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[发明专利]一种用于CF彩膜工艺中的显影液及其制备方法-CN202111461409.X在审
发明人：戈烨铭;何珂;展红峰 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CF彩膜工艺中的显影液及其制备方法，该显影液包括如下重量份原料：碱性化合物40‑50份、改性活性剂15‑20份、硫酸盐90‑100份、米吐尔2‑3份、水700‑800份；通过5‑硝基‑1,3‑苯二甲酸与氯化亚砜反应，制得中间体8，将中间体8和中间体7进行反应，制得中间体9，将中间体9进行还原反应，制得中间体10，将中间体6与乙二酸反应，使得中间体6上的醇羟基与乙二酸的一个羧基发生酯化反应，再将剩余的羧基与中间体10上的氨基发生脱水缩合，制得改性活性剂，该改性活性剂能够很好的渗透光刻胶，同时在显影过程中不会出现金属离子杂质和未溶解物，进而保证了显影效果。
一种用于 cf 工艺中的显影液及其制备方法

[发明专利]超净高纯盐酸及其生产工艺-CN202111307130.6在审
发明人： 展红峰;何珂;汤晓春 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C01B7/07 文献下载
摘要：本发明涉及超净高纯盐酸的生产工艺，属于高纯盐酸制备技术领域，包括以下步骤：第一步、将工业盐酸通过微滤器过滤进入盐酸储槽中；第二步、根据盐酸储槽中游离氯的含量，配制亚硫酸钠溶液，向盐酸储槽中滴加亚硫酸钠溶液，然后滴加氯化钡溶液，反应2‑3h后，过滤，向滤液中加入改性碳纤维，静置4‑6h后，再次过滤，滤液流入树脂塔进行进一步除杂，闭塔运行，排出液中铁含量在0.1mg以下，得到纯化盐酸；第三步、将纯化盐酸流入冷凝器预热，再进入蒸馏器中进行蒸馏，蒸馏后的气相盐酸在冷凝器中进行冷凝，冷凝后的盐酸被收集流入成品接收槽，得到超净高纯盐酸；本发明的生产工艺获得的高纯盐酸游离氯含量低，且金属离子含量少。
净高盐酸及其生产工艺

[发明专利]一种集成电路用的硅蚀刻液及其制备方法-CN202111369309.4在审
发明人：戈士勇;何珂;展红峰 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C09K13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路用的硅蚀刻液，属于刻蚀液制备技术领域，包括以下质量百分比的原料：18‑25％份四甲基氢氧化铵、2‑3％氢氧化钾、0.3‑0.5％催化剂、0.1％助剂、0.1％金属捕集剂、0.05‑0.1％表面活性剂，余量为去离子水；本发明还公开该硅蚀刻液的制备方法，将配方中的原料按比例混合即可，本发明以四甲基氢氧化铵、氢氧化钾、助剂和金属捕集剂为主料原料；采用有机碱和无机碱结合，提高硅蚀刻速率，加入助剂减少硅蚀刻过程中会氢气气泡的产生，加入金属捕集剂对蚀刻液中的金属离子进行捕集，防止金属离子的沉积，减少蚀刻基板上被腐蚀的金属离子对硅蚀液的影响。
一种集成电路蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种用于CF Rework彩膜工艺中的返工液及其制备方法-CN202111461985.4在审
发明人：何珂;汤晓春;展红峰 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CF Rework彩膜工艺中的返工液及其制备方法，该返工液包括如下百分比原料：无机碱5‑15％、表面活性剂3‑5％、主溶剂30‑50％、助溶剂10‑15％、活化剂5‑8％、余量为水；将Nε‑十二酰基‑L‑赖氨酸处理制得中间体6，将中间体5和中间体6进行反应，制得中间体7，将异丁醇进行溴化处理，制得中间体8，将咪唑与中间体8反应后，再与1‑溴十二烷反应，在进行蒸馏，将底物、二溴乙烷、中间体7进行反应，制得表面活性剂，该表面活性剂能够很好的将光刻胶进行剥离，同时不需要高温环境，且剥离时间短。
一种用于 cf rework 工艺中的返工及其制备方法

[发明专利]超净高纯氢氧化钾及其生产工艺-CN202111308783.6在审
发明人：汤晓春;何珂;展红峰 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C01D1/28 文献下载
摘要：本发明涉及超净高纯氢氧化钾及其生产工艺，属于氢氧化钾纯化技术领域。且所述生产工艺包括以下步骤：步骤一、将工业氢氧化钾溶解于超纯水中，过滤，得粗氢氧化钾溶液；步骤二、将氢氧化钾用改性棉布过滤，得一次过滤液；步骤三、将一次过滤液通过阳离子树脂交换膜，得透过液；将透过液蒸发、浓缩，得超净高纯氢氧化钾。且本发明结合改性棉布和阳离子树脂交换膜的使用，获得超纯氢氧化钾。利用了改性棉布不但亦可以滤去粗氢氧化钾溶液的颗粒杂质，还可以利用改性大孔二氧化硅的吸附能力，以及4‑乙烯基吡啶和季铵盐单体聚合形成的聚合物的吸附能力，除杂能力优异。
净高氢氧化钾及其生产工艺

[发明专利]一种集成电路用的光刻胶及其制备方法-CN202111368402.3在审
发明人：戈烨铭;何珂;展红峰 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路用的光刻胶及其制备方法，该光刻胶包括如下重量份原料：成膜树脂10‑20份、增强树脂30‑40份、光引发剂8‑10份、表面活性剂5‑8份、丙二醇甲醚乙酸酯80‑120份；该成膜树脂分子上含有大量苯并噁嗪结构，使得制备出的光刻胶具有很好的耐高温效果，并且分子上含有能够光固化的双键，同时该树脂为超支化结构，在显影过程中没交联部分分子溶解，不会吸附与其相邻的大分子，保证了曝光后光刻胶图像清晰，断面情况好，增强树脂也含有含有双键的烯类单体，能够与成膜树脂发生光固化，同时分子链上含有酚羟基提供光刻胶与衬底之间的粘附力，含有多元环刚性结构侧基，增强了光刻胶的机械性。
一种集成电路光刻及其制备方法

[发明专利]氧化硅的选择性蚀刻液及其应用和使用方法-CN202010875704.9在审
发明人：何珂;戈士勇;展红峰 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C09K13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化硅的选择性蚀刻液及其应用和使用方法。该氧化硅的选择性蚀刻液的组成及其为：60‑80％的磷酸、1‑3％的硝酸、8‑12％的醋酸、1‑3％的氟硼酸、0‑1％表面活性剂、0‑1％腐蚀抑制剂、余量为水。其中，腐蚀抑制剂优选可溶性的碳酸氢盐。与现有技术相比，本发明蚀刻液对氧化硅具有速度适中的腐蚀性，且对多晶硅腐蚀性也大大下降，对氮化硅的腐蚀性更为微乎其微，对铝金属还一定的缓蚀作用，具有安全系数更高、方便客户端的药液处理方便和管控等优点，特别适合用于以氮化硅介质保护层、以铝铜合金为金属层的晶圆在铝铜合金湿法蚀刻过程中原位沉积生成的氧化硅薄层的蚀刻。
氧化选择性蚀刻及其应用使用方法

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