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[发明专利]切片硅异质结太阳能电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417597.X在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结太阳能电池、制备方法及太阳能电池组件。该制备方法包括：对整片硅异质结太阳能电池切割形成切片硅异质结太阳能电池主体；还包括：在切片硅异质结太阳能电池主体的被切割侧表面形成侧接触含硅薄膜，侧接触含硅薄膜的介电常数范围为1－10；其中，切片硅异质结太阳能电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电层。该方法在异质结太阳能电池被切割后，通过含硅薄膜对侧表面的缺陷和悬挂键进行钝化，减少硅异质结太阳能电池效率的切割损失，提高硅异质结太阳能电池效率；同时还通过含硅薄膜取代一定厚度的透明导电层，减少使用ITO的总量，降低生产成本。
切片硅异质结太阳能电池制备方法组件

[发明专利]一种太阳能电池的清洗方法-CN202110737806.9在审
发明人：周肃;符欣;陈光羽;徐晓华;王文静;龚道仁;杨龙;程尚之 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池制造技术领域，提供一种太阳能电池的清洗方法，包括如下步骤：在进行制绒处理之后，对半导体衬底层的表面进行清洗处理；其中，所述清洗处理包括：提供清洗槽，清洗槽中具有挥发性清洗液，挥发性清洗液中包括挥发性清洗物质；在清洗槽中采用慢提拉清洗工艺对半导体衬底层的表面进行清洗。采用慢提拉清洗工艺和挥发性清洗液使得半导体衬底层表面残留的挥发性清洗液快速的挥发到环境中，半导体衬底层的表面较干燥，因此不需要再对半导体衬底层进行预脱水、烘干等工艺，半导体衬底层表面的洁净度较高，同时减少太阳能电池的制备工序，节省太阳能电池的制备时间，提高产能和制备效率。
一种太阳能电池清洗方法

[发明专利]太阳能电池片的制造方法-CN202110737809.2在审
发明人：龚道仁;周肃;符欣;徐晓华;王文静;李建清 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及提供一种太阳能电池片的制造方法，包括以下步骤：形成原片太阳能电池片，原片太阳能电池片包括透明导电层：分割原片太阳能电池片以形成至少两片切片太阳能电池片；采用湿法清洗工艺至少清洗切片太阳能电池片的分割面；进行湿法清洗工艺之后，在切片太阳能电池片的表面形成栅线电极。本发明的太阳能电池片制造方法，通过调节栅线电极的形成顺序，并采用湿法清洗工艺去除因分割造成的透明导电层残留碎片并修复分割面，可解决因分割造成太阳能电池片光电转化效率降低的问题。
太阳能电池制造方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110765904.3在审
发明人： 徐晓华;辛科;周肃;龚道仁;王文静;李晨;梅志纲 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法，该异质结太阳能电池，包括：N型衬底，N型衬底的一侧自内而外至少设置有第一钝化层与N型掺杂层；N型衬底的另一侧自内而外至少设置有第二钝化层与P型掺杂层；N型掺杂层包括层叠设置的种子层与精细晶硅层；种子层为N型非晶硅薄膜层；其中，N型非晶硅薄膜层与第一钝化层接触。该异质结太阳能电池相比于原有技术的N型掺杂层，纳米晶和微晶的结晶性更好，掺杂效率变高，载流子浓度大，提高了N型掺杂层的光电导率，降低了体电阻，改善电池的串联电阻，提高了电池的效率。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于人工智能的全场景网络安全智慧决策处置方法-CN202110622502.8有效
发明人：钱锦;徐晓华;杜猛俊;徐汉麟;徐李冰;陈元中;杨谊;倪夏冰;李强强;张晓波 -专利权人：国网浙江省电力有限公司杭州供电公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于人工智能的全场景网络安全智慧决策处置方法，包括以下步骤：S01：将数据采集任务分配给采集器，由采集器根据任务的内容对目标发送数据采集请求，待目标返回数据后，采集器将采集到的数据进行掺杂加密后上传消息总线，掺杂源保存在采集器和存储单元内；S02：存储单元接收消息总线内的数据，进行逆掺杂解密后，根据得到的数据特征进行网络安全事件的分类和处置方法标注，分类和标注后加上时间戳存储；S03：将历史网络安全事件和对应处置方法导入到神经网络中进行训练，并根据结果验证的准确率进行调整，得到最终模型；S04：将实时网络安全事件导入最终模型进行判断，得到处置方法，根据处置方法的内容进行处置。
一种基于人工智能场景网络安全智慧决策处置方法

