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[发明专利]一种超净高纯丙酮的生产工艺-CN202110664816.4有效
发明人： 戈士勇;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C07C45/79 文献下载
摘要：本发明公开了一种超净高纯丙酮的生产工艺，涉及化工技术领域，包括以下步骤：(1)将工业丙酮、肼水溶液混合，调节温度至100‑105℃，保温搅拌反应2‑3小时，得到反应液，在常压下将反应液与水组成低沸点共沸物，进行一次精馏分离，得到反应生成丙酮连氮；(2)在常压下，对丙酮连氮进行水解，得到丙酮和水合肼，进行二次精馏分离，得到初步丙酮；(3)对初步丙酮进行吸附脱水处理，即得高纯丙酮；本发明方法生产得到的高纯丙酮的丙酮含量相较于工业丙酮中的丙酮含量大幅度提高，得到的高纯丙酮的纯度明显增加。
一种净高丙酮生产工艺

[发明专利]一种超净高纯过氧化氢的生产工艺-CN202110664604.6有效
发明人： 戈士勇;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01B15/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种超净高纯过氧化氢的生产工艺，涉及化工技术领域，包括以下步骤：(1)将工业过氧化氢进行氧化处理，得到氧化处理过氧化氢，氧化处理依次分为惰性气体的排出和氧化剂的氧化；(2)将上述得到的氧化处理过氧化氢采用交换树脂进行过滤处理，得到树脂过滤过氧化氢；(3)再将树脂过滤过氧化氢采用过滤膜进行微过滤处理，过滤得到的滤液即为高纯过氧化氢；通过本发明工艺对工业过氧化氢进行处理，能够大幅度的提高工业过氧化氢的纯度，从而使得其能够更好的应用于半导体晶体片的清洗剂、腐蚀剂和光刻胶的去除剂，电子工业制取高级绝缘层、去除电镀液中无机杂质，效果显著，提高产品的质量。
一种净高过氧化氢生产工艺

[发明专利]一种高世代平板用铜钼蚀刻液-CN202010119553.4有效
发明人： 戈士勇 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种高世代平板用铜钼蚀刻液，所述蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硫酸0.1‑5％，过氧化氢5‑20％，过硫化钠0.5‑5％，硫酸铵5‑15％，氯化钠3‑10％，氟化铵1‑5％，稳定剂Ⅰ0.5‑3％，表面活性剂2‑10％和金属离子保护剂3‑8％和余量的纯水，各组分重量百分数之和为100％。所述蚀刻液性能稳定，对环境无污染；对铜钼叠层膜有着优良选择性蚀刻比，蚀刻后线路边线整齐均匀，线路角度不超过65度，关键尺寸损失单边不超过0.5μm。
一种世代平板用铜钼蚀刻

[发明专利]一种集成电路用的金属蚀刻液及其制备方法-CN202111461416.X在审
发明人： 戈士勇;何珂;戈烨铭 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路用的金属蚀刻液及其制备方法，属于蚀刻液技术领域。且所述金属蚀刻液包括以下重量百分比原料：1.2‑2.6％柠檬酸、0.5‑1.8％酒石酸、1‑3％水杨酸、2.5‑6.5％硼酸、0.1‑0.5％磷酸二氢盐、0.3‑0.5％硫酸盐、4‑8％氧化剂、2‑8％活性剂、余量为去离子水。该金属蚀刻液对铜/钼的多层金属的蚀刻具有高效蚀刻作用，其中，以酒石酸、水杨酸、硼酸和氧化剂科学配伍对铜和钼进行高效腐蚀，而磷酸二氢盐、硫酸盐和活性剂科学配伍抑制该金属蚀刻液在腐蚀过程铜侧蚀和钼侧蚀的发生，降低临界尺寸损失，使获得的蚀刻图案具有良好的平直度。
一种集成电路金属蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种集成电路用的硅蚀刻液及其制备方法-CN202111369309.4在审
发明人： 戈士勇;何珂;展红峰 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C09K13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路用的硅蚀刻液，属于刻蚀液制备技术领域，包括以下质量百分比的原料：18‑25％份四甲基氢氧化铵、2‑3％氢氧化钾、0.3‑0.5％催化剂、0.1％助剂、0.1％金属捕集剂、0.05‑0.1％表面活性剂，余量为去离子水；本发明还公开该硅蚀刻液的制备方法，将配方中的原料按比例混合即可，本发明以四甲基氢氧化铵、氢氧化钾、助剂和金属捕集剂为主料原料；采用有机碱和无机碱结合，提高硅蚀刻速率，加入助剂减少硅蚀刻过程中会氢气气泡的产生，加入金属捕集剂对蚀刻液中的金属离子进行捕集，防止金属离子的沉积，减少蚀刻基板上被腐蚀的金属离子对硅蚀液的影响。
一种集成电路蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极体显示器用阳极蚀刻液-CN202010138912.0有效
发明人： 戈士勇 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极体显示器用阳极蚀刻液，包括磷酸、醋酸、硝酸、表面活性剂、金属抑制剂、保护剂和水，上述蚀刻液的原料按重量百分比计算，磷酸含量为60～70％，醋酸含量为15～30％，硝酸含量为2～5％，表面活性剂含量为0.3～5％，金属抑制剂含量为0.1～5％，保护剂含量为0.1～5％，各组分重量百分比之和为100％，所述蚀刻液的PH值为1～2.5；所述金属抑制剂为钼酸盐、琥珀酸、柠檬酸、琥珀酸盐、聚环氧琥珀酸、苯并三氮唑钠盐、苯并三氮唑、有机胺、羧甲基菊粉、丙烯酰胺、亚甲基丙烯酰胺中的一种或几种的混合物。本发明提供一种腐蚀均匀、不同膜层之间腐蚀速率可控，性能稳定的蚀刻液。
一种有源矩阵有机发光二极体显示器用阳极蚀刻

