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[发明专利]等离子体工艺设备的电缆长度选定方法及装置-CN202211345917.6在审
发明人：赵台勋;成晓星;金智贤;具滋明 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了作为等离子体工艺设备的电缆长度选定方法及电缆长度选定装置，用于选定等离子体工艺设备的电力供应电缆的长度的方案，所述等离子体工艺设备通过几十MHz以上的RF频率的电力供应进行等离子体工艺。等离子体工艺设备的电缆长度选定方法包括：阻抗测定步骤，测定要适用的电源供应电缆的阻抗；电长度计算步骤，基于测定的阻抗计算电源供应电缆的电长度；以及电缆长度确定步骤，基于计算的电长度确定电源供应电缆的长度。等离子体工艺设备的电缆长度选定装置包括：阻抗测定部，测定要适用的电源供应电缆的阻抗；电长度计算部，基于测定的阻抗计算电源供应电缆的电长度；以及电缆选定部，基于电长度确定电源供应电缆。
等离子体工艺设备电缆长度选定方法装置

[发明专利]阻抗控制装置及具有阻抗控制装置的基板处理系统-CN202111251676.4在审
发明人： 成晓星;赵台勳;黄政渊;闵堤泓 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种预测环组件的磨损的发生并自动补偿阻抗的阻抗控制装置及具备其的基板处理系统。所述基板处理系统包括：壳体，提供用于处理基板的空间；基板支承部件，设置在壳体的内部，并且支承基板；等离子体产生单元，在壳体的内部产生等离子体；环组件，布置在基板的周围；以及阻抗控制部，控制环组件的周边的阻抗，并且预测环组件的磨损的发生并自动补偿阻抗。
阻抗控制装置具有处理系统

[发明专利]基板温度控制装置、基板处理装置以及控制方法-CN202110509672.5在审
发明人：元净旻;崔益溱;成晓星;南信祐 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法，其可以按每个区域控制基板的温度，并且不增加装置的体积。所述基板温度控制装置包括：支撑板，用于支撑基板；多个加热单元，放置在基板的不同区域中，并且按每个区域控制基板的温度；电源单元，用于提供功率以控制基板的温度；开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；以及控制器，用于通过控制开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。
温度控制装置处理以及方法

[发明专利]基于GIS系统实现无线通信网络频率规划的方法-CN201711140741.X有效
发明人：施家城;邱婷婷;王乃博;成晓星 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H04W16/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于GIS系统实现无线通信网络频率规划的方法，包括：步骤1：以GIS模块提供的地理数据、台站数据、可用频率为计算参数，获得模型预测初步结果；步骤2：根据模型预测初步结果进行频率规划，获得频率规划结果；步骤3：根据模型预测初步结果进行电磁覆盖分析，输出覆盖分析图像；步骤4：根据模型预测初步结果进行链路连通性分析，输出链路分析图像。本发明基于GIS系统，将地理信息引入规划过程，应用ITU‑R P.1546传播模型预测实际地理环境下各站点在不同频率下的通信效果，最终选取满足通信要求的频率为规划结果。
基于 gis 系统实现无线通信网络频率规划方法

[发明专利]滤波器单元，包括该滤波器单元的基板处理设备和基板处理方法-CN202010434951.5在审
发明人： O·噶尔斯特延;成晓星;全炳建;安宗焕 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：公开了一种基板处理设备。基板处理设备可包括：腔室，在腔室中限定有处理空间；支撑单元，用于将基板支撑在处理空间中；加热器电源，其用于向支撑单元中的加热器施加电力；以及高频电源，用于将高频电力施加到支撑单元中的下部电极；以及滤波器单元，其安装在用于将加热器电源与加热器连接的线路处以防止高频流入。滤波器单元可包括：壳体；壳体中的一个或多个线圈；以及设置在壳体与线圈之间的调节构件。调节构件可以由非磁性材料制成。调节构件可以以预定间隔与线圈间隔开，并且与壳体的内壁间隔开或者与壳体的内壁接触。
滤波器单元包括处理设备方法

[发明专利]基板温度控制装置、基板处理装置以及控制方法-CN201710291951.2在审
发明人：元净旻;崔益溱;成晓星;南信祐 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法，其可以按每个区域控制基板的温度，并且不增加装置的体积。所述基板温度控制装置包括支撑板，用于支撑基板；多个加热单元，放置在基板的不同区域中，并且按每个区域控制基板的温度；电源单元，用于提供功率以控制基板的温度；开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；以及控制器，用于通过控制开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。
温度控制装置处理以及方法

