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[实用新型]一种具有空气净化功能的畜牧养殖舍-CN201820268114.8有效
发明人：张延翔;孙红文;张鹤鸣;徐怀瑾 -专利权人：张延翔
申请日： 2018-02-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： A01K1/03 文献下载
摘要：一种具有空气净化功能的畜牧养殖舍，包括圈养室和便于畜禽活动的放养空间两部分；畜禽可圈养室中进行休息和吃食；可走出圈养室，露天活动；在放养空间处进行大便排泄，利于内部环境保护。空气净化装置包括装置本体，设置在固定底座顶部的净化箱体构成，且净化箱体嵌入设置在固定底座中，并与固定底座通过螺丝活动连接，净化箱体的一侧设有电源线，电源线的邻侧设有总开关，且总开关嵌入设置在净化箱体中，与现有用于畜牧养殖业的空气净化装置相比具有减短了净化时间，从而提高了空气质量，同时可以对圈舍内的空气进行加湿处理，并且可以吸收过滤外界的新鲜空气，与此同时耐高低温以及抗压性能显著等优点。
净化箱体固定底座圈养空气净化功能空气净化装置嵌入设置畜牧养殖电源线总开关畜禽放养畜牧养殖业排泄活动连接加湿处理抗压性能露天活动耐高低温新鲜空气装置本体大便空间处邻侧螺丝圈舍过滤环境保护净化休息吸收

[发明专利]一种蚀刻生成耐高温选择性吸收功能膜-CN201510626298.1有效
发明人：徐宝安;张鹤鸣 -专利权人：淄博环能海臣环保技术服务有限公司;徐宝安
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： F24S70/225 文献下载
摘要：一种热分解生成耐高温选择性吸收功能膜，吸热膜层为蚀刻生成的金属膜层，为蚀刻后的物体表面布满微小坑的耐高温选择性吸收功能膜，它会形成黑体，反射率极低，吸收率高，且物理化学性能稳定，耐高温。金属层有红外线反射功能，使其发射率低。而膜层导热性能好，强度高，吸收率高。因此，膜层吸热效率稳定，机械强度高，造价低廉，工艺简单，耐侯性强，节约能源，适合各种形状及大面积材料的加工，代表了太阳能集热膜未来的发展方向。
一种蚀刻生成耐高温选择性吸收功能

[发明专利]基于[100]/(001)沟道的[110]单轴张应力NMOS器件及其制备方法-CN201610416021.0有效
发明人：杨旻昱;宋建军;包文涛;胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于[100]/(001)沟道的[110]单轴张应力NMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取晶面为(001)的单晶Si衬底；形成P型阱区；形成隔离区；在P型阱区表面生长绝缘层，利用光刻工艺形成沟道保护层图案，利用选择性刻蚀工艺形成沟道保护层；利用自对准工艺在P型阱区进行N型离子注入形成源区和漏区，并去除沟道保护层；在P型阱区表面生长栅介质层和栅极层；湿法刻蚀栅极层和栅介质层形成与沟道方向成一定齿宽和一定沟道宽度且与沟道[100]晶向形成45°角的齿状栅极；在表面淀积SiN单轴应力薄膜，最终形成具有[100]/(001)沟道的[110]/(001)应变Si NMOS器件。本发明采用与沟道[100]晶向形成45°角的齿状栅型结构对[110]晶向施加单轴张应力，增强了NMOS沟道迁移率，提升了器件性能。
基于 100 001 沟道 110 单轴张应力 nmos 器件及其制备方法

