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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有列多路复用器的突发模式存储器-CN202180081917.7在审
发明人： 晶昌镐;A·B·帕勒拉;郑春明 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了一种存储器，该存储器被配置为实施正常读取操作并且还实施突发模式读取操作。列多路复用器使用针对每个列的一对传输晶体管，从多个列中进行选择。列多路复用器驱动输出数据锁存器的真实输入节点和补码输入节点。
具有多路复用突发模式存储器

[发明专利]用于存储器的改进的定时电路-CN202310481022.3在审
发明人： S·戈什;晶昌镐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：呈现了一种存储器。该存储器包括多个存储器单元、耦合到多个存储器单元的字线、耦合到多个存储器单元中的一个存储器单元的感测放大器、以及被配置为启用感测放大器的定时电路。定时电路包括延迟级和虚设字线。虚设字线被配置为模仿字线的至少一部分。呈现了一种装置。该装置包括第一存储器，第一存储器具有耦合到第一数目的存储器单元的第一字线。第二存储器具有耦合到第二数目的存储器单元的第二字线。第一存储器和第二存储器中的每一个包括用于启用存储器操作的定时电路。定时电路包括与第三数目的存储器单元的负载相对应的延迟级。第三数目与第一数目不同。
用于存储器改进定时电路

[发明专利]高速电平移位器-CN201880021771.5有效
发明人：郑春明;陈薄弘;F·阿梅德;晶昌镐;允思相;D·李 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：一种电路(200)包括输出节点(OUT)和被配置为基于第一电压域中的输入信号(VDDL)在输出节点处提供第二电压域中的输出信号(VDDH)的交叉耦合的成对半导体器件(204，214)。该电路还包括耦合到输出节点的上拉辅助电路(230)；以及耦合到上拉辅助电路的前瞻电路(220)，其中前瞻电路被配置为当第二电压域中的反相输出信号的电压电平存在从第二电压域的高电压电平到第二电压域的低电压电平的降低时，引起上拉辅助电路辅助增加输出节点处的电压电平。
高速电平移位

[发明专利]具有稳健电荷转移感测放大的SRAM-CN202180057164.6在审
发明人： 晶昌镐;P·达达博伊;A·B·帕勒拉 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种电荷转移晶体管，耦合在位线和感测放大器的感测节点之间。在读取操作期间，电荷转移驱动器驱动电荷转移晶体管的栅极电压以控制电荷转移晶体管在电荷转移期间是否导通。为了辅助电荷转移晶体管的电荷转移，第一交叉耦合晶体管和第二交叉耦合晶体管耦合在位线和互补位线之间。
具有稳健电荷转移放大 sram

[发明专利]伪三端口SRAM数据路径-CN202180062528.X在审
发明人： 晶昌镐;A·B·帕勒拉;郑春明 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-09-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种伪三端口存储器设置有读取数据路径和写入数据路径。该伪三端口存储器包括多个伪三端口位单元，每个伪三端口第一位单元具有被耦合到第一位线的第一读取端口、被耦合到第二位线的第二读取端口、以及被耦合到第一位线和第二位线的写入端口。
端口 sram 数据路径

[发明专利]用于存储器的改进的定时电路-CN201780041794.8有效
发明人： S·戈什;晶昌镐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：呈现了一种存储器。该存储器包括多个存储器单元、耦合到多个存储器单元的字线、耦合到多个存储器单元中的一个存储器单元的感测放大器、以及被配置为启用感测放大器的定时电路。定时电路包括延迟级和虚设字线。虚设字线被配置为模仿字线的至少一部分。呈现了一种装置。该装置包括第一存储器，第一存储器具有耦合到第一数目的存储器单元的第一字线。第二存储器具有耦合到第二数目的存储器单元的第二字线。第一存储器和第二存储器中的每一个包括用于启用存储器操作的定时电路。定时电路包括与第三数目的存储器单元的负载相对应的延迟级。第三数目与第一数目不同。
用于存储器改进定时电路

[发明专利]具有高级突发模式地址比较器的SRAM-CN202180055935.8在审
发明人： 晶昌镐;A·B·帕勒拉;P·达达博伊 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：提供了一种存储器，该存储器被配置为实施正常读取操作并且还实施突发模式读取操作。突发模式地址比较器将当前行地址与来自先前读取操作的先前行地址进行比较，以确定读取操作是正常读取操作还是突发模式读取操作。突发模式地址比较器调用突发模式，即使存在针对不等于先前行地址的行地址的中间写入操作。
具有高级突发模式地址比较 sram

