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[发明专利]单极电阻随机存取存储器及垂直堆叠架构-CN200610166917.4无效
发明人：巴里·C·斯泰普 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明的一个实施例包括一种低成本单极可重写可变电阻存储器，由存储器单元的交叉点阵列制成，垂直堆叠在彼此之上且与多晶硅二极管兼容。
单极电阻随机存取存储器垂直堆叠架构

[发明专利]电流垂直平面磁致电阻传感器-CN200610166778.5无效
发明人：詹姆斯·M·弗赖塔格;何国山;穆斯塔法·M·皮纳巴西;曾庆骅 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-12-14 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁致电阻传感器，其具有堆叠内偏置结构和带有形状增强各向异性的被钉扎层。该传感器可以是部分研磨设计，其中所述传感器的道宽由自由层的宽度定义且被钉扎层延伸超过传感器的道宽。该传感器具有自由层的条高定义的有源区。被钉扎层延伸超过自由层定义的该条高，因而向被钉扎层提供形状增强各向异性。该被钉扎层结构可通过与反铁磁材料层(AFM层)的交换耦合而被钉扎，钉扎稳定性通过形状增强各向异性而改善，或者可以是自钉扎结构，其通过磁致伸缩、AP耦合和形状增强各向异性的结合而被钉扎。
电流垂直平面致电传感器

[发明专利]小闪光场、零偏置和非反应离子研磨的集成-CN200610164257.6无效
发明人：哈米德·巴拉马默;丹尼尔·W·比德尔;玛丽·K·格特伯利特;谢启诚;阿伦·彭特科;郑义 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明提供一种制造磁写头的方法，其提供改善的极临界尺寸控制例如改善的道宽控制(改善的西格玛)和改善的展开点控制。该方法包括几种工艺改进的结合，例如使用零印偏置光刻构图P2极尖定义光致抗蚀剂框架以及还使用小闪光场。该方法还包括非反应离子蚀刻的使用从而利用第二极(P2)作为掩模对第一极(P1)开切口。
闪光偏置反应离子研磨集成

[发明专利]数据存储装置和设置在其中的连接器-CN200610149366.0无效
发明人：天野芳郎;高桥功治;山崎尚之;大山滋;尾幡澄雄 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于数据存储装置的具有足够强度的连接器及其使用这种连接器的数据存储装置。提供一种数据存储装置，其具有电路板(15)和用于与外部接口进行连接的连接器(20)。连接器(20)包括在与垂直于电路板(15)的主表面的方向和其中连接器(20)连接到接口的方向正交的方向的中心相对的两侧上设置的凸台(231)。凸台(231)是通过当在电路板(15)中设置连接器(20)时嵌入到在电路板(15)中设置的孔中来抵消施加到连接器(20)的力的凸起。凸台(231)具有矩圆(oblong)形状，在其中将接口和连接器(20)连接在一起的方向上的长度比在与垂直于电路板(15)的主表面的方向和其中将连接器(20)连接到接口的方向正交的方向上的长度更长。凸台(231)在垂直于电路板(15)的主表面的方向突出。
数据存储装置设置中的连接器

[发明专利]主动衰减硬盘驱动器滑块中滑块气承振动的反馈控制方法-CN200610143573.5无效
发明人：托马斯·R·阿尔布雷克特;彼得·M·鲍姆加特;伯恩哈德·E·奈吉 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G11B5/60 文献下载
摘要：在用于主动衰减硬盘驱动器滑块中的滑块气承振动的反馈控制的方法中，将滑块与接地隔开。对滑块速度信号进行滤波，以获取振动信号。调整振动信号的幅值，以获得经幅值调整的振动信号。将幅值调整振动信号施加到滑块，以主动衰减滑块中的气承振动。
主动衰减硬盘驱动器滑块中滑块气承振动反馈控制方法

