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[发明专利]一种充电力度可调的半桥电路-CN202310859700.5在审
发明人：刘媛媛 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种充电力度可调的半桥电路，该电路包括：充电单元，包括功率管MH，功率管MH的漏极与寄生电感L1相连，源极与开关节点SW相连；控制单元，包括开关管MSWT，开关管MSWT的第一端与功率管MH的栅极相连；充电力度调控单元，包括外部调控电阻RDRV、驱动管MDRV和电流源，外部调控电阻RDRV连接于第二引脚PIN2和第一引脚PIN1之间，外部调控电阻RDRV还与电流源的输入端相连，电流源的输出端与开关节点SW相连，驱动管MDRV的控制端与第一引脚PIN1相连，驱动管MDRV的第一端与开关管MSWT的第二端相连，驱动管MDRV的第二端与BOOT节点相连。本发明通过调节外部调控电阻阻值的大小进而控制功率管的充电驱动力度，实现半桥电压转换效率和EMI的最优平衡，整个过程功耗低。
一种充电力度可调电路

[发明专利]半导体器件-CN202311016123.X在审
发明人：请求不公布姓名;刘坤;李明;汪海旸 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括半导体主体、栅极结构以及接触场板；所述半导体主体内形成有有源区，所述半导体主体内于所述有源区的外围形成有浅槽隔离区；所述栅极结构形成于所述半导体主体上且自所述有源区延伸于所述浅槽隔离区；所述接触场板与所述栅极结构并列设置。通过接触场板的布局设置，能够解决接触场板到漏极有源区和/或栅极结构的高泄露。
半导体器件

[发明专利]OTP延时电路及LDO芯片-CN202310808857.5在审
发明人：杨芮 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03K5/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种OTP延时电路及LDO芯片，所述OTP延时电路包括：温度迟滞单元，包括比较器、与比较器第一输入端相连的基准电压单元、与比较器第二输入端相连的温度敏感单元及与比较器输出端相连的第一反相器；时钟信号产生单元，与比较器的第二输入端相连，用于控制比较器第二输入端的电压，以产生时钟信号VCLK；延时单元，与第一反相器的输出端相连，用于对时钟信号VCLK进行延时以产生延时信号VQ；OTP单元，与延时单元及温度迟滞单元相连，用于根据时钟信号VCLK及延时信号VQ产生单边延时的OTP信号。本发明的OTP延时电路不仅实现了温度迟滞，还能够实现在OTP恢复时延时，触发OTP时直接关断后续电路，避免芯片频繁开关切换造成芯片烧坏或者系统功能异常。
otp 延时电路 ldo 芯片

[发明专利]一种下拉电流辅助建立电路-CN202310784371.2在审
发明人：崔新宇 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03K5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种下拉电流辅助建立电路，应用于I2C总线缓冲电路，该下拉电流辅助建立电路包括：预充电单元，包括第一电容C1和至少一个嵌位管，第一电容C1的第一端分别与嵌位管的控制端及电源电压相连，第一电容C1的第二端与地电位相连，嵌位管的第一端与电源电压相连、第二端与地电位相连；控制单元，分别与第一电容C1的第一端及第八MOS管M8的控制端相连，用于控制第一电容C1向第八MOS管M8充电；脉冲单元，与控制单元相连，用于产生脉冲信号以驱动控制单元控制第一电容C1向第八MOS管M8充电。本发明在运算放大器使能之后，通过预充电单元与第八MOS管M8实现电荷共享，动态提升了第八MOS管M8的下拉电流能力，能有效抑制时钟延展时总线上产生过冲。
一种下拉电流辅助建立电路

[发明专利]增量型SDM积分器-CN202310850814.3在审
发明人：毕加昊 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H17/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种增量型SDM积分器，所述SDM积分器包括级联设置的若干第一积分器及一个第二积分器，所述第一积分器和第二积分器分别包括运放、斩波器、采样电容、反馈电容、若干时序开关及若干复位开关。本发明通过调整积分器的CHOP时序和复位方式来调节后级积分器每个CHOP周期积分到的失调电压，使后级积分器在一个完整的CHOP周期内对前级积分器传递的失调电压的积分值为0，确保前级积分器的失调电压不被后级积分器放大，从而降低或消除增量型SDM积分器的输出失调。
增量 sdm 积分器

