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[发明专利]一种太赫兹衰减片的制备方法及其衰减特性标定方法-CN202010884518.1有效
发明人：吴斌;杨延召;曹乾涛;刘红元;王洪超;朱军峰;李京松 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C14/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属薄膜的高精度太赫兹衰减片制备方法及其衰减特性标定方法，衰减片设计依据的原理为：太赫兹波是无法穿透金属材质的，但当金属的厚度小于趋肤深度时情况会发生变化，一部分太赫兹波会透过金属薄膜，透射率取决于金属薄膜的厚度，厚度越小透过率也就越大，相应地，衰减就越小；反之，厚度越大，衰减也就越大。采用本发明的技术方案：(1)衰减片对工作频率没有选择性，因此适用于整个太赫兹波段；(2)衰减片为薄膜结构，因此不改变太赫兹波的传输特性，不仅适用于对平行太赫兹波束的衰减，而且同样适用于对会聚波束进行衰减；(3)衰减片通过溅射工艺制备而成，可有效保证制备精度。
一种赫兹衰减制备方法及其特性标定

[发明专利]一种宽频带高性能衰减电路-CN201711177780.7有效
发明人：张猛;文春华;赵建波;赵秉玉;刘长春;潘猛;曹乾涛;李红伟;姜万顺;年夫顺 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H03H7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽频带高性能衰减电路，属于微波技术领域，包括多个电阻；其中，第一电阻为并联电阻，其一端与第二电阻的一端连接，另一端与金带连接；第二电阻为串联电阻，其输入端与输出端均与金带连接；其余多个电阻的一端均悬空，另一端均分布在金带上，且在金带上的分布长度与第二电阻的长度相对应；与第二电阻连接的金带为微波信号的输入端或输出端；与第一电阻和其余多个电阻连接的金带均为地。本发明可通过调整其余多个电阻的个数、位置、宽度、长度来调整衰减电路的驻波比和衰减精度指标，克服了现有技术或衰减精度差、或驻波比差的缺点，满足了工程需求。
一种宽频性能衰减电路

[发明专利]一种用于介质基片片内均匀减薄的方法-CN201711101430.2有效
发明人：董航荣;曹乾涛;赵海轮 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于介质基片片内均匀减薄的方法，步骤101：预先在基片待减薄面上粘贴感光胶膜；步骤102：用粘接剂石蜡将含有基片的临时键合体粘贴到载体上，采用重力方式进行加压粘片；步骤103：将基片周边的溢蜡、杂质等处理干净，然后将感光胶膜和基片脱离；步骤104：通过减薄处理装置对粘接后的基片进行减薄处理；步骤105：物理或化学方法进行基片抛光；步骤106：基片同载体分离及后续处理。采用上述方案，适用性强，适用于99.6％的Al2O3陶瓷、蓝宝石、99.8％的氮化铝陶瓷、熔融石英、Si基片等材料介质基片的减薄和抛光。
一种用于介质片片均匀方法

[发明专利]用于波导毫米波与太赫兹衰减器吸收体的成型方法-CN201711101456.7有效
发明人： 曹乾涛;赵海轮;董航荣 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于波导毫米波与太赫兹衰减器吸收体的成型方法，步骤101：将一双面抛光且抛光度相同的介质基片加工成型吸收体介质基体和介质基片外框；步骤102：清洗成型吸收体介质基体和介质基片外框；步骤103：在成型吸收体介质基体正面沉积电阻薄膜；步骤104：将成型吸收体介质基体反面朝上嵌入介质基片外框中组成一临时组合体；步骤105：使用步骤103所述工艺在所述临时组合体上沉积电阻薄膜；步骤106：将所述临时组合体分离，完成吸收体制作。采用上述方案，适用性强，可用于Al
用于波导毫米波赫兹衰减器吸收体成型方法

[发明专利]一种激光直写加工软介质高频微波电路的方法-CN201711101451.4有效
发明人：赵海轮;曹乾涛;路波;龙江华;董航荣 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种激光直写加工软介质高频微波电路的方法，步骤101：准备待加工软介质基片、透明上玻璃板和透明下玻璃板；步骤102：在软介质基片上表面均匀涂覆光刻胶，前烘干燥；步骤103：将透明上玻璃板‑上表面涂覆光刻胶的软介质基片‑透明下玻璃板按照上中下的顺序叠加卡紧；步骤104：调整激光输出参数和焦点位置；步骤105：依次取下玻璃板和软介质基片，对软介质基片进行显影；步骤106：图形电镀导体金属层；步骤107：剥离光刻胶；步骤108：蚀刻液刻蚀非图形区域的金属层，得到软介质高频微波电路。采用上述方法，解决了软介质基片难以真空吸附的问题，加工效率大幅提高，适合批量生产，值得在生产中推广。
一种激光加工介质高频微波电路方法