[发明专利]具有各向异性硬偏置而没有缓冲层的磁致电阻传感器-CN200610109193.X无效
发明人：詹姆斯·M·弗赖塔格;马斯塔法·M·平纳巴西 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-08-09 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁致电阻传感器，其具有用于偏置传感器的自由层的磁各向异性偏置层。该硬磁层形成在籽层结构上，该籽层结构已经被处理从而在该硬磁层中诱发磁各向异性。所述被处理的籽层还允许该硬偏置层例如在部分研磨设计中沉积在晶体材料上，而不需要例如Si的缓冲层来中断下面的晶体层发动的外延生长。
具有各向异性偏置没有缓冲致电传感器

[发明专利]具有利用赫斯勒合金的改进的电流垂直平面传感器的磁头-CN200610148545.2无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-11-16 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种包括CPP GMR读传感器的磁头，该读传感器包括参考层、自由磁层和设置在它们之间的间隔层，其中自由磁层和参考磁层每个由Co₂MnX构成，其中X是选自Ge、Si、Al、Ga和Sn构成的组的材料，并且其中间隔层由选自Ni₃Sn、Ni₃Sb、Ni₂LiGe、Ni₂LiSi、Ni₂CuSn、Ni₂CuSb、Cu₂NiSn、Cu₂NiSb、Cu₂LiGe和Ag₂LiSn构成的组的材料构成。另外的实施例包括双自旋阀传感器，其中自由磁层和参考层每个由赫斯勒合金构成。又一示例性实施例包括层叠的磁层结构，其中磁层每个由铁磁赫斯勒合金构成，且其中间隔层由非磁赫斯勒合金构成。
具有利用赫斯合金改进电流垂直平面传感器磁头

[发明专利]在磁阻传感器中用于改进交换偏置结构的斜角蚀刻的衬层-CN200610149421.6无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;詹姆斯·M·弗赖塔格;斯蒂芬·马特;穆斯塔法·M·皮那巴西 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有提高的钉扎场强度的磁阻传感器。该传感器包括被钉扎层结构。在具有以各向异性粗糙度处理的表面的衬层上构造AFM层。通过有角度的离子蚀刻产生的各向异性粗糙度导致了提高的钉扎强度。衬层可以包括籽晶层和形成在籽晶层上的例如PtMn的晶体材料的薄层。磁层可以包括NiFeCr的第一子层和形成在其上的NiFe的第二子层。本发明还包括具有沉积在衬层(例如非磁间隔)上的磁层的磁阻传感器，衬层具有通过各向异性纹理处理过的表面。然后在磁层上沉积AFM层。然后通过与AFM层的交换耦合和衬层的表面纹理提供的强各向异性的组合强地钉扎磁层。这样的结构例如能够用在具有被钉扎层结构的传感器中，或者用在具有堆叠内偏置结构的传感器中。
磁阻传感器用于改进交换偏置结构斜角蚀刻

[发明专利]磁盘系统-CN200610160355.2无效
发明人：大关秀纪;吉田登;石桥和幸;上田哲生;米田勋;和田敏明 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G11B20/10 文献下载
摘要：提高了伺服时标(STM)的检测能力。长STM由形成部分AGC/PLL模式31和本征STM 33的伪STM 57构成。当系统不能识别本征STM时，它就保持打开扇区检测窗口的状态，并且以长STM检测模式来操作以便识别长STM，由此产生STM检测信号。在已经产生了STM检测信号之后，关闭STM检测窗口，且以本征STM检测模式操作系统。由于长STM具有比本征STM更长的位长，所以它就具有相对于其它模式更高的辨别能力。因此，即使扇区检测窗口保持为已打开状态，也不会错误地识别数据扇区的位串、在伺服扇区中的地址信息等。
磁盘系统

[发明专利]具有电流限制孔的电流垂直平面自旋阀传感器-CN200610143327.X无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特;尼尔·史密斯 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及一种电流垂直平面自旋阀(CPP－SV)磁致电阻传感器，具有带至少一孔的绝缘层，所述孔限制通过有源区的检测电流的流动。所述孔位于离传感器的检测边缘比后边缘更近。所述孔通过电子束光刻法构图，其可以精确控制所述孔的数目、尺寸和位置。绝缘层可以位于导电非磁间隔层中，也可以位于自旋阀的磁有源层之外。在叠层中可以包括超过一个的绝缘层，从而在绝缘层的孔重合处定义传导电流的路径。所述孔中填充导电材料，一般是与用于间隔层相同的材料。
具有电流限制垂直平面自旋传感器