[发明专利]保护电路、微控制单元及保护方法-CN202310750057.2在审
发明人：胡松华;陈丽华 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02H7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种保护电路、微控制单元及保护方法，保护电路用于马达控制电路，马达控制电路包括PWM产生单元、驱动器和逆变器，PWM产生单元用于产生PWM信号，驱动器用于对PWM信号进行处理而控制逆变器以驱动马达，保护电路包括：检测单元，用于基于马达产生的状态异常信号产生用于关断PWM产生单元和驱动器的第一控制信号。根据本发明的保护电路、微控制单元及保护方法，通过检测单元产生第一控制信号来关断PWM产生单元和驱动器，从而实现对马达过流、过压灵活的双重保护，提高安全等级；通过逻辑控制单元提高控制信号输出的适应性以适应不同关断方式的驱动器。
保护电路控制单元方法

[发明专利]低功耗变换器及实现方法-CN202310789187.7在审
发明人：赵少敏;王永进 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗变换器及实现方法，变换器包括：转换电路、控制电路和带隙基准产生电路；转换电路输出电压，分压网络对输出电压进行分压产生分压信号；带隙基准产生电路的带隙基准模块间隔输出第一基准电压，带隙基准产生电路的采样保持模块基于第一基准电压输出第二基准电压；控制电路的差分放大器输出误差放大信号、脉冲调制器产生脉冲信号、第一逻辑模块用于基于脉冲信号产生控制信号、驱动电路产生驱动转换电路的驱动信号、比较电路输出低功耗模式进入或退出信号；第一逻辑模块控制控制电路进入或退出低功耗模式。本发明的低功耗变换器系统实现比较简单；功耗非常低；并且比较器和误差放大器共用输入对管，从而极大的减小了失配。
功耗变换器实现方法

[发明专利]一种深沟槽器件及其制作方法-CN202310342781.1在审
发明人：马小波;李明;吴建刚 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种深沟槽器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。本申请提供了本申请提供了一种深沟槽器件及其制作方法，首先提供第一掺杂类型衬底，接着基于衬底的一侧制作第二掺杂类型埋层与第一掺杂类型外延层，再基于外延层同时制作第一沟槽与第二沟槽；其中，第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度，且第一沟槽延伸至第二掺杂类型埋层内，第二沟槽延伸至第一掺杂类型衬底内，再基于第一沟槽与第二沟槽的侧壁制作间隔层，最后基于第一沟槽与第二沟槽沉积第二掺杂类型多晶硅。本申请提供的深沟槽器件及其制作方法具有工艺更加简单，成本更低的优点。
一种深沟器件及其制作方法

[发明专利]电平转换电路及电平转换方法-CN202310780861.5在审
发明人：杨泽坤;张睿;曹骁飞 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种电平转换电路及电平转换方法，电平转换电路包括：偏置控制单元、电压跟随单元以及输出控制单元。偏置控制单元接收偏置电压、输出偏置电流；电压跟随单元接收输入电压、产生输出电压；输出控制单元控制电压跟随单元的输出端与基准电压之间的通断。根据本发明的电平转换电路及电平转换方法，具有面积小、功耗低的特点；面向高速应用具有响应速度快、静态功耗低的特点；能够持续输出高线性度的控制信号；同时，使用正温度系数的电流为该电平转换电路提供偏置，减小温度变化对开关管导通能力的影响，能够实现较为恒定的导通阻抗，提高开关精度，减小开关管的设计难度以及降低成本。
电平转换电路方法

[发明专利]应用于负载开关的驱动电路及驱动芯片-CN202310826998.X在审
发明人：周琦;鲁文先 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明揭示了一种应用于负载开关的驱动电路及驱动芯片，所述驱动电路包括：开关，用于控制负载开关的通断，所述开关的第一端与第一电位相连，第二端与负载开关的控制端相连；第一MOS管，所述第一MOS管的栅极与控制信号相连，漏极与负载开关的控制端相连；关断速率自适应单元，包括第二MOS管及第一电阻，所述第二MOS管的栅极与负载开关的第一端相连，源极与第一MOS管的源极相连，漏极与基准电位相连，所述第一电阻的第一端与第一MOS管的源极相连，第一电阻的第二端与负载开关的第一端相连。本发明中的驱动电路结构简单，易于控制，在关断外部负载开关时，能自适应兼顾负载开关的电流变化速率与整体关断时间，无需额外的PWM电路。
应用于负载开关驱动电路芯片