[发明专利]一种基于机器学习的电力网络安全数据清洗系统及方法-CN202110517058.3在审
发明人： 徐晓华;王一达;章奕;向新宇;冯雪;杨谊;钱锦;陈涛;董文亮 -专利权人：国网浙江省电力有限公司杭州供电公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G06F16/215 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于机器学习的电力网络安全数据清洗系统及方法，所述清洗系统包括数据采集模块、数据处理模块和数据分析模块，所述数据采集模块与数据处理模块连接，所述数据分析模块与数据处理模块连接。所述清洗方法具体为数据采集模块采集电力网络数据并将其存储至原始电力网络数据存储单元中，数据处理模块提取电力网络数据，对其进行解析获取运行事件信息并储存至运行事件信息存储单元中，再通过机器学习聚类算法对所有运行事件信息进行分析，获取异常数据和离群数据，并将异常数据以及离群数据与正常数据进行分别储存，完成数据清洗。本发明通过数据清洗有效提取出异常数据和离群数据并相应处理，提高电力网络数据应用的可靠性。
一种基于机器学习电力网络安全数据清洗系统方法

[发明专利]膜层去除浆料、太阳能电池片的切割方法及半导体器件的划线方法-CN202110640918.2在审
发明人： 徐晓华;辛华伟;符欣;张良;周肃;龚道仁;王文静;陈梦滢 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及膜层去除浆料、太阳能电池片的切割方法、半导体器件的划线方法。膜层去除浆料包括如下体积百分含量的组分：中强酸2‑10％；弱酸10‑30％；溶剂40‑70％；助剂5‑20％；树脂5‑15％，各组分的体积百分含量之和为100％。太阳能电池片的切割方法包括以下步骤：在透明导电膜层表面的待切割区域涂覆膜层去除浆料，形成无膜层区域；烘干烧结，去除残留的膜层去除浆料；在无膜层区域进行激光切割。本发明通过涂覆腐蚀浆料进行有选择性去除透明导电膜层，在透明导电膜层边缘形成空白区域；且残留的腐蚀浆料能够在电池片制作过程中固有的烘干烧结步骤去除，无需另外引入浆料的清洗步骤，具有成本低、工艺简单、生产效率高等优点。
去除浆料太阳能电池切割方法半导体器件划线

[发明专利]一种太阳能电池的制备方法-CN202110594930.4在审
发明人：王文静;符欣;周肃;龚道仁;徐晓华 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池的制备方法，提供遮撑条；提供衬底器件，所述衬底器件包括器件区和划片区，所述衬底器件包括:半导体衬底层和位于半导体衬底层一侧的第一掺杂半导体层；将所述衬底器件置于所述遮撑条的上方，所述遮撑条接触所述划片区的第一掺杂半导体层，所述器件区的第一掺杂半导体层的表面被暴露；以所述遮撑条为掩膜，通过镀膜工艺在器件区的第一掺杂半导体层的表面形成第一透明导电膜；形成所述第一透明导电膜之后，沿所述划片区对所述衬底器件进行划片；所述遮撑条的宽度大于沿所述划片区对所述衬底器件进行划片步骤中对衬底器件的切割宽度。所述方法提高了太阳能电池的光电转换效率。
一种太阳能电池制备方法

[实用新型]一种数控弯拱机用接线排-CN202022810926.0有效
发明人：李宏叶;王慧;卫学军;梁世龙;徐晓华 -专利权人：山西路桥第五工程有限公司
申请日： 2020-11-28 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01R9/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及接线排技术领域，且公开了一种数控弯拱机用接线排，包括接线排本体和防护盒，所述接线排本体位于防护盒的内部，所述防护盒两侧的底部均固定连接有安装块，所述安装块的顶部螺纹连接有固定螺栓，所述防护盒的顶部活动连接有顶盖，所述顶盖的顶部开设有均匀分布的引线孔。该数控弯拱机用接线排，通过插块和活动块对接线排本体进行固定和限位，避免其在使用过程中发生晃动，然后通过卡块和卡槽将顶盖安装在防护盒的顶部，此时通过防护盒和顶盖对接线排本体进行防护，提高其在使用过程中的安全性，当需要检修时，反之上述操作即可将接线排本体拆除，从而达到了拆卸更为便利，防护效果更加好的目的。
一种数控弯拱机用接线

[实用新型]一种新型的单玻光伏瓦托盘-CN202021578672.8有效
发明人： 徐晓华;周德华;姚文彪;黄江辉;吴建清 -专利权人：宣城开盛新能源科技有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B65G49/05 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型的单玻光伏瓦托盘，包括底板，所述底板的顶部固定连接有支撑柱，所述支撑柱的顶部固定连接有钕磁铁。所述底板的顶部还设置有吸盘套件。本技术方案提出的一种新型的单玻光伏瓦托盘在支撑柱上固定钕磁铁，并额外设置钕磁铁柱。因Cell串为不锈钢衬底，钕磁铁可以透过曲面玻璃将Cell串吸住，解决Cell串在CV线上传送时产生的滑动问题。
一种新型单玻光伏瓦托盘

