浇铸后得到铸锭；将铸锭进行热轧后得到靶坯；将靶坯进行机加工后得到靶材。本发明提供的一种钴钽锆靶材的制备方法，通过结合熔炼、精炼两种不同的方式制备钴钽锆合金靶材，能有效解决现有技术制备钴钽锆合金靶材纯度底、晶粒大小分布不均且工艺复杂的技术问题。
一种钴钽锆靶材制备方法

[发明专利]一种铝钪靶材的制备方法-CN202010348639.4有效
发明人：蔡新志;童培云;朱刘;何坤鹏;赵宇飞;邓瑞 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明揭示了一种铝钪靶材的制备方法，包括以下步骤：将铝钪合金块粉碎、筛分后得到铝钪合金粉末；将所述铝钪合金粉末与铝粉或钪粉按照一定比例进行混合，进行均质处理后得到混合粉末；将所述混合粉末进行烧结后得到铝钪靶坯；将所述铝钪靶坯进行机加工得到铝钪靶材。本发明提供的一种铝钪靶材的制备方法，通过采用铝钪合金粉末与铝粉或钪粉进行混合，制备低钪含量的铝钪靶材只需要添加铝粉混合，制备高钪含量的铝钪靶材只需要添加钪粉混合，不需要经过繁琐的熔炼过程，同时也能有效解决现有技术采用钪粉和铝粉混合后热压烧结，导致使用过多昂贵的金属钪粉而产生成分偏析、氧含量高和晶粒尺寸不均匀的技术问题。
一种铝钪靶材制备方法

[发明专利]掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法-CN202010989379.9有效
发明人：李德官;朱刘;文崇斌;胡智向;杨浩;朱卓南 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本公开提供一种掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法。步骤S1，混合硒、镉、砷或其化合物，得到混合物料；步骤S2，将所述混合物料进行高温高压煅烧，然后降温降压，制得掺砷或其化合物的硒化镉初料；步骤S3，将所述掺砷或其化合物的硒化镉初料进行破碎筛分，得到的掺砷或其化合物的硒化镉初料粉末经氢化除杂，制得掺砷或其化合物的硒化镉产品。使用根据掺砷或其化合物的硒化镉的制备方法制备得到的掺砷或其化合物的硒化镉取代硫化镉作为碲化镉薄膜太阳能电池中的n型薄膜层，能够提高p‑n结的电势差。
化合物硒化镉及其制备方法薄膜太阳能电池

[发明专利]掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法-CN202010989392.4有效
发明人：李德官;朱刘;文崇斌;胡智向;杨浩;朱卓南 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本公开提供一种掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法。掺砷或其化合物的硒化镉的制备方法包括以下步骤：步骤S1，混合硒粒、镉粒、砷或其化合物的颗粒，得到混合物料；步骤S2，将混合物料放入石英管中并在真空环境中将石英管封管，然后进行加热处理，冷却，制得掺砷或其化合物的硒化镉初料；步骤S3，将掺砷或其化合物的硒化镉初料进行破碎筛分，得到的掺砷或其化合物的硒化镉初料粉末经氢化除杂，制得掺砷或其化合物的硒化镉产品。使用根据掺砷或其化合物的硒化镉的制备方法制备得到的掺砷或其化合物的硒化镉取代硫化镉作为碲化镉薄膜太阳能电池中的n型薄膜层，能够提高p‑n结的电势差。
化合物硒化镉及其制备方法薄膜太阳能电池