“张锦川”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果114个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件-CN201310705313.2有效
发明人：闫方亮;张锦川;姚丹阳;卓宁;王利军;刘峰奇;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件，包括：衬底；衬底上表面依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、盖层以及高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器单元，每个DFB激光器单元具有脊型波导结构，脊上面的高掺层上具有二级取样布拉格光栅结构，不同布拉格光栅具有不同取样周期；二氧化硅层，覆盖整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，生长在二氧化硅层上面及布拉格光栅上面；电隔离沟，位于阵列器件中两个相邻的DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，生长在衬底的下表面；出光窗口，位于衬底的下表面，阵列器件中的每个DFB激光器单元的脊型波导均对应一个出光窗口。
一种调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件

[发明专利]高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器-CN201310652143.6有效
发明人：王涛;刘俊岐;刘峰奇;张锦川;王利军;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器，包括：一高掺杂的接收衬底；一下金属波导光限制层，该下金属波导光限制层是由金属热键合形成，并位于接收衬底上；一下接触层，位于下金属波导光限制层上；一有源层，该有源层生长在下接触层上；一上接触层，该上接触层生长在该有源层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；一上金属层，该上金属层由电子束蒸发于上接触层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；其中，下金属层和下接触层构成下等离子体波导，上金属层和上接触层构成上等离子体波导，上下等离子体波导构成双面金属波导结构；所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构，环形的有源层形成了环形谐振腔。
功率发散半导体赫兹垂直面发射激光器

[发明专利]带有分布反馈光栅和多孔波导量子级联激光器及制作方法-CN201310520575.1无效
发明人：胡永正;刘峰奇;王利军;张锦川;赵立华;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种带有分布反馈光栅和多孔波导量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底的中间部位；一量子级联有源区结构生长在下波导层上；一掩埋光栅层生长在量子级联有源区结构上；一低掺层生长在掩埋光栅层上；一高掺层生长在低掺层的中间部位；一多孔结构生长在低掺层上，及高掺层的两侧；一电注入窗口覆盖高掺层和高掺层两侧的部分多孔结构，暴露出多孔结构两端的部分区域；一电绝缘层生长在衬底暴露的部分上面，及下波导层、量子级联有源区结构、掩埋光栅层、低掺层、多孔结构的两侧，并覆盖多孔结构两端暴露的上表面，形成基片；一正面电极制作在电绝缘层上，并覆盖基片的上表面；一背面电极制作在衬底的背面。
带有分布反馈光栅多孔波导量子级联激光器制作方法

[发明专利]一种低发散角的面发射量子级联激光器结构-CN201310503782.6有效
发明人： 张锦川;姚丹阳;闫方亮;刘峰奇;王利军;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低发散角的面发射量子级联激光器结构，其包括：衬底；下波导层，该下波导层生长在该衬底正面；下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上；有源区，该有源区生长在下光限制层上；上光限制层，该上光限制层生长在该有源区上；光栅层，该光栅层制作于上光限制层的上，并且该光栅层具有二级分布反馈结构；上波导层，该上波导层生长在该光栅层上；亚波长金属光栅层，该亚波长金属光栅层制作于该衬底。本发明公开的上述方案用亚波长金属光栅结构对面发射量子级联激光器进行光束整形，既减小了波导方向的发散角又没有影响器件的倒装焊接。在中红外波段很容易激发等离子体波，且等离子体波的传播距离较远、吸收损耗较小。
一种发散发射量子级联激光器结构

[发明专利]一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法-CN201310504071.0有效
发明人： 张锦川;刘峰奇;闫方亮;姚丹阳;王利军;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及其制作方法。该结构包括：衬底、下波导层、下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上、有源区、上光限制层、光栅层、上波导层，该上波导层生长在该光栅层上、多孔区、二氧化硅层、正面金属电极层和背面电极层；其中该多孔区制作于该上波导层上；其中，所述的下波导层、下光限制层、有源区、上光限制层、光栅层和上波导层的两侧为梯形斜面；该二氧化硅生长在衬底正面未被下波导层覆盖的部分和下波导层、下光限制层、有源区、上光限制层、光栅层和上波导层的两侧形成的梯形斜面上，以及上波导层上面两侧的边缘部分。
一种发散角分布反馈量子级联激光器结构制作方法

[发明专利]可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法-CN201310447427.1有效
发明人：闫方亮;张锦川;姚丹阳;谭松;王利军;刘峰奇;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法。所述阵列器件包括：在衬底上依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、梯度掺杂盖层和高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器，每个DFB激光器具有脊型波导结构，且脊型波导的一侧留有引线区；脊上面的高掺层上为取样布拉格光栅结构，阵列中不同DFB激光器脊型波导上面的取样布拉格光栅具有不同的取样周期；二氧化硅层，其覆盖了整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，其生长在二氧化硅层的上面及高掺层取样布拉格光栅的上面；电隔离沟，其位于阵列器件中两个DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，其生长在衬底的下表面。
调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法

[发明专利]光栅分布反馈量子级联激光器-CN201310308727.1有效
发明人： 张锦川;刘峰奇;卓宁;王利军;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种光栅分布反馈量子级联激光器。该光栅分布式量子级联激光器包括：衬底；以及在该衬底上依次生长的下波导层，下光限制层，有源区，上光限制层，等效相移光栅，上波导层；其中，在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅，该等效相移光栅包括均匀光栅、采样光栅和π相移结构。与传统均匀光栅的制作工艺相比，本发明等效相移光栅制作工艺要简单的多，从而极大降低了光栅分布反馈量子级联激光器的制备难度。
光栅分布反馈量子级联激光器

