专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台-CN202123073811.9有效
  • 孙嵩泉;杨陆晗;张磊;蒋中山;齐莉;孙巍泉 - 普乐(合肥)光技术有限公司
  • 2021-12-08 - 2022-08-23 - H01L21/67
  • 本实用新型给出了一种高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台;此平台可以把直径300毫米的半导体晶圆在15秒到30秒时间内从室温内冷却到‑120℃。高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台由高真空超低温腔和自复叠低温制冷工质循环闭路系统构成;自复叠低温制冷工质循环闭路系统包括制冷工质循环管和超低温冷却平板,超低温冷却平板和半导体晶圆静电吸盘设置在高真空超低温冷却腔室内,半导体晶圆静电吸盘设置在超低温冷却平板上侧,超低温冷却平板上开有盘管通道,制冷工质循环管与盘管通道侧壁之间包裹有金属铟,制冷工质循环管内供制冷工质流动且制冷工质循环管两端分别伸出高真空超低温腔外侧,制冷工质循环管内通有制冷工质。该平台使得混合制冷工质在传输过程中损耗达到最小,大大提高了整个系统的能效比。
  • 真空超低温半导体快速冷却平台
  • [发明专利]离子注入机专用高压绝缘法兰及加工方法-CN202111587103.9在审
  • 杨陆晗;张磊;蒋中山;齐莉;孙巍泉 - 普乐(合肥)光技术有限公司
  • 2021-12-23 - 2022-03-25 - B23P15/00
  • 本发明给出了一种离子注入机专用高压绝缘法兰的加工方法,包括以下步骤:先采用常规方法对法兰毛坯件正常粗加工得到法兰半成品;在法兰半成品正面加工出环槽,得到法兰工件;法兰工件静置消除应力并且进行退火处理;最后进行精加工,得到离子注入机专用高压绝缘法兰。法兰工件正面的环槽与法兰工件背面的阶梯槽口之间形成对称加工,使得整个法兰加工区域内应力平衡,并利用加工后静置和退火处理,进一步消除法兰工件的自身应力。本发明还给出了一种离子注入机专用高压绝缘法兰,采用上述加工方法得到离子注入机专用高压绝缘法兰。本离子注入机专用高压绝缘法兰安装后的双面的受力情况可抵消部分应力,受力点对称,不易形变,可以反复多次使用。
  • 离子注入专用高压绝缘法兰加工方法
  • [发明专利]高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台-CN202111490849.8在审
  • 孙嵩泉;杨陆晗;张磊;蒋中山;齐莉;孙巍泉 - 普乐(合肥)光技术有限公司
  • 2021-12-08 - 2022-02-18 - H01L21/67
  • 本发明给出了一种高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台;此平台可以把直径300毫米的半导体晶圆在15秒到30秒时间内从室温内冷却到‑120℃。高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台由高真空超低温腔和自复叠低温制冷工质循环闭路系统构成;自复叠低温制冷工质循环闭路系统包括制冷工质循环管和超低温冷却平板,超低温冷却平板和半导体晶圆静电吸盘设置在高真空超低温冷却腔室内,半导体晶圆静电吸盘设置在超低温冷却平板上侧,超低温冷却平板上开有盘管通道,制冷工质循环管与盘管通道侧壁之间包裹有金属铟,制冷工质循环管内供制冷工质流动且制冷工质循环管两端分别伸出高真空超低温腔外侧,制冷工质循环管内通有制冷工质。该平台使得混合制冷工质在传输过程中损耗达到最小,大大提高了整个系统的能效比。
  • 真空超低温半导体快速冷却平台
  • [实用新型]一种用于减少超低温真空冷冻腔冷量损耗的结构-CN202121906000.X有效