[发明专利]用于化学铣削工艺制作镀金铜带微连接线的光刻掩膜版-CN201611015245.7有效
发明人： 曹乾涛;莫秀英;龙江华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学铣削工艺制作镀金铜带微连接线的光刻掩膜版。其掩膜版版图结构包括正方形外框以及由正方形外框的四个顶点两两相连形成的两条对角梁，由两条对角梁将正方形外框平分成四个呈等腰直角三角形的有效图形区；每个有效图形区内均设有微连接线图形；所述微连接线图形是由若干个相等宽度、相互平行且等间距设置的微连接线组成，各条微连接线均垂直于对应的有效图形区的斜边；每条微连接线的一端位于有效图形区的斜边，另一端位于有效图形区的一条直角边。本发明中的光刻掩膜版版图结构布局方式趋于合理，光刻转移图形后，再通过化学铣削工艺形成的整体微结构整体受力均匀。
用于化学铣削工艺制作镀金铜带微连接线光刻掩膜版

[发明专利]一种用于制备金属化通孔试样的划切方法-CN201610654514.8有效
发明人：赵海轮;曹乾涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备金属化通孔试样的划切方法，属于微波毫米波薄膜混合集成电路领域。本发明通过往金属化通孔中加入填充剂，由于填充剂承受了砂轮施加给工件上金属化通孔试样的推力，使得划切时砂轮对孔壁镀层的作用力下降，减少了金属化孔壁镀层因应力过大产生的翘起、断裂或脱落等现象的发生几率，提高了金属化通孔试样的制备成品率，有利于后续对孔壁镀层状态进行有效检测分析。
一种用于制备金属化试样方法

[发明专利]一种用于微带电路的图形电镀方法-CN201610659075.X有效
发明人： 曹乾涛;龙江华;赵海轮 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于微带电路的图形电镀方法，属于微波毫米波薄膜混合集成电路技术领域。本发明将孤立导体图形较多的微带电路，由原来的基片正面图形电镀与背部接地面整体电镀相结合的方法改为双面图形电镀工艺，使切割道位置处的介质层暴露在外面，有效地减少了划切微带电路时膜层脱落现象的发生，提高了微带电路的划切质量和成品率，解决了使用现有工艺方法制作时切割道上电镀保护层的加载和释放两个过程对微带电路电镀功能层因应力影响而发生膜层起翘脱落的问题；本发明仅使阵列电路正反面导体图形区域得到功能层的电镀沉积，避免了阵列图形之外的切割道、工艺边等其它区域的金等贵金属涂覆，减少了电镀涂覆面积，节约了成本。
一种用于微带电路图形电镀方法

[发明专利]一种提高微带金属化通孔膜层附着力的方法-CN201711101483.4有效
发明人： 曹乾涛;董航荣;赵海轮 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高微带金属化通孔膜层附着力的方法，步骤101：提供带孔介质基片、弹性衬垫和工件盘；步骤102：将带孔介质基片正面朝上，并与弹性衬垫、工件盘三者按照上中下顺序临时固定；步骤103：将所述临时固定结构沉积金属化薄膜；步骤104：拆卸步骤103中的所述临时固定结构，将带孔介质基片反面朝上，并与弹性衬垫、工件盘三者按照上中下顺序临时组合；步骤105：将所述临时组合体沉积金属化薄膜；步骤106：拆卸步骤105中的所述临时组合体，得到金属化通孔介质基片。采用上述方案，沉积薄膜时有效减少甚至避免了在通孔外沿处产生的衍射效应，提高了正反面金属化通孔内壁尤其是通孔外沿处的膜层附着力。
一种提高微带金属化通孔膜层附着力方法

[发明专利]一种芯片共晶焊接方法-CN201610353554.9有效
发明人：宋志明;李红伟;莫秀英;曹乾涛;吴红 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提出了一种芯片共晶焊接方法，包括以下步骤：步骤(a)、根据垫片的大小来确定L型陶瓷定位夹具的尺寸；步骤(b)、采用激光机来划切相应尺寸的L型陶瓷定位夹具；步骤(c)、在对芯片定位的过程中，首先采用L型陶瓷定位夹具固定住垫片，然后在垫片上面放入焊片，最后在焊片上放入芯片；步骤(d)、芯片在定位夹具固定好以后，放进真空共晶炉中采用焊接工装进行共晶焊接。本发明的芯片共晶焊接方法，通过激光机制备出L型陶瓷定位夹具有效解决了在共晶焊接时芯片与垫片错位的难题，方法简单，成本低廉，可行性强；整个夹具的制作采用陶瓷为基材，能提供有效的机械支撑，适用范围广。
一种芯片焊接方法