[发明专利]液晶组合物及其液晶显示器件-CN201510197148.3有效
发明人：刘云云;韩文明;丁文全;李鹏飞;徐海彬;姚利芳;贺笛;马文阳;张鹤鸣;章俊强 -专利权人：江苏和成显示科技有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶组合物，包含：占所述液晶组合物总重量1‑30％的一种或更多种通式Ⅰ的化合物；占所述液晶组合物总重量1‑30％的一种或更多种通式Ⅱ的化合物；占所述液晶组合物总重量1‑20％的一种或更多种通式Ⅲ的化合物；以及占所述液晶组合物总重量30‑80％的一种或更多种通式Ⅳ的化合物。本发明的液晶组合物具备电阻率大、电压保持率高、光学各向异性适宜、介电各向异性大、粘度小、阈值电压低等特性中的至少一种特性，且又绿色环保。本发明所述的液晶组合物适用于液晶显示器件中，使得液晶显示器件具有电压保持率高、响应时间短、对比度高、能耗低、绿色环保等特性。
液晶组合及其液晶显示器件

[发明专利]液晶组合物及液晶显示器件-CN201510197773.8有效
发明人：李鹏飞;丁文全;张鹤鸣 -专利权人：江苏和成显示科技有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶组合物，包含：占所述液晶组合物总重量1‑20％选自由通式Ⅰ的化合物组成的组的第一组分；占所述液晶组合物总重量1‑20％选自由通式Ⅱ的化合物组成的组的第二组分；占所述液晶组合物总重量1‑50％选自由通式Ⅲ的化合物组成的组的第三组份；占所述液晶组合物总重量1‑45％选自由通式Ⅳ的化合物组成的组的第四组分；以及占所述液晶组合物总重量15‑70％选自由通式Ⅴ的化合物组成的组的第五组分。本发明的液晶组合物具有适当的光学各向异性、适当的介电各向异性、适当的清亮点、良好的紫外及高温稳定性、合适的阈值电压以及较高的电压保持率。本发明还提供包含该液晶组合物的液晶显示器件。
液晶组合液晶显示器件

[发明专利]液晶组合物及其液晶显示器件-CN201410558352.9有效
发明人：李鹏飞;丁文全;韩文明;戴慧娟;姚利芳;贺笛;刘云云;张鹤鸣;马文阳;马定福;施红萍 -专利权人：江苏和成显示科技有限公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶组合物及其液晶显示器件。该液晶组合物包含：占所述液晶组合物总重量2‑40％的通式Ⅰ‑1和/或Ⅰ‑2的化合物；占所述液晶组合物总重量1‑20％的通式Ⅱ的化合物；占所述液晶组合物总重量15‑55％的通式Ⅲ的化合物；占所述液晶组合物总重量2‑45％的通式Ⅳ的化合物；占所述液晶组合物总重量0‑30％的通式Ⅴ的化合物；以及占所述液晶组合物总重量1‑30％的通式Ⅵ的化合物。本发明的液晶组合物具有高电阻率、高的电压保持率、合适的光学各向异性、合适的介电各向异性、良好的紫外及高温稳定性等特性中至少一种特性，适用于液晶显示器件中。本发明还提供包含该液晶组合物的液晶显示器件。
液晶组合及其液晶显示器件

[发明专利]GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法-CN201610029805.8有效
发明人：舒斌;范林西;吴继宝;陈景明;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇;宋建军;王斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-01-01 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种GeSn多量子阱金属腔激光器，包括Si衬底、以及自下而上设置在Si衬底上Ge缓冲层、下分布布拉格反射镜、有源层、上分布布拉格反射镜和Ge0.88Sn0.12缓冲层，有源层采用应变补偿量子阱结构，Ge0.88Sn0.12缓冲层、上分布布拉格反射镜、有源层和下分布布拉格反射镜刻蚀成圆柱形台面，圆柱形台面的侧面以及下分布布拉格反射镜表面生长有氮化硅薄膜，所述Ge0.88Sn0.12缓冲层和氮化硅薄膜表面上涂有Ag金属层。本发明既能够兼容CMOS工艺，又能够通过调整Sn组分的大小改变应力大小以实现锗锡光源对不同波长光的需求，且具有较高的光电转换效率和光稳定性，加工简单、方便。
gesn 多量金属激光器及其制作方法

