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[发明专利]一种等离子体的活化设备、一种晶圆键合装置及方法-CN202311022987.2在审
发明人： 戴佳卉 -专利权人：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
申请日： 2023-08-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体的活化设备、一种晶圆键合装置及方法。等离子体的活化设备包括：反应腔，内部至少包括两个第一电极和一个第二电极的组合，其中，所述第一电极和所述第二电极相间排列，所述第二电极与其相邻的第一方向的所述第一电极之间形成第一电场区域，所述第二电极与其相邻的第二方向的所述第一电极之间形成第二电场区域；以及固定部件，分别配置于各电场区域中，用以固定多个所述电场区域中的多片晶圆，以使各所述晶圆的表面均受到所述等离子体的正向轰击。通过使用上述等离子体的活化设备，能够在不增加占地面积、以及设备数量的情况下，提升机台对于晶圆活化处理的效率，进而提升机台产能，实现产能翻倍。
一种等离子体活化设备晶圆键合装置方法

[发明专利]半导体设备及方法-CN202111613633.6在审
发明人：刘春;戴佳卉 -专利权人：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体设备。在本申请的一个实施例中，半导体设备包括：吸盘，其包括上表面和与所述上表面相对的下表面；底板，其设置在所述吸盘的下方以支撑所述吸盘；以及变形装置，其设置在底板中并且接触所述吸盘的所述下表面的一部分，以使所述吸盘随所述变形装置的变形而发生变形；其中所述变形装置包括活塞和位移传感器，所述位移传感器用于记录所述活塞的位移。
半导体设备方法

[发明专利]用于处理半导体工件的装置-CN202111574112.4在审
发明人： 戴佳卉 -专利权人：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例是关于用于处理半导体工件的装置。根据一实施例的用于处理半导体工件的装置包括极板和连接至极板的射频导入结构。该射频导入结构包括：射频元件，其包括金属导体；导电棒，其经配置以电连接至金属导体，且该导电棒具有根部和连接至根部的端部；及绝缘体构件，其包围导电棒的根部，且该导电棒的端部的一部分经配置以置入极板中。本申请实施例提供的用于处理半导体工件的装置能够实现良好可靠的射频导入。
用于处理半导体工件装置

[发明专利]用于处理半导体工件的装置-CN202111571883.8在审
发明人： 戴佳卉;刘春 -专利权人：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例是关于用于处理半导体工件的装置。根据一实施例的用于处理半导体工件的装置包括上极板；下极板，其与上极板投影重叠而设；及底板，其具有配置用以承载下极板的承载面，其中承载面的中央区域设有抽气孔，且该承载面开设有具有第一深度的收纳槽图案；该用于处理半导体工件的装置进一步包括升降机构，其部分地设置于收纳槽图案中。本申请实施例提供的用于处理半导体工件的装置能够实现真空和大气之间的快速切换。
用于处理半导体工件装置

[实用新型]一种用于晶圆切割后活化预处理的真空腔室-CN202223274031.5有效
发明人：刘春;戴佳卉 -专利权人：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于晶圆切割后活化预处理的真空腔室，用于切割后的晶圆表面的活化预处理，切割后的晶圆以多个芯片的形式置于由环状金属框架包围的胶带上，真空腔室包括：设有射频电极的上极板和下极板，上极板卡设于环状的上盖板中央，下极板的形状大小与真空腔室顶面的上极板相一致且覆盖胶带上的多个芯片所在的区域范围，下极板的外周套设有石英环，下极板底部中央连接有升降机构；腔室底板和腔室侧壁，升降机构穿过腔室底板，腔室侧壁上开有传片通道，切割后的晶圆通过传片通道进出真空腔室；以及用于遮挡传片通道的升降环，升降环通过升降实现传片通道的开闭。
一种用于切割活化预处理空腔

[发明专利]一种用于晶圆切割后活化预处理的真空腔室及方法-CN202211562853.5在审
发明人：刘春;戴佳卉 -专利权人：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于晶圆切割后活化预处理的真空腔室及方法，用于切割后的晶圆表面的活化预处理，切割后的晶圆以多个芯片的形式置于由环状金属框架包围的胶带上，真空腔室包括：设有射频电极的上极板和下极板，上极板卡设于环状的上盖板中央，下极板的形状大小与真空腔室顶面的上极板相一致且覆盖胶带上的多个芯片所在的区域范围，下极板的外周套设有石英环，下极板底部中央连接有升降机构；腔室底板和腔室侧壁，升降机构穿过腔室底板，腔室侧壁上开有传片通道，切割后的晶圆通过传片通道进出真空腔室；以及用于遮挡传片通道的升降环，升降环通过升降实现传片通道的开闭。
一种用于切割活化预处理空腔方法

[发明专利]单腔镀膜系统-CN202011632547.5有效
发明人：叶五毛;吴凤丽;王燚;张亚新;戴佳卉;张建;苏欣;尹艳超;杨华龙;魏有雯 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种单腔镀膜系统，包含：一框架装置；一第一腔体构成装置，连接该框架装置；一升降装置，连接该第一腔体构成装置；一第二腔体构成装置，连接该升降装置；以及一电控装置，连接该框架装置，并电连接该升降装置；其中该升降装置基于该电控装置的一第一指令，使该第二腔体构成装置下降以接合该第一腔体构成装置并构成一腔体；其中该升降装置基于该电控装置的一第二指令，使该第二腔体构成装置上升而与该第一腔体构成装置互相分离。
镀膜系统

