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[发明专利]一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构-CN202111513906.X在审
发明人：王佰胜;金锋;潘山山;苗彬彬;周柳怡;朱冬慧;都文韬 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种增加集成在高压环内升压二极管电流的结构，第一至第三横向平直部、U型部以及纵向平直部；U型部包括第一、第二U型纵向部以及U型端；第一、第二U型纵向部的一端分别连接于U型端的两端；第一横向平直部的一端连接于U型部中第一U型纵向部的另一端；第二U型纵向部的另一端与第二横向平直部的一端连接；第二横向平直部的另一端连接于纵向平直部的一端；纵向平直部的另一端连接于第三横向平直部的一端；第一、第二横向平直部处于一条直线上；第三横向平直部与所述第一、第二横向平直部相互平行；U型部处于第一、第二横向平直部与第三横向平直部之间。本发明集成了升压二极管的高压环结构，这种结构增加LDMOS宽度并增大升压二极管的电流。
一种集成增加高压升压二极管电流结构

[发明专利]孔链电阻-CN201710068640.X有效
发明人： 朱冬慧;苗彬彬;苏庆 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种孔链电阻，在所述孔链电阻的外圈增加深槽环，该深槽环与孔链电阻形成闭合环，使测试结构与外界P型外延完全隔离。本发明能够有效实现孔链的横向隔离。
电阻

[发明专利]用于评价OPC效果的测试结构-CN201110335409.5有效
发明人：刘梅;朱冬慧;陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于评价CMOS多晶硅层OPC效果的测试结构，该结构包括2N个CMOS器件，根据设定尺寸采用相应的一套包括OPC过程的CMOS半导体工艺生产，将N个CMOS器件作为一组阵列，该阵列因布图方式不同而分为2组，一组作为检验组，另一组作为参照组；检验组中的CMOS器件，其L形多晶硅距离单晶硅有源区的间距等于e；参照组中的CMOS器件，其L形多晶硅距离单晶硅有源区的间距大于等于2e；e为该套CMOS半导体工艺设计规则中的L形多晶硅距离同一MOS的单晶硅有源区的最小距离。本发明还公开了一种用于评价CMOS单晶硅有源区层OPC效果的测试结构。本发明的测试结构，能直观的根据器件电学特性数据检验OPC是否已经消除了角部圆角化效应对器件特性的影响。
用于评价 opc 效果测试结构