[发明专利]异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法-CN201510540631.7有效
发明人：刘翔宇;胡辉勇;张鹤鸣;宋建军;舒斌;宣荣喜 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；形成SiGe层；连续生长N型应变Ge层和N型应变Si层；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽，形成NMOS有源区和PMOS有源区；刻蚀NMOS有源区表面的N型应变Si层，并注入N型离子以形成增强型NMOS有源区；在指定的栅极区表面采用刻蚀工艺形成双倒梯形凹槽；在表面生长氧化层，刻蚀部分区域的氧化层形成PMOS栅介质层；向PMOS有源区表面注入P型离子形成PMOS源漏区；在PMOS的栅介质层表面生长栅极材料形成PMOS栅极；在所述NMOS栅极区生长栅极材料形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成异质沟道槽型栅CMOS集成器件。
沟道槽型栅 cmos 集成器件及其制备方法

[发明专利]液晶组合物及液晶显示器件-CN201510733910.5有效
发明人：刘云云;丁文全;韩文明;贺笛;姚利芳;李鹏飞;张鹤鸣 -专利权人：江苏和成显示科技有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶组合物以及包含所述液晶组合物的液晶显示器件，所述液晶组合物包含：占所述液晶组合物总重量的5‑20％的至少一种通式Ⅰ‑1和/或通式Ⅰ‑2的化合物；10‑25％的至少一种通式Ⅱ的化合物；5‑20％的至少一种通式Ⅲ的化合物；10‑35％的至少一种通式Ⅳ的化合物；以及30‑70％的至少一种通式Ⅴ的化合物。本发明所提供的液晶组合物具有较宽的向列相温度范围、较高的光学各向异性、较高的介电各向异性、较高的清亮点、低粘度、较高的紫外光稳定性以及较高的热稳定性等特性，适用于液晶显示器件中，使该液晶显示器件具有较好的显示对比度、快速响应以及优越的省电性能，能够适用于低温环境中使用。
液晶组合物液晶显示器件光学各向异性介电各向异性紫外光稳定性显示对比度低温环境快速响应热稳定性省电性能低粘度清亮点向列相

[发明专利]液晶组合物及其液晶显示器-CN201410559330.4有效
发明人：马文阳;韩文明;徐海彬;施红萍;马定福;李鹏飞;丁文全;戴慧娟;刘云云;贺迪;姚丽芳;张鹤鸣 -专利权人：江苏和成显示科技有限公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C09K19/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶组合物，所述液晶组合物包含：一种或多种选自由通式Ⅰ‑1和/或通式Ⅰ‑2的化合物；一种或多种选自由通式Ⅱ的化合物；以及一种或多种选自由通式Ⅲ的化合物。本发明提供的液晶组合物，具有合适的光学各向异性、合适的介电各向异性、较高的清亮点较快的响应速度以及良好的低温存储稳定性等特性，可适用于液晶显示器中，使该液晶显示器具有响应时间短、可靠性高，在高温和低温下均能够正常工作等特性。
液晶组合及其液晶显示器

[发明专利]液晶组合物及其液晶显示器件-CN201410559009.6有效
发明人：徐海彬;韩文明;刘琦;丁文全;马文阳;施红萍;马定福;李鹏飞;贺笛;戴慧娟;姚丽芳;刘云云;张鹤鸣 -专利权人：江苏和成显示科技有限公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶组合物及其液晶显示器件。所述液晶组合物包含：作为第一组分的至少一种通式Ⅰ‑1和/或通式Ⅰ‑2的化合物以及至少一种通式Ⅰ‑3的化合物；作为第二组分的至少一种通式Ⅱ的化合物；以及作为第三组分的至少一种通式Ⅲ的化合物。本发明提供的液晶组合物，具有适当大的折射率各向异性、合适的介电各向异性、较高的向列相温度上限以及较快的响应速度等特性。所述液晶组合物可适用于液晶显示器中，使该液晶显示器具有响应时间短等特性。
液晶组合及其液晶显示器件