[发明专利]用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法-CN201310057280.5有效
发明人：梁平;胡颖;刘俊岐;刘峰奇;王利军;张锦川;王涛;姚丹阳;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。
用于超薄半导体芯片接触曝光方法

[实用新型]一种客厢式运输车发动机罩双开盖结构-CN201220675906.X有效
发明人：王华强;李永奇;张锦川;周世娟 -专利权人：河南少林汽车股份有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： B62D25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种客厢式运输车发动机罩双开盖结构，它涉及客厢式运输车领域。它包括前活动发动机盖(1)、门(2)和后活动发动机盖(3)，门(2)下方设置有前活动发动机盖(1)和后活动发动机盖(3)，前活动发动机盖(1)设置在后活动发动机盖(3)前侧。本实用新型隔墙跨越发动机罩时可以前后开启的发动机盖，方便维修，实用性强。
一种客厢式运输车发动机双开结构

[实用新型]一种被罩-CN201220738726.1有效
发明人： 张锦川 -专利权人： 张锦川
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： A47G9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种被罩，属于床上用品领域，主要解决套被子麻烦和被子和被罩容易分离的问题，它包括罩面和罩里，沿所述罩面和罩里的一个长边缝有一条拉链，所述拉链长度与所述罩面长度相等，在所述罩面内面距离其一端20～40㎝处沿罩面横向设有数个关针。使用该实用新型不但套被子很方便，而且被子和被罩不容易分离，再也不用每天整理被子了。
一种被罩

[实用新型]一种厢式运输车后箱镶嵌式顶灯-CN201220689268.7有效
发明人：王华强;李永奇;周世娟;张锦川 -专利权人：河南少林汽车股份有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： B60Q3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种厢式运输车后箱镶嵌式顶灯，结构中包括顶灯，车顶内厢板上设置凹槽，所述顶灯通过铁皮支架设置在凹槽内。所述凹槽的深度至少与所述顶灯的厚度相等。本实用新型能够解决现有技术的不足，通过将顶灯安装在车顶内厢板上的凹槽内，提高顶灯的安全性，方便货物装卸。
一种运输车镶嵌顶灯

[发明专利]双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法-CN201310028764.7有效
发明人：姚丹阳;张锦川;闫方亮;刘俊岐;王利军;刘峰奇;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：利用有机溶剂清洗掉光刻胶光栅图形，制备出双周期光栅，完成制备。
双全曝光制备量子级联激光器掩埋双周光栅方法

[实用新型]电缆沟强制通风系统-CN201220334081.5有效
发明人：曾骏林;曹建;闫召进;岳刚;余伟;张锦川;何宾 -专利权人：四川省电力公司绵阳电业局
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： F24F11/02 文献下载
摘要：电缆沟强制通风系统，包括控制中心主机、监控主机、采集模块，所述控制中心与至少一个监控主机连接，接收监控主机的数据并对监控主机发送控制命令，每个所述监控主机与设在电缆沟中的采集模块连接，所述采集模块分别与漏水检测器、温湿度传感器和红外感应探头连接，通过漏水检测器、温湿度传感器和红外感应探头采集数据，并将采集数据发送给监控主机，所述监控主机根据采集模块采集的数据发送相应的命令，通过采集模块传送到风机遥控接收器上，所述风机遥控接收器与风机的开关连接。本实用新型提供的电缆沟强制通风系统，提高电缆使用环境安全，运行管理智能化程度高。
电缆沟强制通风系统

[实用新型]通风型电缆沟盖板-CN201220334078.3有效
发明人：陈芳;曹建;闫召进;岳刚;张浩;张锦川;何勇;何宾 -专利权人：四川省电力公司绵阳电业局
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H02G9/00 文献下载
摘要：通风型电缆沟盖板，采用标准尺寸的电缆沟盖板，四周用钢筋做为骨架，上表面是以阻燃材料一次性浇注而成的、具有若干个横向条形孔的多孔阻燃面板，四边用不锈钢材料包边，底部加不锈钢丝网，防止杂物落入，使改造后通风型盖板具有足够的强度，美观大方，经久耐用。采用此种通风型电缆沟盖板最终能实现的效果是：在电缆沟上间隔布放，使沟内热量尽快释放，降低沟内温度，改善电缆使用环境，提高运行可靠性。
通风电缆沟盖板

[发明专利]电缆沟强制通风系统-CN201210238751.8在审
发明人：曾骏林;曹建;闫召进;岳刚;余伟;张锦川;何宾 -专利权人：四川省电力公司绵阳电业局
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： F24F11/02 文献下载
摘要：电缆沟强制通风系统，包括控制中心主机、监控主机、采集模块，所述控制中心与至少一个监控主机连接，接收监控主机的数据并对监控主机发送控制命令，每个所述监控主机与设在电缆沟中的采集模块连接，所述采集模块分别与漏水检测器、温湿度传感器和红外感应探头连接，通过漏水检测器、温湿度传感器和红外感应探头采集数据，并将采集数据发送给监控主机，所述监控主机根据采集模块采集的数据发送相应的命令，通过采集模块传送到风机遥控接收器上，所述风机遥控接收器与风机的开关连接。本发明提供的电缆沟强制通风系统，提高电缆使用环境安全，运行管理智能化程度高。
电缆沟强制通风系统