  • 孙巍泉;杨陆晗;朱琳;张磊 - 普乐(合肥)光技术有限公司
  • 2021-08-12 - 2021-12-28 - F25D11/00
  • 一种用于减少超低温真空冷冻腔冷量损耗的结构,包括超低温真空冷冻腔体和底板,底板设于腔体下侧敞口处,底板上设有两个通孔,底板上侧对应每个通孔处均设有环形凹槽,环形凹槽的底部和底板下侧均设有交替布置的第一环形槽,底板下侧对应通孔处设有安装法兰,安装法兰的上侧、下侧均设有若干交替布置的第二环形槽,安装法兰中心处设有混合制冷工质管道,混合制冷工质管道上端穿过通孔进入超低温真空冷冻腔内,混合制冷工质管道下端超出安装法兰,混合制冷工质管道与超低温真空冷冻腔罩体、底板均呈非接触状态。其避免了混合制冷工质管道与超低温真空冷冻腔的外壁直接接触,防止超低温真空冷冻腔的外壁结霜,也减少了冷量损失。
  • 一种用于减少超低温真空冷冻腔冷量损耗结构
  • [实用新型]一种超低温真空冷冻腔波纹管保温结构-CN202121892311.5有效
  • 孙巍泉;杨陆晗;练菊;席杨;鲁旗 - 普乐(合肥)光技术有限公司
  • 2021-08-12 - 2021-12-21 - F16L59/065
  • 一种超低温真空冷冻腔波纹管保温结构,包括超低温真空冷冻腔体和水平布置的底板,底板设于超低温真空冷冻腔体下侧敞口处并与其配合,底板上设有两个用于安装混合制冷工质管道的通孔,每个通孔上均设有与通孔同轴布置且竖直向下延伸且上下敞口的外波纹管,外波纹管下侧设有一个密封外波纹管下端的安装法兰,安装法兰中部设有竖直布置的混合制冷工质管道,混合制冷工质管道上端穿过通孔进入超低温真空冷冻腔内,混合制冷工质管道下端超出安装法兰,混合制冷工质管道与外波纹管、超低温真空冷冻腔体、底板均呈非接触状态。其避免了混合制冷工质管道与超低温真空冷冻腔的外壁直接接触,防止超低温真空冷冻腔的外壁结霜,也减少了冷量损失。
  • 一种超低温真空冷冻波纹管保温结构
  • [发明专利]一种用于减少超低温真空冷冻腔冷量损耗的结构-CN202110925383.3在审
  • 孙巍泉;杨陆晗;朱琳;张磊 - 普乐(合肥)光技术有限公司
  • 2021-08-12 - 2021-10-22 - F25D11/00
  • 一种用于减少超低温真空冷冻腔冷量损耗的结构,包括超低温真空冷冻腔体和底板,底板设于腔体下侧敞口处,底板上设有两个通孔,底板上侧对应每个通孔处均设有环形凹槽,环形凹槽的底部和底板下侧均设有交替布置的第一环形槽,底板下侧对应通孔处设有安装法兰,安装法兰的上侧、下侧均设有若干交替布置的第二环形槽,安装法兰中心处设有混合制冷工质管道,混合制冷工质管道上端穿过通孔进入超低温真空冷冻腔内,混合制冷工质管道下端超出安装法兰,混合制冷工质管道与超低温真空冷冻腔罩体、底板均呈非接触状态。其避免了混合制冷工质管道与超低温真空冷冻腔的外壁直接接触,防止超低温真空冷冻腔的外壁结霜,也减少了冷量损失。
  • 一种用于减少超低温真空冷冻腔冷量损耗结构
  • [发明专利]新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶及制作方法-CN202110852527.7在审
  • 孙巍泉;鲁旗;朱琳;傅斌 - 普乐(合肥)光技术有限公司
  • 2021-07-27 - 2021-10-08 - C23C14/35
  • 本发明给出了一种新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶,包括硅环和金属内筒,硅环通过绑定材料固定在金属内筒外壁上;所述硅环包括硅环段,所述硅环段包括若干N型硅条,若干N型硅条沿金属内筒外壁呈圆周分布。本新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶的优点是靶材密度高,纯度高,成本低,易于加工。本发明给出了一种加工如上述的新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶的制作方法,包括以下步骤:将硅环段依次设置在金属内筒外侧壁上,N型硅条通过铟绑定在金属内筒外壁上;将两个金属定位卡环固定在金属内筒外侧壁上;N型硅材料卡环固定在金属内筒外侧。用N型硅材料切成小块的N型硅条后绑定而成,对于长度方向尺寸大的旋转圆柱靶可以用多段拼接。