[发明专利]夹具及电荷测量方法-CN201310456550.X有效
发明人：具一教;李守真;成晓星 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种夹具。根据本发明的一个实施例的夹具，其为利用等离子体对基板执行等离子体处理的装置中为了测量工艺进行时基板上积累的电荷量而使用的夹具，所述夹具包括金属材质的底板；从所述底板向上部突出的绝缘层；以及在所述绝缘层的上端提供的金属层。
夹具电荷测量方法

[发明专利]等离子体生成单元以及包括其的基板处理装置-CN201510213842.X在审
发明人：朴胜振;成晓星;元净旻;淋斗镐 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置，其包括过程室、支撑单元、气体供应单元和等离子体生成单元。等离子体生成单元可以包括：电源；初级天线，其通过第一线路连接至高频电源；次级天线，其通过在第一接头处从第一线路分叉的第二线路连接至高频电源，初级天线和次级天线与电源并行连接；第三电抗器件，其通过在第二接头处从第二线路分叉的第三线路连接至电源，次级天线和第三电抗器件与电源并行连接；以及可变电抗器件，其安装在定位在第二接头和次级天线之间的第二线路上。
等离子体生成单元以及包括处理装置

[发明专利]等离子体产生单元、包括该单元的基板处理装置及方法-CN201410123775.8在审
发明人：具一教;哈鲁琼·梅利基扬;朴胜振;艾玛·达尼埃良;成晓星;李守真 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够调节在腔体内部生成的等离子体密度的等离子体产生单元、包括该单元的基板处理装置及方法。根据本发明的一实施例的基板处理装置包括：提供实施工序的处理空间的腔体；在上述处理空间支撑基板的基板支撑单元；向上述处理空间供给处理气体的气体供给单元；以及根据向上述处理空间供给的处理气体产生等离子体的等离子体产生单元，上述等离子体产生单元具有：设置在上述腔体的上部的天线部件；位于上述天线部件的上部的调节焊盘；以及使上述调节焊盘向上下移动的驱动部件。
等离子体产生单元包括处理装置方法

[发明专利]检测方法、包括该方法的基板处理方法及基板处理装置-CN201410054295.0在审
发明人：具一教;阿列克谢·加里宁;李守真;成晓星 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：半导体制造装置和利用该半导体制造装置的半导体制造方法，具体涉及利用等离子体的基板处理装置和利用该基板处理装置的基板处理方法。根据本发明的一实施例的基板处理方法包括：传送步骤，基板传送到腔体内部的处理空间；夹紧步骤，第1气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，上述基板固定在支承部件上；基板处理步骤，第2气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，对上述基板实施利用上述等离子体的工序；以及检测步骤，接受上述腔体内部的光并分析所接受的上述光从而检测上述腔体内部状况，在上述检测步骤中测量上述腔体内部状况，从而决定是否实施上述基板处理步骤。
检测方法包括处理装置

[发明专利]等离子体天线以及具有该天线的用于产生等离子体的装置-CN201310613417.0在审
发明人：具一教;哈鲁琼·米利克扬;成晓星;李守真 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体天线以及包括所述等离子天线的等离子体产生装置。等离子体天线包括：第一天线，其利用射频信号感生电磁场；第二天线，其利用射频信号感生电磁场；以及电容器，其连接在第一天线的输入端子与第二天线的输入端子之间。
等离子体天线以及具有用于产生装置

[发明专利]等离子体处理装置及方法-CN201310451516.3有效
发明人：哈鲁琼·米利克扬;具一教;成晓星;李守真;金炫中 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子处理装置。等离子体处理装置，包括：在内部形成空间的腔室；位于所述腔室内并支承基板的基板支承单元；向所述腔室内供给工艺气体的气体供给单元；位于所述腔室的上部并具有提供从所述工艺气体产生等离子体的电磁波的天线的等离子体源单元；位于所述天线的上部使从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波反射到朝向所述腔室的方向的反射板；以及使所述反射板的位置移动的反射板驱动部。
等离子体处理装置方法

[发明专利]基板处理设备以及阻抗匹配方法-CN201210425796.6无效
发明人：哈鲁秋恩·梅利基扬;孙德铉;朴源泽;成晓星 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种基板处理设备和阻抗匹配方法。该基板处理设备包括：高频功率源，其用于产生高频功率；处理室，其用于通过使用高频功率来执行等离子体处理；匹配电路，其用于对处理室的变化阻抗进行补偿；以及变压器，其被设置在处理室和匹配电路之间，以减少处理室的阻抗。
处理设备以及阻抗匹配方法

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