[发明专利]液晶组合物及其显示器件-CN201410558714.4有效
发明人：刘云云;韩文明;丁文全;李鹏飞;姚利芳;戴慧娟;贺笛;徐海彬;张鹤鸣;马文阳;马定福;施红萍 -专利权人：江苏和成显示科技有限公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：本发明涉及液晶组合物及其显示器件。所述液晶组合物包含：至少一种通式Ⅰ‑1和/或通式Ⅰ‑2的化合物；至少一种通式Ⅱ的化合物；至少一种通式Ⅲ的化合物；以及至少一种通式Ⅳ的化合物。本发明的所提供的液晶组合物具有合适的光学各向异性、合适的介电各向异性、较宽的向列相温度范围、高的电压保持率、高的电阻率以及快的响应速度。该液晶组合物能够适用于液晶显示器中，使该液晶显示器具有响应时间短、显示对比度好等特性。
液晶组合及其显示器件

[发明专利]氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件及其制备方法-CN201510383479.6有效
发明人：舒斌;陈景明;范林西;吴继宝;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇;宋建军;王斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件及其制备方法，该红外LED器件包括硅衬底以及设置在硅衬底上的锗缓冲层，锗缓冲层上从左往右依次设有铝电极、横向P‑I‑N锗锡层、氮化硅层和铝电极，所述锗锡P‑I‑N结构上方淀积有氮化硅薄膜。本发明兼容了CMOS工艺，克服了目前高锡组分含量的锗锡合金生长困难的问题，且能通过调整氮化硅膜的结构改变张应力大小以实现锗锡材料光源对不同波长光的需求，具有较高的光电转换效率，光稳定性，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。 1
锗锡氮化硅膜红外LED 锗缓冲层硅衬底铝电极制备光电转换效率氮化硅薄膜氮化硅层光稳定性锗锡合金波长光上光源张应力淀积高锡光源兼容生长加工

[发明专利]一种利用压电材料测量高压信号的装置及方法-CN201711325196.1在审
发明人：谌贝;龚鹏伟;谢文;姜河;张鹤鸣;马红梅;杨春涛 -专利权人：北京无线电计量测试研究所
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种利用压电材料测量高压信号的装置及方法。所述装置包括：信号发生器、发射换能器、被测电压源、压电材料、接收换能器和时间间隔计数器。本发明利用压电材料测量高压信号的装置及方法使用压电材料作为测量高压信号的媒介，使高压信号转化为声信号在压电材料中传输时间的变化，不需要专门的高压测量设备，也避免了测量中对于分压器等标准件的依赖，具有更为完善和合理的溯源链。 1
压电材料测量高压时间间隔计数器高压测量设备发射换能器接收换能器信号发生器方法使用高压信号标准件电压源分压器溯源测量媒介传输转化

[发明专利]气囊密封型不锈钢半球阀-CN201510484396.6有效
发明人： 张鹤鸣;张嗣远 -专利权人： 张鹤鸣
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： F16K5/06 文献下载
摘要：本发明属于半球阀技术领域，涉及气囊密封型不锈钢半球阀，阀体上通过螺栓固定有气囊压环，阀体与气囊压环之间形成有环形槽，环形槽内安装有由密封环和环形密封垫组成的气囊密封件，阀体相对侧壁的驱动轴上安装有半球体阀芯，半球体阀芯与阀体、气囊密封件、气囊压环之间有间隙配合，当阀芯开启与关闭时不发生磨擦，只有在气囊密封件内部充气膨胀与阀芯球面紧密结合时球阀才起密封作用，环形密封垫的下部与密封环的U型槽配合形成密闭的充气空腔，气囊压环的侧壁上设置有连通环形槽的进气通道，进气通道在环形槽的开口处密封连接有穿过环形密封垫伸至充气空腔内的通气导管，优点是：结构简单，密封好，适用于制药行业的进料、出料阀。
环形槽气囊压阀体环形密封垫气囊密封件半球体阀芯不锈钢半球充气空腔进气通道气囊密封密封环充气膨胀阀芯球面间隙配合螺栓固定密封连接密封作用通气导管相对侧壁制药行业半球阀出料阀开口处驱动轴密闭侧壁阀本阀芯球阀连通密封磨擦穿过配合