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[发明专利]一种无损转移碳纳米管薄膜制备异质结太阳能电池的方法-CN201810149487.8有效
发明人：刘畅;胡显刚;侯鹏翔;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管/硅异质结太阳能电池领域，具体为一种无损转移碳纳米管薄膜制备异质结太阳能电池的方法。首先将沉积于微孔滤膜上的高性能(如：高透光率、低方块电阻)碳纳米管透明导电薄膜裁剪成合适尺寸；再将其置于SiO2/Si基底上，滴加无水乙醇，使碳纳米管薄膜与硅基底紧密接触；待乙醇自然蒸发后，再利用碳纳米管薄膜与硅基底之间的作用力大于碳纳米管薄膜与微孔滤膜的作用力，用镊子直接移去滤膜；然后制备上电极(银胶)和下电极(铟镓合金)即得所述太阳能电池。本发明在转移碳纳米管薄膜的过程中未使用无水乙醇外的其他溶剂，过程简单，提高碳纳米管与基底的结合，所构建的太阳能电池具有优异的光电转换性能及稳定性。
一种无损转移纳米薄膜制备异质结太阳能电池方法

[实用新型]一种转向柱的溃缩结构-CN202020823551.9有效
发明人：周裕;李婷;王庆君;成会明;宋洋;梅丽莉;姜涛 -专利权人：吉林世宝机械制造有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： B62D1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种转向柱的溃缩结构，其特征在于，包括齿片、齿石和手柄，所述齿片安装在柱管上；所述齿片上方设置有齿片护罩，所述齿片护罩的顶端设置有齿石罩盖，所述齿石设置于所述齿片的上方，并位于所述齿石罩盖的下方；所述齿石上安装有连接销，所述连接销穿过所述齿石罩盖；所述手柄设置于铝壳体的顶端，并通过轴与所述铝壳体连接，当所述手柄关闭时，所述手柄压住所述连接销，进而使所述齿石向下与所述齿片咬合，当所述手柄打开时，所述连接销带动所述齿石上提与所述齿片分离。本实用新型将溃缩结构设置在转向柱的柱管上，既节省空间，又方便布置，同时又提高了产品的适应性和保持力。
一种转向结构

[实用新型]一种转向柱的溃缩结构-CN202020823559.5有效
发明人：周裕;李婷;成会明;宋洋;王庆君;梅丽莉;姜涛 -专利权人：吉林世宝机械制造有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： B62D1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种转向柱的溃缩结构，其特征在于，包括齿片和齿石，所述齿片为U型结构，包括上平面、下平面和锯齿结构，所述齿片安装在柱管上；所述齿片上方设置有齿片护罩，所述齿片护罩固定在铝铸管上；所述铝铸管套接在所述柱管上；所述齿片护罩的顶端设置有连接耳；所述齿石包括石体和石齿，所述石体上设置有销孔，所述齿石通过销穿过所述销孔固定在所述连接耳上，所述石齿用于与所述齿片咬合。本实用新型将溃缩结构设置在转向柱的柱管上，既节省空间，又方便布置。同时，本实用新型在打开手柄时，手柄压住齿石的尾部，使齿石旋转与齿片分离，进而实现转向柱的调节功能，提高了产品的适应性。
一种转向结构

[发明专利]一种喷墨离心制备柔性薄膜光电器件的方法-CN201910497276.8在审
发明人：杜金红;张伟民;韦覃伟;任文才;裴嵩峰;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜光电器件的制备和应用领域，具体为一种利用喷墨离心设备高效制备柔性薄膜光电器件的方法。首先，将柔性基底贴附在喷墨离心设备的离心筒上；然后，控制离心筒高速旋转并将墨水喷射到柔性基底上，利用离心力将墨水均匀涂覆在柔性基底表面，原位加热固化成膜；转换墨水通道，重复上述步骤，从而实现不同功能薄膜的层层叠加；最后，通过喷射导电墨水或蒸镀金属等制作顶电极，进而实现大面积柔性薄膜光电器件的制备。本发明不仅溶液利用率高、操作简便、成本低，而且可实现全溶液法制备柔性薄膜光电器件，可广泛用于量子点发光二极管、有机太阳能电池等柔性薄膜光电器件的制备。
一种喷墨离心制备柔性薄膜光电器件方法

[发明专利]一种过渡金属掺杂二硫化钼薄层材料及其制备方法和用途-CN201810952681.X有效
发明人： 成会明;刘碧录;蔡正阳 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种过渡金属掺杂二硫化钼薄层材料及其制备方法和用途，所述薄层材料的二维尺寸为50～500μm，厚度为0.7～2.2nm；所述方法包括：将钼源与无机盐的混合物、过渡金属掺杂源与无机盐的混合物和硫源在保护性气体中进行化学气相沉积反应，在衬底表面得到过渡金属掺杂二硫化钼薄层材料。本发明采用无机盐辅助化学气相沉积的方法，将钼源、过渡金属掺杂源与无机盐混合，再进行化学气相沉积反应，实现过渡金属硫化物的金属替换型掺杂，制备得到大尺寸分布的掺杂型二硫化钼薄层材料；本发明所述方法简单易操作，过程可控，所得材料形貌良好，光学、电学等性能优异，具有广阔的应用前景。
一种过渡金属掺杂二硫化钼薄层材料及其制备方法用途