[实用新型]一种新型柔性太阳能芯片包装盒-CN202021792870.4有效
发明人： 徐晓华;李涛;张锋锋;刘林;卢海江 -专利权人：宣城开盛新能源科技有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B65D6/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型柔性太阳能芯片包装盒，包括矩形盒体，所述盒体的顶部敞开底部封闭，且盒体的内放置有底部挡板，所述底部挡板呈长条状，所述盒体两端的短边侧壁上对应的开设有滑槽，所述滑槽连通盒体内腔和外部，且滑槽内通过有螺纹杆，所述螺纹杆一端固定连接底部挡板，且螺纹杆上旋入有螺母。本技术方案提出的一种新型柔性太阳能芯片包装盒能够避免芯片由于倾斜造成的应力不均而导致芯片边缘的翘角，提高芯片利用率，提升组件良品率。且能够适用于各种非标准长度的芯片储存；并且增大包装盒角部空间，避免芯片与包装盒角部的碰撞而造成的翘角，提高芯片利用率。
一种新型柔性太阳能芯片包装

[发明专利]N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备-CN202110415406.6在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;张良;周肃 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-18 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备，包括在硅片的至少一个表面上形成磷浆层；对形成有磷浆层的硅片进行链式扩散退火，链式扩散退火包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段，升温阶段和降温阶段均分别包含具有不小于30℃/mi n的温度骤变度，使得磷浆层与硅片中的杂质互溶而形成磷硅吸杂层；去除磷硅吸杂层。本发明使用磷浆层喷涂叠加链式扩散退火炉技术进行磷吸杂，磷浆层的喷涂与链式扩散退火炉集成在一起，通过更优温度条件和强光辐射下扩散实现快速磷重掺杂，同时使用快速退火技术，使得金属杂质固定并析出在磷硅吸杂层，扩散温度更高工艺时间更短，可以大幅缩短工艺时间，吸杂效果更加明显，便于进行规模化量产。
硅片方法磷吸杂设备

[发明专利]一种铝吸杂方法和铝吸杂设备-CN202110415403.2在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;张良;周肃 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-18 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例中提供了一种铝吸杂方法和铝吸杂设备，所述方法包括利用丝网印刷在所述硅片的至少一个表面上形成铝浆；以及对形成有所述铝浆的所述硅片进行链式退火，其中所述链式退火包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段，其中所述升温阶段将所述硅片的温度升高至铝硅共晶温度以上，所述恒温阶段的温度高于所述铝硅共晶温度，并且所述降温阶段将所述硅片的温度降低到所述铝硅共晶温度以下。本发明的处理方案使用丝网印刷叠加链式退火炉技术进行铝吸杂。丝网印刷技术成熟稳定，可以使用成本低廉的铝浆，大幅降低了铝浆的生产成本。链式退火炉可以快速实现铝浆的烘干和掺杂，并能快速实现退火，工艺时间更加短，吸杂效果明显，便于进行规模化量产。
一种铝吸杂方法设备

[发明专利]切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417470.8在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件。该制备方法包括对整片异质结太阳能电池进行切割的步骤，还包括：对切割后形成的切片硅异质结电池主体进行如下处理工艺中的至少两种：对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行清洗钝化处理；在所述切片硅异质结电池主体的切割表面形成侧硅薄膜；对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行光注入退火处理。通过对切片硅异质结电池主体的切割表面进行清洗钝化、形成侧硅薄膜、光注入退火处理三种处理方式的至少两种，有效钝化切割表面的缺陷，降低载流子的复合，提高电池的发电效率，修复现有技术中因激光切片技术导致切割表面出现损伤而导致的电池效率降低。
切片硅异质结电池制备方法太阳能电池组件

[发明专利]切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417599.9在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结电池及其制备方法、太阳能电池组件。该制备方法，包括对整片异质结电池进行切割的步骤，还包括：对切割后形成的切片硅异质结电池主体进行如下处理：将切片硅异质结电池主体置于氛围气体中，采用光注入退火方式在设定温度范围内，利用光源对且仅对切片硅异质结电池主体的切割表面进行处理；其中，切片硅异质结电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、透明导电层和栅电极。该制备方法有效钝化切割侧表面的缺陷，降低载流子的复合，提高电池的放电效率，从而将现有技术中因激光切片技术导致切割侧面出现损伤造成的0.3％的电池效率降低，修复为使得电池效率的仅降低0.15％左右。
切片硅异质结电池制备方法太阳能电池组件