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- [发明专利]绝缘栅双极晶体管结构-CN201610310328.2有效
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周贤达;舒小平;徐远梅
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中山汉臣电子科技有限公司
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2016-05-12
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2019-01-01
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H01L29/739
- 本发明公开一种绝缘栅双极晶体管结构,包括:位于底部的集电极,设置在集电极的顶部上的第二导电型的集电区,设置在集电区的顶部上的第一导电型的缓冲区,设置在缓冲区的顶部上的第一导电型的漂移区,被漂移区的上表面部分围绕的绝缘材料制成的掩埋电介质,设置在漂移区的顶部上,并邻近掩埋电介质的第二导电型的超薄多晶硅基区,被漂移区的上表面部分围绕且邻近多晶硅基区的栅电介质,被栅电介质部分围绕的栅电极,邻近栅电介质并位于基区和掩埋电介质的顶部上的第一导电型的多晶硅发射区,平行于发射区的第二导电型的多晶硅扩散区,短接发射区和扩散区的发射极,将发射极与栅电极相隔离的层间电介质。可以使器件具有理论上最低通态压降。
- 绝缘双极晶体管结构
- [发明专利]绝缘栅双极晶体管的制造方法-CN201610310327.8有效
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周贤达;舒小平;徐远梅
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中山汉臣电子科技有限公司
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2016-05-12
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2018-09-07
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H01L21/331
- 本发明公开一种绝缘栅双极晶体管的制造方法,包括下述步骤:1、制作轻掺杂衬底晶片;2、在晶片上形成电介质层;3、在电介质层上淀积未掺杂的多晶硅层;4、对未掺杂的多晶硅层和电介质层进行图案化处理,以形成栅极沟槽;5、淀积硅以在单晶硅表面上形成单晶硅,并在晶片表面的剩余部分上形成多晶硅;6、形成栅电介质;7、形成栅电极,8、形成多晶硅基区,9、形成重掺杂的多晶硅发射区和多晶硅扩散区,10、淀积层间电介质;11、对层间电介质进行图案化处理,12、形成发射极,13、减薄晶片以形成漂移区,14、通过离子注入和退火在背侧形成缓冲区,15、在背侧形成集电区,16、在背侧形成集电极。可以使器件具有理论上最低通态压降。
- 绝缘双极晶体管制造方法
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