[发明专利]用于存储器冗余的高效感测放大器移位-CN201780048575.2有效
发明人： S·戈什;晶昌镐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种存储器包括多个列和冗余列。存储器包括与多个列相对应的多个复用器。取决于缺陷的位置，复用器被配置为选择它们的对应列或它们的对应列的紧接后续列。
用于存储器冗余高效放大器移位

[发明专利]SRAM低功率写入驱动器-CN202080068175.X在审
发明人： 晶昌镐;郑春明;P·达达博伊 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：一种存储器设有预充电电路/写入驱动器，该预充电电路/写入驱动器响应于来自数据缓冲器中的主锁存器的主锁存器输出信号，对位线对中的位线进行预充电。在存储器的写入操作期间，时钟控制器防止与主锁存器相关联的从锁存器变为打开。
sram 功率写入驱动器

[发明专利]具有突发模式地址比较器的SRAM-CN202080053329.8在审
发明人： 晶昌镐;金基中;A·B·帕勒拉;郑春明 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：提供了一种存储器，该存储器被配置为既实施正常读取操作又实施突发模式读取操作。突发模式地址比较器将当前行地址与先前行地址进行比较以确定读取操作是正常读取操作还是突发模式读取操作。
具有突发模式地址比较 sram

[发明专利]低功率存储器-CN202080028722.1在审
发明人：郑春明;金基中;晶昌镐;V·宝娜帕里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：电荷转移晶体管耦合在位线与用于感测放大器的感测节点之间。在读取操作期间，电荷转移驱动器驱动电荷转移晶体管的栅极电压以控制电荷转移晶体管在电荷转移时段期间是否导通。在电荷转移时段之前，位单元耦合到位线以将位单元影响电压驱动到位线上。电荷转移驱动器驱动栅极电压，使得电荷转移晶体管仅在位单元影响电压等于位线的预充电电压时导通。
功率存储器

[发明专利]伪双端口存储器-CN201680053088.0有效
发明人： T·C·Y·郭;N·N·德塞;晶昌镐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：公开了存储器和用于访问存储器的方法的各方面。存储器包括多个存储器单元，其被配置为在第一模式下在存储器周期中支持读取操作和写入操作以及第二模式下在存储器周期中支持只写操作。存储器还包括被配置为生成用于读取操作的读取时钟和用于写入操作的写入时钟的控制电路。在第一模式下写入时钟的定时是读取时钟的定时的函数，并且在第二模式下是存储器周期的定时。
端口存储器

[发明专利]具有分离预充电控制的高速伪双端口存储器-CN201680035805.7有效
发明人： N·N·德塞;T·C·Y·郭;晶昌镐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：提供了一种伪双端口(PDP)存储器诸如PDP SRAM，独立地控制位线预充电和感测放大器预充电以提高存储器操作速度同时消除或减少急剧短路电流的放电。
具有分离充电控制高速端口存储器

[发明专利]低电压高西格玛多端口存储器控制-CN201780070149.9有效
发明人： T·C·Y·郭;晶昌镐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：在本公开的一方面，提供了一种装置。在一个方面，该装置是包括逻辑电路的存储器控制器，逻辑电路被配置为根据第一和第二端口信号来生成选择信号，选择信号用于在存储器的第一和第二端口之间进行选择。另外，存储器控制器包括开关，开关被配置为将第一和第二端口信号连接和断开。在本公开的另一方面，该装置是包括存储器和存储器控制器的存储装置。存储器控制器包括锁存器，锁存器被配置为锁存第一端口选择信号以产生第一端口信号，并且锁存第二端口选择信号以产生第二端口信号。存储器控制器还包括开关和逻辑电路，开关被配置为将第一和第二端口信号连接和断开，逻辑电路被配置为生成选择信号。
电压高西格玛多端口存储器控制

[发明专利]重叠的预充电和数据写入-CN201780041790.X有效
发明人： S·戈什;晶昌镐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：提出了一种存储器和一种用于操作存储器的方法。存储器包括多个存储器单元和多个位线。多个位线中的每个位线被耦合到多个存储器单元中的对应的一个存储器单元。预充电电路在读取操作之前对多个位线中的每个位线进行预充电，并且在读取操作之后对多个位线中除一个位线之外的所有位线进行预充电。写入驱动器在读取操作之后驱动多个位线中的一个位线。方法包括在读取操作之前对多个位线中的每个位线进行预充电。多个位线中的每个位线被耦合到多个存储器单元中的对应的一个存储器单元。方法进一步包括在读取操作之后对多个位线中除一个位线之外的所有位线进行预充电，以及在读取操作之后驱动多个位线中的一个位线。
重叠充电数据写入

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