[发明专利]一种钼铝钼和ITO/Ag/ITO兼容蚀刻液及制备方法-CN202010119330.8有效
发明人： 戈士勇 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼铝钼和ITO/Ag/ITO兼容蚀刻液及制备方法，所述蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括无机酸磷酸55‑75％、硝酸2.5‑5％、醋酸12‑28％，表面活性剂1‑8％，复配型金属抑制剂0.1‑5％，保护剂0.1‑5％和余量的纯水；所述复配型金属抑制剂为钼酸盐、硝酸盐、巯基苯并噻唑、月桂酸和硫醇苯并噻唑中的至少两种物质的复配混合物；各组分重量百分数之和为100％。本发明通加入复配型金属抑制剂使蚀刻速度具有可控性，有效抑制抗蚀保护层的劣化，得到表面平坦光滑的金属膜，具有重要的应用价值。
一种钼铝钼 ito ag 兼容蚀刻制备方法

[发明专利]一种太阳能电池叠瓦组件导电胶及其制备方法-CN201811516519.X有效
发明人： 戈士勇 -专利权人：江苏瑞德新能源科技有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C09J4/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池叠瓦组件导电胶，其原料组成包括导电银粉、活性单体、改性丙烯酸树脂、分子量为100～5000的丙烯酸酯低聚物、第一引发剂；还包括含氟丙烯酸酯基微凝胶粉。本发明太阳能电池叠瓦组件导电胶的组分中加入了含氟丙烯酸酯基微凝胶粉，微凝胶表面和内部的基团与导电胶基材发生交联，所得导电胶具有良好的强度和柔顺性；利用氟碳基团在聚合物中迁移的特点，形成具有一定疏水性能的胶体表面，导电胶具有较好的抗湿热性能和耐高低温性能，有利于改善银迁移现象，适于太阳能电池叠瓦组件的制造。本发明还公开了一种太阳能电池叠瓦组件导电胶的制备方法。
一种太阳能电池组件导电及其制备方法

[发明专利]一种单组份反应型聚氨酯热熔胶及其制备方法-CN201811516532.5有效
发明人： 戈士勇 -专利权人：江苏瑞德新能源科技有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C09J175/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单组份反应型聚氨酯热熔胶，其原料组成包括聚氨酯预聚体、扩链剂、增粘树脂、潜固化剂、填料，所述聚氨酯预聚体由分子量为500～3000的聚多元醇、多异氰酸酯和催化剂聚合而成；原料组成还包括增塑剂，所述增塑剂为邻苯二甲酸二辛酯和/或二苯甲酸二乙二醇酯。本发明单组份反应型聚氨酯热熔胶的组分中通过加入增塑剂，增塑剂为邻苯二甲酸二辛酯和/或二苯甲酸二乙二醇酯，上述两种物质对于聚氨酯的增塑效率高、挥发性低，并且具有良好的低温柔软性，增塑剂的加入使聚合物高分子链间的相互作用减弱，提高聚氨酯热熔胶的提高聚合物材料的弹性和柔顺性，改善热熔胶的耐高低温性能。
一种单组份反应聚氨酯热熔胶及其制备方法

[发明专利]氧化硅的选择性蚀刻液及其应用和使用方法-CN202010875704.9在审
发明人：何珂;戈士勇;展红峰 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C09K13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化硅的选择性蚀刻液及其应用和使用方法。该氧化硅的选择性蚀刻液的组成及其为：60‑80％的磷酸、1‑3％的硝酸、8‑12％的醋酸、1‑3％的氟硼酸、0‑1％表面活性剂、0‑1％腐蚀抑制剂、余量为水。其中，腐蚀抑制剂优选可溶性的碳酸氢盐。与现有技术相比，本发明蚀刻液对氧化硅具有速度适中的腐蚀性，且对多晶硅腐蚀性也大大下降，对氮化硅的腐蚀性更为微乎其微，对铝金属还一定的缓蚀作用，具有安全系数更高、方便客户端的药液处理方便和管控等优点，特别适合用于以氮化硅介质保护层、以铝铜合金为金属层的晶圆在铝铜合金湿法蚀刻过程中原位沉积生成的氧化硅薄层的蚀刻。
氧化选择性蚀刻及其应用使用方法