[发明专利]一种基于氧化钼／二硫化钼／氧化钼异质结构的光电晶体管及其制作方法-CN202010773184.0在审
发明人：刘驰;冯顺;孙东明;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及新型纳米半导体材料光电晶体管的研发与应用领域，具体为一种基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管及其制作方法。二硫化钼(MoS2)因具有优异的光吸收效率和高稳定性而被认为是实现光电晶体管的最具前途的二维纳米材料之一，并且可以和氧化钼(α‑MoO3‑x)形成具有理想界面的二维材料异质结。本发明基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管，其源端α‑MoO3‑x/MoS2异质结可以通过积累空穴改变能带结构，从而产生光增益，增强光生电流，同时漏端异质结通过提供更多空穴进一步增强光增益，使得晶体管具有大的响应度、明暗电流比和外量子效率，得到迄今为止MoS2探测器报道的最高探测度。
一种基于氧化钼二硫化钼结构光电晶体管及其制作方法

[发明专利]一种快速选择性填充纳米粒子至碳纳米管管腔内的方法-CN201711130179.2有效
发明人：侯鹏翔;石超;刘畅;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管复合结构领域，具体为一种电场力驱动的快速选择性填充纳米粒子至碳纳米管中空管腔内的方法。将沉积有薄层碳的阳极氧化铝片组装至电解槽装置上，在电解池注入需填充元素的电解质溶液并插入电极，于两电极间施加直流电压使电解液迅速填充至碳层包覆的阳极氧化铝纳米孔道内，取出阳极氧化铝片、热处理、最后去除阳极氧化铝片模板，即获得纳米粒子填充的碳纳米管复合结构。纳米粒子选择性填充于两端开口的碳纳米管管腔内、分布均匀。该方法填充过程快速，只需0.5秒至5分钟时间；填充量精确可控，含量最高可填满碳纳米管管腔。有效解决目前在碳纳米管内填充纳米粒子的工艺复杂、耗时长、大量填充困难等问题。
一种快速选择性填充纳米粒子管管方法

[发明专利]一种磁光调制器件和入射可见光的大相位差磁光调制方法-CN202010687531.8在审
发明人： 成会明;丁宝福;黄子阳;刘碧录 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁光调制器件和入射可见光的大相位差磁光调制方法，该磁光调制器件包括磁场发生器、透明主调制部件和辅助调制部件，磁场发生器设置为磁场方向与入射可见光光路垂直；透明主调制部件设于磁场内，其内部填充磁性二维材料分散液，其中的磁性二维材料光学带隙在2.0eV以上，饱和磁化强度1emu/g以上，径厚比102以上；辅助调制部件包括分设于透明主调制部件的相对两侧且位于入射可见光光路上的第一偏振片和第二辅调制件，第二辅调制件为偏振检测器或第二偏振片，第二偏振片与第一偏振片的偏振方向正交。该磁光调制器件可实现对入射偏振光的非接触式、连续化大相位差调制，进而实现光强度、光谱或光偏振态的连续调制。
一种调制器件入射可见光相位差方法

[发明专利]米级尺度单壁碳纳米管薄膜连续制备转移方法及专用装置-CN201910386388.6在审
发明人：孙东明;汪炳伟;刘畅;侯鹏翔;孙陨;栾健;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明涉及单壁碳纳米管薄膜的连续制备及转移技术，具体为一种米级尺度的单壁碳纳米管薄膜的卷对卷连续制备转移方法及专用装置。采用浮动催化剂化学气相沉积法合成单壁碳纳米管，在可连续运行的微孔滤膜表面，通过气相抽滤方法均匀、连续沉积单壁碳纳米管薄膜；采用卷对卷压印的方式，碳纳米管薄膜可由微孔滤膜表面转移至柔性塑料基板上，从而获得宽幅可达米级、长幅不受限的大面积均匀单壁碳纳米管薄膜。本发明提出的单壁碳纳米管薄膜的卷对卷连续制备转移技术，在常压、室温条件下实现大面积、均匀单壁碳纳米管薄膜的宏量制备，对于推动单壁碳纳米管薄膜在未来透明、柔性光电器件领域的规模化制备及应用中具有重要意义。
尺度单壁碳纳米薄膜连续制备转移方法专用装置