[发明专利]电流垂直平面型巨磁致电阻传感器-CN200610105636.8无效
发明人：杰弗里·R·奇尔德雷斯;尼尔·史密斯 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-07-17 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种CPP GMR传感器结构，其具有自由和参考层，其中该自由和参考层的磁取向非直交。在一个实施例中，铁磁自由层膜具有标称上取向在其膜平面内、相对于定义为所述自由层的沉积平面与所述ABS的平面的交叉线的纵轴以角θ_fb在第一方向上的偏置点磁化。铁磁参考层膜具有标称上取向在其膜平面内、相对于所述纵轴以θ_rb角在不与所述第一方向直交的第二方向上的偏置点磁化。
电流垂直平面型巨磁致电传感器

[发明专利]存储装置上的数据的微日志-CN200610142420.9无效
发明人：丹尼尔·J·科尔格罗夫;理查德·M·H·纽 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G11B20/10 文献下载
摘要：本发明的实施例说明了保护硬盘驱动器上的数据的方法。在一个实施例中，从硬盘驱动器的至少一个扇区读取数据的第一拷贝，并将其存储在第一位置中。将数据的第二拷贝存储在硬盘驱动器的非易失性存储位置中。随后，修改数据的第一拷贝，以创建修改的拷贝。随后，使用数据的第二拷贝来验证已将数据的修改的拷贝正确地写入到硬盘驱动器的至少一个扇区。
存储装置数据日志

[发明专利]用于硬盘驱动器的震动引发的清洁-CN200610142403.5无效
发明人：诺伯特·A·费利斯;卡尔·A·费莱克西格;唐纳德·R·吉利斯;西尔维亚·L·李 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G11B33/14 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种从硬盘驱动器的磁头支承组件去除粒子的方法。在一个实施例中，磁头支承组件的加载/卸载操作被初始化。通过移动磁头支承组件越过硬盘驱动器的加载/卸载坡道的物理特征，粒子被从磁头支承组件驱除。这引起了磁头支承组件沿基本垂直于其移动法向面的方向的加速度，其驱除了所述粒子。然后粒子在硬盘驱动器的盘组的旋转所产生的气流中被传送远离磁头支承组件。
用于硬盘驱动器震动引发清洁

[发明专利]磁盘存储装置及其控制方法-CN200610142487.2无效
发明人：武田澄江;小野山胜元;滨田洋介;大泽弘幸 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G11B19/04 文献下载
摘要：提供一种磁盘存储装置和用于该磁盘存储装置的控制方法，该磁盘存储装置能够消除由热变形引起的粘－滑所产生的偏离－磁道写入。一种磁盘装置1设有磁盘10，对磁盘10进行写入的磁头11，以及检测磁盘装置1内部的温度的温度传感器20。而且，磁盘装置1基于由温度传感器20检测到的测量温度以及使用该测量温度计算的温度变化量，改变用来判定是否禁止通过磁头11对磁盘10进行写入的判定条件。
磁盘存储装置及其控制方法

[发明专利]垂直磁记录介质-CN200610136131.8有效
发明人：荒井礼子;细江让;马渕胜美;松本浩之;正田光弘 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-10-16 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：为获得具有高介质S/N和优良的抗腐蚀性的介质，在衬底11上依次淀积粘附层12、软磁性层13、中间层14、磁性记录层15和保护层16。软磁性衬垫层13由至少两软磁性层组成，第一软磁性层132形成在记录层侧，由包含85at.％或更少的Co的非晶合金组成，第二软磁性层131形成在衬底侧，由包含85at.％或更多的Co的合金组成。
垂直记录介质