  • 新型磁控溅射旋转圆柱型硅靶制作方法
  • [发明专利]一种超低温真空冷冻腔波纹管保温结构-CN202110926748.4在审
  • 孙巍泉;杨陆晗;练菊;席杨;鲁旗 - 普乐(合肥)光技术有限公司
  • 2021-08-12 - 2021-10-08 - F16L59/065
  • 一种超低温真空冷冻腔波纹管保温结构,包括超低温真空冷冻腔体和水平布置的底板,底板设于超低温真空冷冻腔体下侧敞口处并与其配合,底板上设有两个用于安装混合制冷工质管道的通孔,每个通孔上均设有与通孔同轴布置且竖直向下延伸且上下敞口的外波纹管,外波纹管下侧设有一个密封外波纹管下端的安装法兰,安装法兰中部设有竖直布置的混合制冷工质管道,混合制冷工质管道上端穿过通孔进入超低温真空冷冻腔内,混合制冷工质管道下端超出安装法兰,混合制冷工质管道与外波纹管、超低温真空冷冻腔体、底板均呈非接触状态。其避免了混合制冷工质管道与超低温真空冷冻腔的外壁直接接触,防止超低温真空冷冻腔的外壁结霜,也减少了冷量损失。
  • 一种超低温真空冷冻波纹管保温结构
  • [发明专利]在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置及制备方法-CN202010785392.2在审
  • 孙巍泉 - 普乐(合肥)光技术有限公司
  • 2020-08-06 - 2020-10-02 - H01L31/18
  • 在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置,包括从前至后依次串联的进口预抽室、进口过渡室、至少一个氧化室、至少一个工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室、出口室,任意相邻的两个腔室之间的连接处均设有真空隔离插板阀,进口预抽室、出口室的分别设有翻板阀,进口预抽室和出口室上连接有真空泵,进口过渡室、氧化室、工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室上均连接有涡轮分子泵,氧化室上连接有低能氧离子源,工作室内设有硅靶和气态掺杂源,回火室内的前部设有红外加热源、后部设有紫外激光回火系统。使用时将硅片放在石墨托盘上依次经过各腔室反应即可,上述设备结构简单,造价便宜,使用过程成本低。
  • 硅片表面制备二氧化硅多晶薄膜装置方法
  • [发明专利]高效太阳能电池组件加工生产线-CN201410182600.4有效
  • 孙嵩泉 - 普乐(合肥)光技术有限公司
  • 2014-04-30 - 2017-06-06 - H01L31/18
  • 本发明给出了一种高效太阳能电池组件加工生产线,它包括若干个工作台、可移动加工平台和平台移动机械臂,所述的工作台以平台移动机械臂为圆心周向分布,平台移动机械臂抓取可移动加工平台在所述工作台之间移动。采用这样的结构后,本高效太阳能电池组件加工生产线以平台移动机械臂为中心呈辐射型分布,操作平台移动机械臂使可移动加工平台在若干工作台之间移动,进而只使用一个平台移动机械臂操完成电池组件多个工艺的加工,增加了工作效率,与传统直线式装配生产线相比,增加了工作效率,减少本高效太阳能电池组件加工生产线的占地面积,节约空间,而且方便调整生产工艺的顺序。
  • 高效太阳能电池组件加工生产线

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