[发明专利]电源电路、DC-DC转换器及控制方法-CN202310954914.0在审
发明人：郑晨;顾冬烈 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源电路、DC‑DC转换器及控制方法，电路包括：采样单元、误差放大单元、驱动管以及瞬态响应补偿单元。采样单元对电源电路的输出电压进行采样产生采样信号；误差放大单元基于采样信号和参考信号产生驱动信号；驱动管在驱动信号的驱动下产生输出电压；瞬态响应补偿单元对驱动管的控制端电压进行控制。根据本发明的电源电路、DC‑DC转换器及控制方法，通过瞬态响应补偿单元利用电源电路的输出电压的瞬间变化，瞬间打开上拉电流，让驱动管的控制端电压的瞬态响应恢复时间大幅度缩短从而使得电源电路的输出电压的恢复时间大幅度缩短；在瞬态响应结束后，瞬态响应补偿单元自动关断，对电源电路的正常稳态功能没有任何影响。
电源电路 dc 转换器控制方法

[发明专利]LDO电路及芯片-CN202310799416.3在审
发明人：杨芮 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDO电路及芯片，LDO电路包括：分压电路、误差放大器、输出控制电路以及第一瞬态补偿电路和/或第二瞬态补偿电路。分压电路用于对LDO电路产生的输出电压进行分压产生分压信号；输出控制电路接收差分放大信号且产生输出电压。根据本发明的LDO电路及芯片，通过第一瞬态补偿电路基于LDO电路的输出电压的变化控制误差放大器的输出端的电压的变化，通过第二瞬态补偿电路基于电源电压的变化控制误差放大器的输出端的电压的变化，从而增强瞬态响应，有效抑制LDO电路输出电压的过冲，不仅适用于电源电压VIN阶跃时的瞬态，还适用于类似负载阶跃等会造成LDO电路输出电压过冲的各种瞬态场景。
ldo 电路芯片

[发明专利]隔离器件及其制备方法-CN202310831496.6在审
发明人：汪海旸;李明;陈莉芬;林雨乐;张雪璠 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离器件及其制备方法，隔离器件包括第一极板、第二极板，以及介质层；所述第二极板与所述第一极板间隔设置，所述第一极板和/或所述第二极板上贯穿开设有槽孔；所述介质层至少位于所述第一极板和所述第二极板之间。本发明的隔离器件及其制备方法，能够明显提高器件隔离性能。
隔离器件及其制备方法

[发明专利]DAC失调电压校准电路及校准方法-CN202310828408.7在审
发明人：王云尉;陈春鹏 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种DAC失调电压校准电路及校准方法，DAC失调电压校准电路包括N个控制节点、电阻阵列以及电流源，电阻阵列包括：第一电阻，第一端和第二端分别与相邻的两个控制节点相连；第二电阻，第一端与控制节点相连，第二端与参考电压VREF或地电位相连；第三电阻，第一端与第N个控制节点相连，第二端与地电位相连，且第二电阻和第三电阻的阻值均为第一电阻阻值的两倍；电流源与至少一个控制节点相连，且电流源用于向电阻阵列注入电流或从电阻阵列中抽取电流，以校准输出节点VOUT产生的失调电压；其中，N为整数，且N≥2。本发明利用电流源向电阻阵列注入电流或从电阻阵列中抽取电流，从而达到校准输出节点VOUT产生的失调电压的目的。
dac 失调电压校准电路方法

[发明专利]芯片封装结构及芯片封装方法-CN202310637160.6在审
发明人：吴佳峰;请求不公布姓名;请求不公布姓名;沈彦旭 -专利权人： 思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装结构以及芯片封装方法，芯片封装结构包括引线框架，芯片，导热体以及塑封体。引线框架包括基岛以及位于基岛外围的引脚，基岛具有一焊接面，引脚具有焊接部，基岛的焊接面与引脚的焊接部的顶面位于同一平面上；芯片倒装于基岛的焊接面上，并电连接引脚的焊接部；导热体设置于基岛背离芯片的表面上；塑封体包覆芯片并暴露出引脚。本发明的芯片封装结构及芯片封装方法，能够替代当前难度大的垂直工艺加平面工艺的高边开关领域封装，降低对Fab厂工艺能力的要求，同时提高芯片的过流能力。
芯片封装结构方法