[发明专利]一种CF返工液-CN202010875705.3在审
发明人：何珂;戈士勇;汤晓春 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种CF返工液，其组分及其重量百分数为：5‑15％的无机强碱、1‑2％的聚醚类非离子表面活性剂、10‑20％的水溶性有机溶剂、2‑5％的羧酸酯水解酶EC3.1.1.1、0.1‑1％的水溶性离子溶液，余量为高纯水。本发明通过在CF返工液中添加了羧酸酯水解酶EC3.1.1.1和水溶性离子溶液，克服了CF返工液在较低温度下的剥离效果不佳的缺点，可以降低客户端使用温度，减少了药液的挥发，保证了药效，对基板损伤小。
一种 cf 返工

[发明专利]高耐热正性光刻胶以及形成光刻胶图案的方案-CN202010876444.7在审
发明人：陆水忠;戈士勇;何珂 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种高耐热正性光刻胶以及形成光刻胶图案的方案，该光刻胶的组分及其重量百分数为：20‑40％线性酚醛环氧树脂、0.5‑1.5％环氧树脂的潜伏型固化剂、1‑15％线性酚醛树脂、3‑25％重氮类光敏剂、20‑65％溶剂、0‑2％其他助剂，其中所述环氧树脂的潜伏型固化剂与线性酚醛环氧树脂的反应固化温度为100‑120℃。与现有技术相比，本发明通过添加线性酚醛环氧树脂以及潜伏型固化剂搭配线性酚醛树脂，使得曝光区光刻胶可以显影完全；潜伏型固化剂搭配线性酚醛树脂作为环氧树脂的高温固化剂，提高了光刻胶浮雕图案的耐温性，有效地避免了后期干刻阶段光刻胶浮雕图案发生变形，使得光刻图案保持良好的分辨率。
耐热光刻以及形成图案方案

[发明专利]一种高浓CF显影液及其制备方法-CN202010875693.4在审
发明人：何珂;戈士勇;汤晓春 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种高浓CF显影液及其制备方法。该高浓CF显影液的组分及其重量百分数为：5‑15％的无机强碱、3‑20％的表面活性剂、1‑2％的促溶剂、0.01‑2％的羧酸酯水解酶EC3.1.1.1，余量为高纯水。本发明通过在高浓CF显影液中添加了羧酸酯水解酶EC3.1.1.1，克服了现有高浓度CF显影液因表面活性剂添加量大容易导致混浊、产生泡沫、显影速度随显影时间减弱、显影存在残渣、显影不完全、存在膜污等问题，配方浓缩，运输成本稍，且具有良好的显影效果。
一种 cf 显影液及其制备方法

[发明专利]铬金属蚀刻液以及蚀刻铬膜、铬镍膜的方法-CN202010876475.2在审
发明人：何珂;戈士勇;戈烨铭 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种铬金属蚀刻液以及蚀刻铬膜、镍铬膜的方法。其中铬金属蚀刻液，对于组合物的总重量，由以下组分组成：15‑25％重量的硝酸铈铵；12‑28％重量的高氯酸；0.1‑3％重量的有机苯磺酸或其苯环被取代的不具有氧化性的衍生物或它们的混合物；余量为水。该蚀刻液可以用于铬膜和镍铬合金膜的蚀刻，能蚀刻出15微米宽的精细线路，单边侧蚀量小于1微米，蚀刻速率适中且均匀，反应剧烈程度适中、不会产生沸腾飞溅，对铬膜、镍铬膜都具有同等良好的蚀刻图案控制效果，对环境影响小，易于后处理排放。
金属蚀刻以及铬镍膜方法

[发明专利]有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法-CN202010543103.8在审
发明人： 戈士勇;何珂;陆水忠 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了有源矩阵有机发光二极体用氧化层缓冲蚀刻液的制备方法，包括步骤一、将氟化氢气体通入纯水，纯水喷淋吸收，产生氢氟酸溶液，之后加入亚氯酸钠溶液制得混合物Ⅰ；步骤二、在混合物Ⅰ中通入氨气，喷淋吸收后加入碳酸氢铵溶液，制得混合物Ⅱ；步骤三、将混合物Ⅱ倒入步骤一中对氟化氢气体进行喷淋，待氟化氢气体完全吸收后搅拌均匀，之后加入添加剂，添加之后过滤。本申请的制备方法可以通过调节氟化氢和氨气的比例，直接可以得到不同比例的氟化铵和氢氟酸混合溶液，整个过程可以连续生产大大提高了生产效率，降低了能耗的同时，提升了环保。本申请的氧化层缓冲蚀刻液纯度高，粒径0.2μm以上的颗粒每毫升小于或等于10个。
有源矩阵有机发光二极体用氧化缓冲蚀刻制备方法

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