[发明专利]在介质基片同一平面上集成两种方阻薄膜电路的图形电镀方法-CN201610351452.3有效
发明人： 曹乾涛;赵海轮;孙佳文 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明提出了一种在介质基片同一平面上集成两种方阻薄膜电路的图形电镀方法，包括以下步骤：在介质基片同一平面上依次溅射大方阻电阻薄膜、小方阻电阻薄膜、粘附层薄膜和导体层薄膜；通过涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影及后烘，在待图形电镀面上形成图形化光刻胶区；在上述图形化光刻胶区电镀加厚金属电极层和保护层；将图形化光刻胶剥离，然后将未电镀加厚区域的导体层薄膜和粘附层薄膜刻蚀干净，再去除所述保护金属层；光刻蚀制作小方阻薄膜电阻；光刻蚀制作大方阻薄膜电阻。本发明制作出的电路图形具有导体图形侧生长小、线条边缘陡直、图形分辨率高等优点。
介质同一平面集成两种方阻薄膜电路图形电镀方法

[实用新型]一种衰减片及衰减片膜层结构-CN201820988240.0有效
发明人：赵海轮;曹乾涛;路波 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种衰减片膜层结构，由上到下依次为Au层、TiW层、TiWN层、TiW层和TaN层，最底层为基片。本实用新型中的TiWN层阻止TiW层中大量的Ti原子往金层表面扩散，避免了Ti原子的流失，使得薄膜电路可以承受高温长时间加热，从而极大地提高了衰减片的高温稳定性和可靠性。
衰减片本实用新型膜层结构高温稳定性薄膜电路金层表面由上到下最底层加热扩散

[发明专利]一种双面版图设计方法、双面版图及双面版图切割方法-CN201810662185.0在审
发明人：赵海轮;曹乾涛;路波;董航荣 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种双面版图设计方法，属于薄膜电路加工技术领域。该方法包括：对需要排版的设计图形进行组合，4个外形相同的设计图形构成一个单元，一个单元中的4个设计图形的图形区关于横轴和纵轴对称；将设计图形分别放置于一个单元的四个图形区，使其与图形区外形重合，一个单元中任意两个设计图形布置在正面版图，其余两个设计图形布置在反面版图，正面设计图形与反面设计图形的投影关于横轴和纵轴对称，反面有效图形区与正面有效图形区不重叠；将多个单元进行阵列排版，完成整块版图的正反面图形设计。采用上述实施例，减少了划切切割道的数量，减少了外形切割的时间，提高了外形切割的效率，提高了尖角位置的外形质量。
设计图形图形区版图设计外形切割有效图形纵轴对称横轴排版加工技术领域薄膜电路图形设计不重叠切割道正反面重合尖角整块投影切割

[发明专利]一种薄膜工艺集成方法-CN201810663303.X在审
发明人： 曹乾涛;董航荣;赵海轮 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种薄膜工艺集成方法，包括以下步骤：在介质基片上、下表面均沉积由粘附层、导体层组成的金属种子层薄膜；在介质基片上表面采用阳版正胶工艺光刻导体图形，然后刻蚀导体层，再剥离光刻胶；在介质基片上表面采用阴版正胶工艺光刻导体图形，掩膜电镀导体层，在介质基片下表面电镀导体层；将介质基片上表面的图形化光刻胶区剥离干净，然后完成粘附层薄膜的刻蚀；划切电路外形。本发明有效解决了光刻胶掩膜图形电镀工艺后道工序湿法刻蚀暴露出的金属种子层薄膜导体层时，因其和电镀加厚的导体层图形之间形成较大的台阶带来的导体图形精度变差的问题。
介质基片导体图形导体层上表面金属种子层薄膜工艺下表面粘附层光刻刻蚀正胶薄膜光刻胶掩膜图形图形化光刻胶薄膜导体层导体层图形电镀导体层电镀工艺湿法刻蚀掩膜电镀有效解决光刻胶加厚的再剥离电镀变差沉积电路剥离暴露

[发明专利]一种固定驻波比失配负载-CN201810500098.5在审
发明人：刘长春;许晓龙;赵建波;王金龙;文春华;姜万顺;曹乾涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01P1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种固定驻波比失配负载，包括外导体、内导体、插针、微带片和端盖，所述外导体为管状零件，所述内导体安装固定于外导体的内孔中，所述内导体的后端开设盲孔，所述盲孔与插针的前端相适配，所述端盖与外导体可拆卸连接，所述微带片的基片为氧化铝陶瓷基片，所述氧化铝陶瓷基片上覆有薄膜电阻，本发明的有益效果：改变薄膜电阻方阻可以获得不同的驻波比的失配负载，失配负载工作频率范围可达DC～50GHz，该失配负载的驻波比较现有技术平坦度高；结构尺寸小，长度比使用柱状电阻的失配负载减小一半左右，大幅减小了结构尺寸，另外可以不使用或使用少量调节螺钉调试，更容易调试。
失配外导体内导体驻波比氧化铝陶瓷基片薄膜电阻插针端盖盲孔微带调试可拆卸连接安装固定负载减小工作频率管状零件柱状电阻螺钉长度比平坦度方阻减小内孔适配驻波

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