[发明专利]一种填料定向排布的复合材料及其制备方法-CN201510873298.1有效
发明人：任文才;马超群;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种填料定向排布的复合材料及其制备方法，属于新材料及其制备技术领域。该方法首先将片层状填料与有机高分子材料均匀混合，再通过挤压方式实现填料在基体中的有序定向排布，进而制备出所述填料定向排布的复合材料。所制备的复合材料是由片层状填料和有机高分子材料基体组成，片层状填料有序定向排布于有机高分子材料基体中，从而充分发挥填料在特定方向上的性能的优势，因此该复合材料具有优异的性能(如特定方向上的导热性能)、良好的弹性和柔韧性，在导热、导电或电磁屏蔽等诸多领域存在应用潜力。
一种填料定向排布复合材料及其制备方法

[发明专利]一种导热界面材料及其应用-CN201510873844.1有效
发明人：任文才;马超群;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种导热界面材料及其应用，属于新材料及其应用技术领域。该导热界面材料是由片层状填料和有机高分子材料基体形成的复合材料，其中：所述片层状填料有序定向排布于有机高分子材料基体中，从而充分发挥填料在特定方向上的导热性能的优势，因此该导热界面材料具有优异导热性能、良好弹性和柔韧性。该导热界面材料易压缩，可用于填充热界面间隙，提升器件散热效率，提高电子产品的可靠性及延长其使用寿命。
一种导热界面材料及其应用

[发明专利]二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和器件-CN202010655095.6在审
发明人：刘碧录;冯思敏;成会明;谭隽阳 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和器件，该制备方法包括以下步骤：取液态过渡金属源覆于衬底上；利用载气将液态硫族源输送至所述衬底处，所述硫族源为硫醇、硒醇或碲醇，在密闭环境内进行加热反应得到二维过渡金属硫族化合物。本发明利用液态的过渡金属源和液态的硫族源作为反应前驱体，容易通过控制反应前驱体的浓度来构建稳定的前驱体浓度场生长体系，从而促进了过渡金属硫族化合物的均匀成核和生长，使得制备得到的过渡金属硫族化合物材料的形貌、厚度、晶畴尺寸在衬底上的密度分布更加均匀，具有优异的光学、电学性质和广阔的应用前景。
二维过渡金属化合物及其制备方法器件

[发明专利]一种非金属催化剂SiC制备半导体性单壁碳纳米管的方法-CN201610881748.6有效
发明人：刘畅;程敏;侯鹏翔;李金成;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明涉及半导体性单壁碳纳米管控制制备领域，具体为一种非金属催化剂SiC制备半导体性单壁碳纳米管的方法。以离子溅射方法获得的碳化硅纳米颗粒为催化剂，先在高温、氢气气氛预处理，使碳化硅纳米颗粒表面的硅原子蒸发，在表面留下的碳原子形成碳帽；再在氢气气氛下通入碳源，具有刻蚀作用的氢气刻蚀高活性金属性碳帽，从而得到半导体性富集的单壁碳纳米管。本发明利用预处理过程中催化剂表面原子的微量自身分解形成碳帽，再利用氢气的刻蚀性作用去除高活性金属性碳帽，实现了不含金属杂质的半导体性富集单壁碳纳米管的可控生长。
一种非金属催化剂 sic 制备半导体性单壁碳纳米方法

[发明专利]基于石墨烯的钙卫蛋白生物传感器的制备方法及其应用-CN201910249950.0在审
发明人：英哲;张睿;杨卫东;郝亚斌;孙宝明;刘放;王永鹏;曾尤;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所;辽宁省肿瘤医院
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G01N33/68 文献下载
摘要：本发明属于免疫传感器领域，具体涉及一种基于石墨烯的钙卫蛋白生物传感器的制备方法及其应用。首先将氧化石墨烯分散液滴涂到经清洁后的传感器电极上，再将壳聚糖乙酸溶液滴涂到电极表面，经电化学还原将氧化石墨烯转化为石墨烯，利用石墨烯生物相容性及表面的羧基使钙卫蛋白抗体易于富集并固定在电极表面。上述电极经活化、固定钙卫蛋白抗体、封闭活性点位，最后通过抗原抗体的免疫反应将钙卫蛋白固定在电极上。由于石墨烯优良的导电性能电极在电化学探针铁氰化钾溶液中的峰电流明显增大，可显著提高该免疫传感器的灵敏度。石墨烯优异的生物相容性可有效提高电极表面钙卫蛋白抗体的修饰量，进而增大电极对钙卫蛋白浓度的检测范围。
基于石墨蛋白生物传感器制备方法及其应用

[发明专利]一种无电子传输层的平面钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN201710497245.3有效
发明人：刘岗;吴亭亭;甄超;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏电池领域，具体为一种无电子传输层的平面钙钛矿太阳能电池的制备方法。对透明导电基体进行清洗和O2等离子体处理，并进一步利用水热法对导电基体在含卤素(氟、氯、溴、碘等)离子溶液中进行表面改性处理；在处理后的导电基体上直接组装钙钛矿太阳能电池，电池最高效率达到14％以上。本发明在保证高效率的同时，简化了钙钛矿太阳能电池的结构和加工工艺，在未来的实际应用中具有重要价值。
一种电子传输平面钙钛矿太阳能电池制备方法