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[发明专利]运算电路、卷积运算电路、方法、介质及电子设备-CN202310610157.5在审
发明人：周煜梁 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F7/38 文献下载
摘要：本申请提供一种运算电路、卷积运算电路、方法、介质及电子设备。所述运算电路包括：若干并联的存储单元，所述存储单元包括相连的选择器和存储元件；若干模式选择单元，所述模式选择单元与所述模式选择单元对应的所述存储单元电连接，所述运算电路具有第一运行模式和第二运行模式，当所述运算电路为所述第一运行模式时，所述存储元件根据自身阻值参与所述运算电路的电导值的配置，当所述运算电路为所述第二运行模式时，所述运算电路的输入电压与所述运算电路的电导值进行运算。所述运算电路还具有第一运行模式和第二运行模式，能够将所述运算电路的电导配置过程和运算过程相互分离，从而实现所述运算电路的运算功能。
运算电路卷积方法介质电子设备

[发明专利]RRAM器件的制备方法-CN202310432634.3在审
发明人：崔凯;乔夫龙;赵刘明;张适杰;何兆兴 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种RRAM器件的制备方法，采用低功率的IBE刻蚀，可有效简化工艺流程，有效去除侧壁BE造成的沾污，无需进行药液清洗步骤，可避免材料侧掏的现象，且低功率步骤对TE损伤较小，进一步的通过调整刻蚀过程中基底的倾斜角度，还可加强对侧壁的清理能力，从而提供一种低成本、高质量、高性能的RRAM器件的制备方法。
rram 器件制备方法

[发明专利]存算电路、方法、装置、介质及电子设备-CN202310596029.X在审
发明人：周煜梁;刘业帆 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F7/57 文献下载
摘要：本申请提供一种存算电路、方法、装置、介质及电子设备。所述存算电路包括：若干条横向设置的字线；若干条纵向设置的位线，所述位线与各所述字线的相交处均设有存储单元，所述位线上还有与所述存储单元电连接的控制单元和运算电路，所述存储单元包括：存储元件和第一选择元件，所述控制单元设于所述存储单元和所述运算电路之间，所述控制单元包括第二选择元件和电压控制模块，所述电压控制模块用于控制所述第二选择元件导通或关断，所述运算电路的工作状态由所述运算电路对应的第二选择元件的工作状态和与所述运算电路对应的存储元件的阻态决定。所述存算电路相比于现有电路具有功耗低、面积小的优点。
电路方法装置介质电子设备

[发明专利]基于选择器实现的随机数产生电路、方法及芯片-CN202310654331.6在审
发明人：方燕枝 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本申请提供一种基于选择器实现的随机数产生电路、方法及芯片，所述电路包括：第一选择器模块和第二选择器模块；选择器电压产生模块，分别与所述第一选择器模块和所述第二选择器模块连接，被配置为向所述第一选择器模块和所述第二选择器模块输入相同的电压；判定模块，分别与所述第一选择器模块的电压输出端和所述第二选择器模块的电压输出端连接，被配置为根据所述第一选择器模块的输出电压和所述第二选择器模块的输出电压判定出随机数产生结果；其中，因选择器不匹配，所述第一选择器模块和所述第二选择器模块的输出电压大小具有随机性。本申请利用选择器局部不匹配实现了随机数的产生。
基于选择器实现随机数产生电路方法芯片

[发明专利]基于ReRAM的电路耦合单元及电路耦合方法-CN202310450085.2在审
发明人：鹿益铭 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于ReRAM的电路耦合单元及电路耦合方法，包括：第一ReRAM电路和第二ReRAM电路；第一ReRAM电路包括第一ReRAM结构和第一晶体管；第一ReRAM结构的一端连接有第一供电电压，另一端与第一晶体管的输入端连接，第一晶体管的输出端接地；第二ReRAM电路包括第二ReRAM结构和第二晶体管；第二ReRAM结构的一端连接有第二供电电压，另一端与第二晶体管的输入端连接，第二晶体管的输出端接地。利用本发明能够解决现有技术中，1T1R结构在ReRAM为LRS时，流经ReRAM的电流非常大，增加电流消耗，从而导致1T1R的电路结构不适合长时间开启的场景的技术问题。
基于 reram 电路耦合单元方法

[发明专利]非易失性SRAM单元及数据读写方法-CN202310450766.9在审
发明人：鹿益铭 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性SRAM单元及数据读写方法，包括SRAM存储单元，SRAM存储单元包括第一反相器和第二反相器；第一反相器与第二反相器首尾连接构成锁存结构；RRAM电路，RRAM电路包括第三MOS管、第四MOS管和ReRAM结构；第三MOS管的非栅极的两端分别连接位线电压VBL和所述ReRAM结构的一端；第四MOS管的两端分别连接ReRAM结构的另一端和源线电压VSL；和，传输电路，传输电路基于电压负载，有选择性地将SRAM存储单元电耦合到RRAM电路。利用本发明能够解决现有技术中，使用的T/R数量较多，存在整体功耗和面积大等问题。
非易失性 sram 单元数据读写方法

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN202310450080.X在审
发明人：高飞;仇圣棻;杨芸;陈亮 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，通过改变研磨停止点，在沉积阻变存储器的阻变层前设置一道预设厚度的通孔填充层。实现化学机械研磨仅需要研磨通孔填充层至预设厚度即可，避免了下电极通孔的填充结构的凹陷或凸起的发生，进而减少了对阻变层的影响；从而达到减少同一片晶圆上阻变结构与阻变结构之间功能和结构之间的差异的技术效果。
存储器及其制备方法