[发明专利]用于托举晶圆的顶针固定结构及半导体处理设备-CN202210797751.5在审
发明人：刘春;周贤炳;戴佳卉 -专利权人：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于托举晶圆的顶针固定结构及半导体处理设备，涉及半导体设备的技术领域。用于托举晶圆的顶针固定结构包括顶针、弹性件和能够设置在半导体处理设备中工作平台下方的固定座；顶针插设在固定座内；固定座上开设有用于安装弹性件的安装槽，在弹性件安装在安装槽内后，弹性件能够与顶针抵接。半导体处理设备包括腔体、工作平台和用于托举晶圆的顶针固定结构；工作平台和用于托举晶圆的顶针固定结构均设置在腔体内，固定座位于工作平台的下方，且工作平台上开设有供顶针穿过的通孔。达到了晶圆调平操作方便的技术效果。
用于托举顶针固定结构半导体处理设备

[发明专利]加热装置及温度控制喷淋组件-CN201911226243.6有效
发明人： 戴佳卉;王·苏格里高利;吴凤丽 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： B05B1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种加热装置，用于一电浆处理半导体制造装置。该加热装置包含：至少一加热导线，延伸于一射频讯号的涵盖范围中；一电源供应器，提供一电力讯号至该至少一加热导线；及一温度控制器，至少基于一默认温度控制该电源供应器。该至少一加热导线由至少一屏蔽组件包覆，用以屏蔽该射频讯号，避免该射频讯号电耦合至该至少一加热导线、该电源供应器和该温度控制器中。
加热装置温度控制喷淋组件

[发明专利]伴随射频导入的电加热喷淋板及其温控系统-CN201811530898.8有效
发明人： 戴佳卉;金基烈;吴凤丽;谭华强 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种电加热喷淋板及其控温系统，该系统通过电加热器、热电偶和温控器的配合实现温度的精准控制。此种喷淋板可以加热至400℃以下，其温度上限主要受加热丝及喷淋板的材料限定，若系统可以使用更耐高温的材料，则可以突破400℃的温度限制。实现了在不增加滤波器的情况下，以喷淋板为上电极导入射频，它既可以满足高温(200℃以上)需求，又可以拆分清洗，既不增加设备占地面积，又降低了设备成本。
伴随射频导入加热喷淋及其温控系统

[发明专利]一种提高硅片温度均匀性的加热系统-CN202010190214.5在审
发明人： 戴佳卉 -专利权人：沈阳拓荆科技有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体设备制造技术领域，具体提供了一种提高硅片温度均匀性的加热系统,该系统采用加热盘对于硅片进行加热，所用加热盘具有盘柄，其中盘柄贯穿腔体内外，该系统包含一真空腔体，硅片与加热盘均位于该腔体内，加热盘对硅片进行非接触热辐射式加热，且加热盘与硅片之间的加热距离可调，同时加热盘具备旋转功能，旨在提高硅片的温度均匀性。本技术方案中硅片与加热盘之间无接触，热传递仅靠热辐射方式，这种传热方式对于硅片的温度均匀性影响同样有良好影响。
一种提高硅片温度均匀加热系统

[发明专利]半导体加热盘复合控温系统及控温方法-CN201810678392.5在审
发明人：刘子优;戴佳卉 -专利权人：沈阳拓荆科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G05D23/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体加热盘复合控温系统及控温方法，其中，所述系统包括：设置于真空腔体内的加热盘和设置于真空腔体外的加热器、温控器和油温机，其中，加热盘内部设置流体通道，加热盘上还设置有用于检测加热盘上表面温度的第一热偶，所述温控器分别与第一热偶和加热器连接，用于接收第一热偶检测到的温度信息，并根据接收到的温度信息调整对加热器的功率输出，以保证加热盘的温度稳定在预设的温度范围内。该半导体加热盘复合控温系统结构合理、安装简易、便于维护、升降温速率高、控温精确，能够快速对加热盘因外部能量介入而导致的升温进行稳定控制。
加热盘加热器控温系统控温热偶半导体温度信息温控器复合加热盘上表面功率输出流体通道内部设置外部能量温度稳定稳定控制真空腔体真空腔检测油温预设升降简易体内保证维护

[实用新型]一种奶瓶-CN201520535578.7有效
发明人：梁羲珂;刘立园;张陈衡;戴梦霞;李颖;虞逸璐;戴佳卉 -专利权人：宁波大学
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： A61J9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种奶瓶，其包括奶嘴、奶嘴固定盖、一个上瓶体和多个不同规格且均能够可拆卸地与上瓶体密封连接的下瓶体，上瓶体的底部与任一个下瓶体的顶部密封连接后构成一个瓶体，上瓶体配备有与上瓶体的底部密封连接的上瓶体底盖，每个下瓶体配备有与下瓶体的顶部密封连接的下瓶体顶盖，奶嘴通过奶嘴固定盖密封连接于上瓶体的顶部上，奶嘴与上瓶体的顶部之间置放有一层在倾倒瓶体后不会漏出奶液、而在用力吸吮时能够吸取瓶体中的奶液的防滴漏硅橡胶隔膜；优点是奶粉携带方便，节省了泡奶的时间，很好的避免了倒奶粉时奶粉掉落，清洗更方便、彻底。
一种奶瓶

[实用新型]大型机床床身导轨平行度测量装置-CN201520206714.8有效
发明人：宋天皎;王可;孙兴伟;徐勇;戴佳卉;葛骏;徐福强 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大型机床床身导轨平行度测量装置，是一种检测精度高、易于操作和检测成本较低的大型机床导轨平行度检测装置，包括分别与左导轨和右导轨相配的平尺，所述的平尺左端固定有圆柱形卡角，所述的平尺右端上固定有激光位移传感器，所述的激光位移传感器连接有PC电脑终端，所述的平尺上设有水平仪。由于本实用新型利用线接触定位，激光进行测量，因而精度较高，且本实用新型结构简单且便于拆卸，便于易于操作和运输。
大型机床床身导轨平行测量装置

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