[发明专利]比特值更新方法、计数方法、装置、介质及电子设备-CN202310437421.X在审
发明人：周煜梁 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请提供一种比特值更新方法、计数方法、装置、介质及电子设备。所述比特值更新方法包括：获取存储在存储器中的待更新比特值组合；基于循环编码模式对所述待更新比特值组合进行更新，以获取更新后的比特值组合，所述循环编码模式下每次更新前后的两个比特值组合的汉明距离为1，在所述循环编码模式下更新比特位在一个变换周期内的变换过程为：从所述预设比特位的最低位逐位变换至所述预设比特位的最高位，所述更新比特位为在所述预设比特位中比特值发生改变的比特位。所述比特值更新方法能够通过所述循环编码模式提高存储器的寿命。
比特更新方法计数装置介质电子设备

[发明专利]基于选择器的振荡装置、振荡控制方法及芯片-CN202310649711.0在审
发明人：方燕枝 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03B5/20 文献下载
摘要：本申请提供一种基于选择器的振荡装置、振荡控制方法及芯片，所述装置包括：选择器模块，被配置为根据不同的阈值电压进行阻态切换；电压转换模块，与所述选择器模块连接，被配置为将动态变化的电压施加于所述选择器模块，令所述选择器模块达到第一阈值电压时由第一阻态变为第二阻态，达到第二阈值电压时由所述第二阻态变为所述第一阻态；所述第一阻态和所述第二阻态之间的切换反作用于所述电压转换模块，令所述电压转换模块输出动态变化的电压，将所述动态变化的电压作为振荡电压输出。本申请提供了一种基于选择器的振荡方案，设计结构简单，具有宽操作电压、低功耗及面积小的优点。
基于选择器振荡装置控制方法芯片

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN202310450651.X在审
发明人：高飞;仇圣棻;杨芸;陈亮 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，在研磨后的膜层上增加了一层金属层；实现了隔离研磨后的膜层的平整度对阻变层的影响，达到使得阻变层尽量少受到环境因素的影响，从而改善阻变存储器的电性和工艺的稳定性技术效果。
存储器及其制备方法

[发明专利]一种PUF电路结构及存储介质-CN202310369805.2在审
发明人：周旭东;高夫 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明提供一种PUF电路结构及存储介质至少包括：第一控制模块通过接收第一驱动信号输出对应的控制信号；第二控制模块通过接收第二驱动信号输出对应的控制信号；第一存储模块与第二存储模块基于第一控制模块输出的控制信号生成对应的表征信息；第三存储模块与第四存储模块基于第二控制模块输出的控制信号生成对应的表征信息；锁存模块通过对表征信息进行监测、锁存以及解除锁存的操作，使PUF电路结构实现数据的物理随机。通过锁存模块对第一存储模块、第二存储模块、第三存储模块及第四存储模块的表征信息进行监测、锁存以及解除锁存的操作，实现了数据的物理随机，增强了存储的安全性，极大提高了数据吞吐速率。结构简单，便于扩展。
一种 puf 电路结构存储介质

[发明专利]阻变式存储元件及其制备方法-CN202310463167.0在审
发明人：戴威锋 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变式存储元件及其制备方法。所述阻变式存储元件包括上下依次层叠的下极板层、阻变层、上极板层及上电极结构层，其中，所述上电极结构层包括上下依次堆叠的两个及以上含氮金属层，两个及以上含氮金属层中的含氮量沿远离上极板层的方向逐渐降低。本发明经改善的结构设计，使得上电极结构层在具有良好的阻挡能力的同时容易控制其阻值，有助于提升器件可靠性。本发明提供的阻变式存储元件结构简洁，便于制备，有助于其制造成本的降低。
阻变式存储元件及其制备方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制备方法-CN202310201458.2有效
发明人：张冠群;仇圣棻 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制备方法，存储器包括：依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；第一阻挡层，设置于第二电极上；中间连接层，设置于第一阻挡层上；第二阻挡层，设置于连接层上；第一阻挡层用于阻挡连接层和第二阻挡层中的金属向第二电极扩散，第二阻挡层用作刻蚀阻挡层，中间连接层用于降低第一阻挡层和第二阻挡层之间的接触电阻。本发明不但能够提升电阻式随机存取存储器的热稳定性，而且避免了阻挡层金属在顶电极材料中的扩散，另外还能较大程度降低接触电阻。
电阻随机存取存储器及其制备方法

[发明专利]基于模拟电路的装置的误差调整方法、选择器及装置-CN202310229578.3在审
发明人：何刚 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本申请提供一种基于模拟电路的装置的误差调整方法、选择器及装置，所述方法包括：获取传感数据；由预先存储的至少两个阈值范围中，确定所述传感数据所处的阈值范围；由预先存储的至少两个误差调整值中，选择与所处阈值范围对应的误差调整值；将所述误差调整值传送至工作电路，以使所述工作电路在所述误差调整值的修正下，执行与传感数据相关的检测分析工作。本申请提供了一种动态选择误差调整值的方法，可以使得芯片或设备等装置在不同的物理机制条件下都能达到最佳工作状态。
基于模拟电路装置误差调整方法选择器

[发明专利]基于忆阻器的反相器结构、振荡器、真随机数装置及芯片-CN202310301328.6在审
发明人：鹿益铭 -专利权人： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本申请提供一种基于忆阻器的反相器结构、振荡器、真随机数装置及芯片，所述反相器结构包括：PMOS单元和NMOS单元；忆阻器，所述忆阻器串联于所述PMOS单元和所述NMOS单元之间；所述PMOS单元、所述NMOS单元和所述忆阻器构成反相器结构，其中，所述忆阻器与所述PMOS单元的连接点作为反向输出端。本申请通过忆阻器构成的反相器，进而组建环形振荡器，有效提升了振荡的不稳定性。
基于忆阻器反相器结构振荡器随机数装置芯片

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